SIC
close

Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Gewinnen Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
MJD44H11-001 onsemi MJD44H11-001 - - -
RFQ
 ECAD 7451 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MJD44 1,75 w I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MJD44H11-001OS Ear99 8541.29.0075 75 80 v 8 a 1 µA Npn 1v @ 400 mA, 8a 40 @ 4a, 1V 85 MHz
2N3440 onsemi 2N3440 - - -
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet - - - K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N344 To-39 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2N3440FS Ear99 8541.29.0095 200 250 V 1 a - - - Npn - - - - - - - - -
ZTX1056ASTZ Diodes Incorporated ZTX1056ASTZ - - -
RFQ
 ECAD 8283 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX1056A 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 160 v 3 a 10na Npn 300mv @ 200 Ma, 3a 300 @ 500 mA, 10 V. 120 MHz
PHD13003C,126 WeEn Semiconductors PhD13003C, 126 0,0861
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Box (TB) Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PhD13 2.1 w To-92-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 934063921126 Ear99 8541.29.0095 10.000 400 V 1,5 a 100 µA Npn 1,5 V @ 500 Ma, 1,5a 5 @ 1a, 2v - - -
MPSA13ZL1G onsemi MPSA13ZL1G - - -
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 Onsemi - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MPSA13 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100 mA, 5V 125 MHz
BDW42G onsemi Bdw42g - - -
RFQ
 ECAD 6699 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BDW42 85 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 100 v 15 a 2ma NPN - Darlington 3v @ 50 Ma, 10a 1000 @ 5a, 4V 4MHz
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF - - -
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-mini Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
MMBT3906LP-7B Diodes Incorporated MMBT3906LP-7B 0,3700
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn MMBT3906 250 MW X1-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 40 v 200 ma 50na (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
2SCR553PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR553PFRAT100 0,5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2SCR553 500 MW Mpt3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 50 v 2 a 1 µA (ICBO) Npn 350 MV @ 35 mA, 700 mA 180 @ 50 Ma, 2V 360 MHz
MJE700STU onsemi MJE700stu - - -
RFQ
 ECAD 3323 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 MJE700 40 w To-126-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.920 60 v 4 a 100 µA PNP - Darlington 2,5 V @ 30 Ma, 1,5a 750 @ 1,5a, 3V - - -
DTA124XKAT146 Rohm Semiconductor Dta124xkat146 0,3100
RFQ
 ECAD 5323 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Dta124 200 MW SMT3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 50 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
PDTA114YQAZ Nexperia USA Inc. Pdta114yqaz 0,0501
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 3-xdfn exponiert Pad PDTA114 280 MW DFN1010D-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934069148147 Ear99 8541.21.0075 5.000 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 100 mv @ 250 ua, 5 mA 100 @ 5ma, 5v 180 MHz 10 Kohms 47 Kohms
MPS6725 onsemi MPS6725 - - -
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper MPS672 1 w To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MPS6725OS Ear99 8541.29.0075 5.000 50 v 1 a 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 2MA, 1a 4000 @ 1a, 5v 1GHz
BD242CTU onsemi BD242CTU - - -
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BD242 40 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 100 v 3 a 300 µA PNP 1,2 V @ 600 Ma, 3a 25 @ 1a, 4V - - -
DME375A Microsemi Corporation DME375A - - -
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55AW 375W 55AW Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 6,5 dB 55 v 30a Npn 10 @ 300 mA, 5V 1.025 GHz ~ 1,15 GHz - - -
DTC114YKA-TP Micro Commercial Co DTC114YKA-TP - - -
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DTC114 200 MW SOT-23-3L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
2N4401_J60Z onsemi 2N4401_J60Z - - -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 2N4401 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.500 40 v 600 mA - - - Npn 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 1V 250 MHz
KSC2330YBU Fairchild Semiconductor KSC2330YBU 0,0700
RFQ
 ECAD 270 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 1 w To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 500 300 V 100 ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 1ma, 10 mA 120 @ 20 mA, 10V 50 MHz
BF959RL1G onsemi BF959RL1G - - -
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) BF959 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 - - - 20V 100 ma Npn 40 @ 20 mA, 10V 700 MHz 3DB @ 200MHz
JANTX2N5667 Microchip Technology JantX2N5667 29.5792
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/455 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2n5667 1,2 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 5 a 200na Npn 1v @ 1a, 5a 25 @ 1a, 5V - - -
JANTX2N5416U4 Microchip Technology JantX2N5416U4 - - -
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/485 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N5416 1 w U4 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 1 a 1ma PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
BC337-16,112 NXP USA Inc. BC337-16,112 - - -
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC33 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6010 (T2mitum, fm - - -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SC6010 1 w MSTM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 100 µA (ICBO) Npn 1v @ 75 mA, 600 mA 100 @ 100 Ma, 5V - - -
JANTX2N3634UB/TR Microchip Technology JantX2N3634UB/Tr 22.2642
RFQ
 ECAD 4082 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
BFQ67W,135 NXP USA Inc. BFQ67W, 135 - - -
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BFQ67 300 MW SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934021070135 Ear99 8541.21.0075 10.000 - - - 10V 50 ma Npn 60 @ 15ma, 5V 8GHz 1,3 db ~ 3 dB @ 1GHz ~ 2GHz
PUMD48,125 Nexperia USA Inc. Pumd48,125 0,2900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pumd48 300 MW 6-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 1 µA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 100 mV @ 250 UA, 5 mA 80 @ 5ma, 5v / 100 @ 10 mA, 5 V. - - - 47kohms, 2.2kohms 47kohm
64077 Microsemi Corporation 64077 - - -
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
NTE75 NTE Electronics, Inc NTE75 29.0200
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 NTE Electronics, Inc - - - Tasche Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Chassis, Stollenberg To-111-4, Stud 2 w To-111 Herunterladen Rohs Nick Konform 2368-NTE75 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 100 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 40 @ 50 Ma, 5V 120 MHz
PN2222ATA onsemi PN2222ATA 0,4200
RFQ
 ECAD 1843 0.00000000 Onsemi - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PN2222 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 1 a 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
2SC559200L Panasonic Electronic Components 2SC559200L - - -
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 Panasonische Elektronische Komponenten - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2SC5592 600 MW Mini3-G1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 15 v 2,5 a 100NA (ICBO) Npn 320 MV @ 50 Ma, 2,5a 400 @ 100 mA, 2V 180 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen