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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FJC2098QTF onsemi FJC2098qtf - - -
RFQ
 ECAD 3528 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa FJC20 500 MW SOT-89-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 20 v 5 a 500NA Npn 1v @ 100 mA, 4a 120 @ 500 mA, 2V - - -
PDTC123JK,115 NXP USA Inc. PDTC123JK, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5295 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTC123 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 100 mv @ 250 ua, 5 mA 100 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
ZDT694QTA Diodes Incorporated ZDT694QTA 0,7088
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZDT694 2.25W Sm8 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-zdt694qtatr Ear99 8541.29.0075 1.000 120 v 500 mA 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 500mv @ 5ma, 400 mA 500 @ 150 mA, 2V 130 MHz
JAN2N5679 Microchip Technology Jan2N5679 24.0198
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N5679 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 1 a 10 µA PNP 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 250 mA, 2V - - -
NSBA144EDXV6T1G onsemi NSBA144EDXV6T1G 0,1141
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 NSBA144 500 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 250 mV @ 300 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 10V - - - 47kohm 47kohm
2N5633 Microchip Technology 2N5633 74.1300
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 150 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5633 Ear99 8541.29.0095 1 120 v 10 a - - - PNP - - - - - - - - -
BSP16T1G onsemi BSP16T1G 0,4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BSP16 1,5 w SOT-223 (to-261) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 300 V 100 ma 50 µA PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V 15 MHz
NSS40501UW3T2G onsemi NSS40501UW3T2G 1.0700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-WDFN-Exponiertebad NSS40501 875 MW 3-WDFN (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 5 a 100NA (ICBO) Npn 150 mV @ 400 mA, 4a 200 @ 2a, 2v 150 MHz
BDV65BG onsemi BDV65BG - - -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 BDV65 125 w To-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 100 v 10 a 1ma NPN - Darlington 2v @ 20 mA, 5a 1000 @ 5a, 4V - - -
PBHV9110DA_R1_00001 Panjit International Inc. PBHV9110DA_R1_00001 0,4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PBHV9110 1,25 w SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-PBHV9110DA_R1_00001DKR Ear99 8541.29.0095 3.000 100 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 600mv @ 100 mA, 1a 100 @ 500 mA, 5V 100 MHz
PMP5501Y,115 NXP USA Inc. PMP5501y, 115 0,1000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMP5501 300 MW SOT-363 Herunterladen Ear99 8541.21.0095 3.056 45 V 100 ma 15NA (ICBO) 2 PNP (Dual) Matchieres Paar 400mv @ 5 mA, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 175MHz
ADTC143ZCAQ-7 Diodes Incorporated ADTC143ZCAQ-7 0,0508
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ADTC143 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
MPSA92 NTE Electronics, Inc MPSA92 - - -
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 NTE Electronics, Inc - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2368-MPSA92 Ear99 8541.21.0095 1 300 V 500 mA 250na (ICBO) PNP 500 mv @ 2MA, 20 mA 25 @ 30 Ma, 10V 50 MHz
JANTXV2N3725 Microchip Technology Jantxv2N3725 - - -
RFQ
 ECAD 2119 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 50 v 500 mA - - - Npn - - - - - - - - -
PBSS4260QAZ NXP Semiconductors PBSS4260qaz 0,0800
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.21.0075 3.904
KSD560YTU onsemi KSD560Ytu 1.5400
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 KSD560 1,5 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 1 µA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 3ma, 3a 5000 @ 3a, 2v - - -
2SA2126-TL-H onsemi 2SA2126-TL-H 0,6200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 2SA2126 800 MW Tp-fa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 700 50 v 3 a 1 µA (ICBO) PNP 520mv @ 100 mA, 2a 200 @ 100 Ma, 2V 390 MHz
CET3904E TR PBFREE Central Semiconductor Corp CET3904E TR PBFREE 0,4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 CET3904 250 MW SOT-883 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 8.000 40 v 200 ma - - - Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
PUMD12/ZLF Nexperia USA Inc. Pumd12/zlf - - -
RFQ
 ECAD 6029 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pumd12 300 MW 6-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 50V 100 ma 1 µA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 150 mV @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 5V 230 MHz, 180 MHz 47kohm 47kohm
SBC846BDW1T1G-M01 onsemi SBC846BDW1T1G-M01 - - -
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SBC846 380 MW SC-88/SC70-6/SOT-363 - - - UnberÜHrt Ereichen 488-SBC846BDW1T1G-M01 Ear99 8541.21.0095 1 65 V 100 ma 15NA (ICBO) 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V
FJA3835TU onsemi FJA3835TU - - -
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 FJA3835 80 w To-3p Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 30 120 v 8 a 100 µA (ICBO) Npn 500mv @ 300 mA, 3a 120 @ 3a, 4V 30 MHz
ULS2075H-883 Allegro MicroSystems ULS2075H-883 19.9200
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Allegro Microsystems - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) K. Loch 16-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) ULS2075 2.2W 16-Cerdip Herunterladen Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 50V 1,5a 500 ähm 4 PNP Darlington (Quad) 1,75 V @ 2MA, 1,25a - - - - - -
2C5672-MSCL Microchip Technology 2C5672-MSCL 172.3800
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C5672-MSCL 1
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN2114 150 MW VESM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 1 Kohms 10 Kohms
PDTC123ET,215 NXP USA Inc. PDTC123ET, 215 0,0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTC123 250 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.21.0095 15.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 20 Ma, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
D40D3 Harris Corporation D40D3 - - -
RFQ
 ECAD 8028 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-202 Long Tab 1,67 w To-202ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1 1 a 100na Npn - - - - - -
KSC2669OBU Fairchild Semiconductor KSC2669OBU 0,0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper 200 MW To-92s Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 10.000 30 v 30 ma 100NA (ICBO) Npn 400mv @ 1ma, 10 mA 70 @ 2MA, 12V 250 MHz
NTE128P NTE Electronics, Inc NTE128p 3.1900
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 NTE Electronics, Inc - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-237aa 850 MW To-237 Herunterladen Rohs Nick Konform 2368-NTE128P Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn - - - 100 @ 350 mA, 2 V. 50 MHz
DTC123JE3TL Rohm Semiconductor DTC123JE3TL 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor Dta143z Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 DTC123 150 MW Emt3 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VORGEPANNT + DIODE 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
DTB723YETL Rohm Semiconductor DTB723YETL 0,1049
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 DTB723 150 MW Emt3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 200 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 140 @ 100 mA, 2V 260 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Exposed Pad

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