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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NSV2029M3T5G | 0,0664 | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | NSV2029 | 265 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 150 Ma | 500Pa (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||
![]() | Umf4ntr | 0,1189 | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umf4 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 12 V | 100 mA, 500 mA | 500NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 10 mA, 200 mA | 20 @ 20 mA, 5V / 270 @ 10 mA, 2 V | 250 MHz, 260 MHz | 2.2ko | 2.2ko | |||||
![]() | DRA2144V0L | - - - | ![]() | 8011 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DRA2144 | 200 MW | Mini3-g3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||||
![]() | 2N4401_J61Z | - - - | ![]() | 4808 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4401 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.500 | 40 v | 600 mA | - - - | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | 2N6437 | 72.8175 | ![]() | 2635 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 25 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||
![]() | NSV60200SMTWTBG | 0,2218 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | NSV60200 | 1,8 w | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 60 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 450 mV @ 200 Ma, 2a | 150 @ 100 mA, 2V | 155 MHz | ||||||
![]() | JANS2N3440UA | - - - | ![]() | 8636 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N3440 | 800 MW | Ua | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | ||||||
DDTC114YUA-7-F | 0,2500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | Fms1at148 | 0,1382 | ![]() | 6466 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Fms1at148 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | KSC2073H2TU | 1.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSC2073 | 25 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2832-kSC2073H2TU | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 150 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 60 @ 500 mA, 10 V | 4MHz | |||||
![]() | 2SC4915-y, lf | 0,4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SC4915 | 100 MW | SSM | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 17 dB ~ 23 dB | 30V | 20 ma | Npn | 100 @ 1ma, 6v | 550 MHz | 2,3 dB ~ 5 dB @ 100MHz | |||||||
![]() | 2SD1047 | 4.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SD1047 | 100 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-11320-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 140 v | 12 a | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 700 mA, 7a | 60 @ 1a, 5V | 20MHz | |||||
![]() | NSVBC848CDW1T1G | 0,0735 | ![]() | 2439 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSVBC848 | 380 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | CE1F3P (1) -T -AZ | 0,5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | ZTX755 | - - - | ![]() | 2266 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX755 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX755-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 150 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 1a | 50 @ 500 mA, 5V | 30 MHz | ||||||
![]() | 2SB1302S-TD-E | 0,6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB1302 | 1,3 w | PCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 60 mA, 3a | 100 @ 500 mA, 2V | 320 MHz | ||||||
BC857C-7-F | 0,2000 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15na | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||||
![]() | BCP55,115 | 0,4800 | ![]() | 972 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP55 | 1,35 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||||
BD676AG | - - - | ![]() | 8101 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD676 | 40 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 45 V | 4 a | 500 ähm | PNP - Darlington | 2,8 V @ 40 Ma, 2a | 750 @ 2a, 3v | - - - | |||||||
![]() | MJE180stu | 0,2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 1,5 w | To-126-3 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.093 | 40 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 1,7 V @ 600 Ma, 3a | 50 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||||||||
2n5195 sl H | - - - | ![]() | 5425 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Rohr | Lets Kaufen | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 40 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 1ma | PNP | 1,4 V @ 1a, 4a | 20 @ 1,5a, 2V | 2MHz | ||||||||
![]() | XN0640100L | - - - | ![]() | 9396 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | Xn0640 | 300 MW | Mini6-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100 µA | 2 PNP (Dual) | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 160 @ 2MA, 10V | 80MHz | ||||||||
![]() | MPSA64RLRMG | - - - | ![]() | 1970 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSA64 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | |||||||
![]() | PBLS1504Y, 115 | 0,0700 | ![]() | 74 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | PBLS1504 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PBLS1504Y, 115-954 | 4,873 | ||||||||||||||||||||
![]() | CMLT2222AG TR PBFREE | 1.0100 | ![]() | 2118 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | CMLT2222 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 600 mA | 10NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||
![]() | BSP51H6327XTSA1 | - - - | ![]() | 8542 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BSP51 | 1,5 w | PG-SOT223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,8 V @ 1ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 200 MHz | ||||||
PDTA143ZT, 235 | 0,1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA143 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | KSD569OTU | - - - | ![]() | 6961 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSD569 | 1,5 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 80 v | 7 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 500 mA, 5a | 60 @ 3a, 1V | - - - | |||||||
![]() | CMKT2222A TR PBFREE | 0,4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | CMKT2222 | 350 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 600 mA | 10NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||
![]() | 2SC4901YK-TL-E | - - - | ![]() | 5033 | 0.00000000 | Renesas | 2SC4901 | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 100 MW | 3-cmpak | - - - | 2156-2SC4901YK-TL-E | 1 | - - - | 9V | 50 ma | Npn | 50 @ 20 Ma, 5V | 9GHz | 1,2 dB bei 900 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus