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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC2229-y (SHP, F, M) | - - - | ![]() | 7291 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SC2229 | 800 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 70 @ 10ma, 5V | 120 MHz | ||||||
![]() | FJX3014RTF-ON | - - - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | FJX301 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | PBLS4003Y, 115 | 0,4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PBLS4003 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 40 V | 100 mA, 500 mA | 1 µA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 350 mV @ 50 mA, 500 mA | 30 @ 5ma, 5v / 150 @ 100 mA. 2V | 300 MHz | 10kohm | 10kohm | |||
![]() | 2SD2700TL | 0,5700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | 2SD2700 | 800 MW | Tumt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 180mv @ 50 Ma, 1a | 270 @ 200 Ma, 2V | 360 MHz | ||||
![]() | 2n2222a | - - - | ![]() | 7714 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N2222 | 500 MW | To-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 500 | 40 v | 800 mA | - - - | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||
![]() | MCH6536-TL-E | - - - | ![]() | 3597 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MCH65 | 550 MW | 6-mcph | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 V, 12V | 700 mA, 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 300mV @ 10ma, 200 mA | 300 @ 10ma, 2v | 330 MHz, 490 MHz | |||||
![]() | RN2903FE, LXHF (CT | 0,3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN2903 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||
![]() | Jan2n657 | - - - | ![]() | 6856 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N657 | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||
![]() | Pdtd114euf | 0,0503 | ![]() | 7980 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTD114 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068346135 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 225 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||
![]() | NSV2SC5658M3T5G | 0,4100 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | NSV2SC5658 | 260 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 150 Ma | 500NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||
![]() | BCW70T116 | 0,0973 | ![]() | 9654 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW70 | SST3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | - - - | PNP | - - - | 210 @ 2MA, 5V | - - - | |||||
![]() | Umh4ntn | 0,4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umh4 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | |||
![]() | JANSG2N2221AUB/Tr | 255.6750 | ![]() | 9063 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150-Jansg2N2221AUB/Tr | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | BC547-AP | - - - | ![]() | 6800 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC547 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BC547-apmstb | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | - - - | Npn | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||
![]() | 2SB1237TV2P | - - - | ![]() | 5812 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 v | 1 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 82 @ 100 mA, 3V | 150 MHz | |||||
![]() | NP0450100A | - - - | ![]() | 2150 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | NP04501 | 125 MW | SSSMINI6-F1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50V | 100 ma | 100 µA | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 180 @ 2MA, 10V | 150 MHz | ||||||
![]() | On4402H | - - - | ![]() | 5467 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-AUF4402H | 1 | |||||||||||||||||||||
KSH200TF | - - - | ![]() | 9587 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | KSH20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||
![]() | BC556BU | - - - | ![]() | 8318 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC556 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||
![]() | RN4902, LF (CT | 0,2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4902 | 200 MW | US6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||
![]() | 2SC4105m | 0,5500 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | DDC123JU-7 | - - - | ![]() | 9247 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC123 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2ko | 47kohm | |||
Janhca2N2369a | 11.3449 | ![]() | 7686 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2n2369a | 360 MW | To-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca2N2369a | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | ||||||
![]() | BC856BW | 0,1500 | ![]() | 7833 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC856 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
![]() | PMSTA92,115 | 0,3400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PMSTA92 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 2MA, 20 mA | 30 @ 30 Ma, 10V | 50 MHz | ||||
![]() | 2pc4081s, 135 | 0,2100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2pc4081 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 270 @ 1ma, 6v | 100 MHz | ||||
FZT795ATC | - - - | ![]() | 9347 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT795 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 140 v | 500 mA | 100na | PNP | 250mv @ 50 mA, 500 mA | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | ||||||
![]() | BCR 191T E6327 | - - - | ![]() | 8427 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BCR 191 | 250 MW | PG-SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 5ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | BC183LC | - - - | ![]() | 9435 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC183 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 40 @ 10 µA, 5 V | 150 MHz | |||||
![]() | NSBC143TDXV6T5G | - - - | ![]() | 6628 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBC143 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | - - - | 4.7kohm | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus