Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FZT953TA-79 | - - - | ![]() | 2987 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-FZT953TA-79TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | BLF888D112 | 250.9600 | ![]() | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA2031 | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-2SA2031-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||
PDTC124et, 215 | 0,1700 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC124 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||
![]() | MMBTA56-AU_R1_000A1 | 0,2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA56 | 225 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MMBTA56-AU_R1_000A1TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||
Jankcd2N2907a | - - - | ![]() | 9721 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcd2N2907a | 100 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||
![]() | KSA916YTA | 0,4900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | KSA916 | 900 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 120 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | ||||||
BC846A, 235 | 0,1400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC846X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | PDTC123JQA147 | 0,0300 | ![]() | 143 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC123 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | ||||||||||||||||||
![]() | BFP540H6327XTSA1 | 0,6400 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFP540 | 250 MW | Pg-sot343-3d | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 16 dB | 5v | 80 Ma | Npn | 50 @ 20 mA, 3,5 V. | 30 GHz | 0,9 dB ~ 1,4 dB bei 1,8 GHz | ||||||
![]() | BCM857DS, 115 | 0,5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | BCM857 | 380 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) Matchieres Paar | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 175MHz | ||||||
![]() | NSVMUN5332DW1T1G | 0,4100 | ![]() | 8049 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSVMUN5332 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 15 @ 5ma, 10V | - - - | 4.7kohm | 4.7kohm | |||||
![]() | PMP4501y, 115 | - - - | ![]() | 9797 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMP4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | BC549B | 0,0241 | ![]() | 2923 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2796-BC549BTR | 8541.21.0000 | 4.000 | 30 v | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | RN1131MFV (TL3, T) | 0,2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RN1131 | 150 MW | VESM | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 100 Kohms | ||||||||
![]() | FJAF6808DTU | - - - | ![]() | 9283 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | FJAF6808 | 50 w | To-3Pf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 750 V | 8 a | 1ma | Npn | 5v @ 1,2a, 5a | 4,5 @ 5a, 5V | - - - | |||||||
![]() | NSCT3904LT1G | - - - | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSCT39 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||
![]() | BCP53-16T, 115 | 0,0500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 6.099 | ||||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N3637L | 11.9700 | ![]() | 5636 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3637 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||
![]() | BF721T1 | - - - | ![]() | 2512 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BF721 | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300 V | 50 ma | 10NA (ICBO) | PNP | 800mv @ 5ma, 30 mA | 50 @ 25ma, 20V | 60 MHz | ||||||
![]() | 2N2480 | 35.6700 | ![]() | 4142 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2n248 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N2480 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | TIP29F-S | - - - | ![]() | 8950 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | TIP29 | 2 w | To-220 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 160 v | 1 a | 300 µA | Npn | 700 MV @ 125 Ma, 1a | 40 @ 200 Ma, 4V | - - - | |||||||
Fmmt493w | - - - | ![]() | 4652 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 500 MW | SOT-23 (Typ DN) | - - - | 31-FMMT493W | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 100 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 250 mA, 10 V | 150 MHz | ||||||||||
![]() | 2N5631 | 74.1300 | ![]() | 6430 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | 200 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5631 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 16 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||
![]() | 2SD1619T-TD-e-sy | 0,1100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||
![]() | PEMB20,115 | - - - | ![]() | 4834 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Pemb20 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.700 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | - - - | 2.2ko | 2.2ko | ||||||||
![]() | PN4258 | - - - | ![]() | 4045 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN425 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 12 v | 200 ma | 10na | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 30 @ 10ma, 3v | 700 MHz | |||||||
![]() | BCR 179f E6327 | - - - | ![]() | 6069 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-723 | BCR 179 | 250 MW | PG-TSFP-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 Kohms | |||||||
![]() | 2SB1204T-TL-E | 0,9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SB1204 | 1 w | Tp-fa | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | 50 v | 8 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 4a | 200 @ 500 Ma, 2V | 130 MHz | ||||||
![]() | UP04312G0L | - - - | ![]() | 2941 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Up0431 | 125 MW | Ssmini6-f2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 150 MHz, 80 MHz | 22kohm | 22kohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus