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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FMW1T148 | - - - | ![]() | 5146 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | FMW1 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||
![]() | DTC144ECAT116 | 0,2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC144 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | MPSW3725 | - - - | ![]() | 8521 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPSW37 | 1 w | To-226-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | 40 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 950 mv @ 100 mA, 1a | 60 @ 100 mA, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | Pumd2,165 | 0,2900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumd2 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | - - - | 22kohm | 22kohm | |||||
![]() | BC548B_J35Z | - - - | ![]() | 5777 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC548 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | BSS5130AT116 | 0,4400 | ![]() | 321 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS5130 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 380mv @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | ||||||
![]() | ZTX749A_J61Z | - - - | ![]() | 3757 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | ZTX749 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 35 V | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 1a, 2v | 100 MHz | |||||||
![]() | 2SD1815T-TL-H | - - - | ![]() | 3505 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1815 | 1 w | Tp-fa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | 100 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mV @ 150 mA, 1,5a | 200 @ 500 Ma, 5V | 180 MHz | |||||||
![]() | BC546C | 0,2519 | ![]() | 152 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Streiflen | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2721-BC546C | 30 | 65 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||
![]() | JantX2N3499U4 | - - - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | KSD471ACYBU | 0,4200 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSD471 | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 120 @ 100 mA, 1V | 130 MHz | ||||||
![]() | DMC2640L0R | - - - | ![]() | 4816 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMC2640 | 300 MW | Mini6-g4-b | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 10V | - - - | 4.7kohm | 4.7kohm | ||||||
![]() | BC807-25qc-QZ | 0,3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | 380 MW | DFN1412D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 80MHz | |||||||
![]() | PDTC143TU, 135 | 0,0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||
![]() | NXP3875G, 215 | 0,0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BCv47,215 | - - - | ![]() | 2332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCV47 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | RN2911 (T5L, F, T) | - - - | ![]() | 5354 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN2911 | 200 MW | US6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 10kohm | - - - | |||||||
![]() | BC557BZL1 | - - - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC557 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 100na | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 180 @ 2MA, 5V | 320 MHz | ||||||
![]() | BFR505T, 115 | - - - | ![]() | 5108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BFR50 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 18 Ma | Npn | 60 @ 5ma, 6v | 9GHz | 1,2 dB ~ 2,1 dB bei 900 MHz | ||||||
![]() | BC847AM3-TP | 0,0371 | ![]() | 5616 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-723 | BC847 | 265 MW | SOT-723 | Herunterladen | 353-BC847AM3-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1ma | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||
![]() | ZXT13N15DE6TA | 0,2610 | ![]() | 4510 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT13N15 | 1,1 w | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 5 a | 100na | Npn | 200mv @ 100ma, 5a | 300 @ 1a, 2v | 72 MHz | ||||||
![]() | NSVS50030SB3T1G | 0,6000 | ![]() | 3306 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVS50030 | 1,1 w | 3-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 210mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 100 Ma, 2V | 380 MHz | |||||||
![]() | NSVBC847BTT1G | 0,3800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | NSVBC847 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | PDTC143TU, 135 | 0,1900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTC143 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 200 @ 1ma, 5V | 4.7 Kohms | |||||||
JANSP2N2907AL | 99.0906 | ![]() | 1485 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSP2N2907AL | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||
![]() | 2N6317 | - - - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 90 w | To-66 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-2N6317 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 7 a | 500 ähm | 2v @ 1,75a, 7a | 35 @ 500 mA, 4V | 4MHz | |||||||||
![]() | DDTA144TKA-7-F | - - - | ![]() | 1543 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||
![]() | BC636-16ZL1 | 0,0400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3904 | 0,0241 | ![]() | 68 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2796-2N3904TR | 8541.21.0000 | 4.000 | 40 v | 200 ma | 50na | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||
![]() | KSC815YBU | 0,0600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | 200 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus