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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SA1743-Az | 1.7100 |  | 22 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
 | DXTA42-13 | 0,3900 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DXTA42 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | ||||||
 | 2N3416_D26Z | - - - | | 6389 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N341 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 3ma, 50 mA | 75 @ 2MA, 4,5 V. | - - - | |||||||
 | MJD41C-QJ | 0,6500 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD41 | 1,6 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 10 a | 1 µA | Npn | 1,5 V @ 600 Ma, 6a | 30 @ 300 um, 4 V. | 3MHz | ||||||
 | BC817-25-AQ | 0,0287 | | 6 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 310 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-BC817-25-Aqtr | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
 | BDW83C | - - - | | 6241 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-218-3 | 130 w | To-218 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BDW83CCS | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 15 a | - - - | Npn | - - - | 750 @ 6a, 3v | - - - | ||||||
| UPD8831BCT-FAB-A | 34.1300 | | 27 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
 | UNR921CG0L | - - - | | 6912 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR921 | 125 MW | Ssmini3-f3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 47 Kohms | ||||||||
 | DDTB122LC-7 | - - - | | 5773 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTB122 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 10 Kohms | |||||
| MS2392 | - - - | | 1173 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
| UNR91A3G0L | - - - | | 3922 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR91A | 125 MW | Ssmini3-f3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||
 | 2pc4617r, 115 | - - - | | 9396 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2pc46 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 1ma, 6v | 100 MHz | ||||||
 | PBSS4360XX | 0,4700 | | 810 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | To-243aa | PBSS4360 | 1,35 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 3 a | 100na | Npn | 400mV @ 3a, 300 mA | 75 @ 3a, 5v | 75 MHz | ||||||
 | PBHV9050Z, 115 | 0,5600 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | PBHV9050 | 700 MW | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 500 V | 250 Ma | 100na | PNP | 350 MV @ 20 mA, 100 mA | 80 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | ||||||
 | ZXTN04120HFFTA | 0,5700 | | 33 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | ZXTN04120 | 1,5 w | SOT-23F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 120 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 5ma, 2a | 3000 @ 1a, 5V | 120 MHz | ||||||
 | BCX55H6327XTSA1 | 0,1920 | | 8172 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX55 | 2 w | Pg-sot89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | ||||||
 | MX0912B351Y | 243.3800 | | 29 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-439A | 960W | CDFM2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 8db | 20V | 21a | Npn | - - - | 1,215 GHz | - - - | |||||||
 | TIP100-BP | - - - | | 3005 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP100 | 80 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 60 v | 8 a | 50 µA | NPN - Darlington | 2,5 V @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 3a, 4V | - - - | ||||||
 | MCH3145-TL-E | 0,4400 | | 988 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MCH3145 | 800 MW | 3-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 330 MV @ 50 Ma, 1a | 200 @ 100 Ma, 2V | 420 MHz | ||||||
 | RN46A1 (TE85L, F) | - - - | | 2335 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | RN46A1 | 300 MW | Sm6 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10 mA, 5 V / 50 @ 10 mA, 5V | 200 MHz, 250 MHz | 22kohms, 10kohms | 22kohms, 10kohms | |||||||
 | DTC143BEBTL | 0,2700 | | 20 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC143 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||
 | 2SD1692-Az | 0,7200 | | 495 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 495 | |||||||||||||||||||
| 2N4123TFR | - - - | | 8811 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4123 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 2MA, 1V | 250 MHz | |||||||
 | PDTA143XU, 115 | 0,1900 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTA143 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||
 | SG2003J-Jan | - - - | | 2152 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 16-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | SG2003 | - - - | 16-cdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 50V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350 mA, 2V | - - - | ||||||
 | 2SC2229-O (MITIF, M) | - - - | | 1047 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SC2229 | 800 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 70 @ 10ma, 5V | 120 MHz | ||||||||
 | NSVMUN5237T1G | 0,3400 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | NSVMUN5237 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250mv @ 5ma, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||
| Fmmt494qtc | 0,4200 | | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 120 v | 1 a | 100na | Npn | 300 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 250 mA, 10 V | 100 MHz | |||||||
| MAPL-000817-012CPC | - - - | | 6163 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | KSC1008GBU | 0,0200 | | 3480 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 11.270 | 60 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 200 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz |
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