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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N3702 | 0,0700 |  | 20 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 5 mA, 50 mA | 60 @ 50 Ma, 5V | 100 MHz | |||||||||
 | MSR2N3439 | - - - | | 4579 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSR2N3439 | 100 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | ||||||||||
 | KSC2690AOS | - - - | | 4365 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSC2690 | 1,2 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 160 v | 1.2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 700mv @ 200 Ma, 1a | 100 @ 300 mA, 5V | 155 MHz | |||||||
 | BC373RL1 | - - - | | 9724 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC373 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,1 V @ 250 ähm 250 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 200 MHz | ||||||
 | MPSA93 | - - - | | 9652 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPSA93 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 200 v | 500 mA | 250na (ICBO) | PNP | 400mv @ 2MA, 20 mA | 25 @ 30 Ma, 10V | 50 MHz | ||||||
| 2SD13020RA | - - - | | 4586 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2SD1302 | 600 MW | To-92-b1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 20 mA, 500 mA | 200 @ 500 Ma, 2V | 200 MHz | ||||||||
 | BC817-40W | 0,1500 | | 9352 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
 | ZXTC4591AMCTA | 0,3190 | | 6886 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | ZXTC4591 | 1,5W | W-DFN3020-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 40V | 2a, 1,5a | 100na | NPN, PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 500 mA, 5 V / 300 @ 100 mA, 5 V. | 150 MHz | ||||||
 | SMBT3904SE6327HTSA1 | - - - | | 8418 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | SMBT 3904 | 330 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||
 | 2N6107G | - - - | | 3357 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2N6107 | 40 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2N6107GOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 70 V | 7 a | 1ma | PNP | 3,5 V @ 3a, 7a | 30 @ 2a, 4V | 10 MHz | |||||
| Ztx415stz | 6.5536 | | 5133 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX415 | 680 MW | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 100 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn - avalanche -modus | 500mv @ 1ma, 10 mA | 25 @ 10ma, 10V | 40 MHz | ||||||
 | Jan2N3867U4 | 145.2360 | | 7451 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 40 @ 1,5a, 2V | - - - | ||||||||
 | 2SD1815-S-TP | - - - | | 5872 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1815 | 1 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mV @ 150 mA, 1,5a | 140 @ 500 mA, 5V | 180 MHz | |||||||
| 2SB824S | - - - | | 5983 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SB824S-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||
| JantX2N3506Al | 14.1113 | | 7198 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/349 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3506 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | - - - | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 40 @ 1,5a, 2V | - - - | ||||||
 | BFP183WE6327BTSA1 | - - - | | 9914 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFP183 | 450 MW | Pg-sot343-3d | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 22 dB | 12V | 65 Ma | Npn | 70 @ 15ma, 8v | 8GHz | 0,9 db ~ 1,4 db bei 900 MHz ~ 1,8 GHz | |||||||
 | 2SCR572D3TL1 | 0,8500 | | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SCR572 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 30 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 500 Ma, 3V | 300 MHz | ||||||
| Dtc114t | 0,0200 | | 65 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | DTC114 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
| ICA30V01X1SA1 | - - - | | 4275 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000906842 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MC1413DG | - - - | | 6378 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | MC1413D | - - - | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 48 | 50V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350 mA, 2V | - - - | ||||||
| KSE13003H2AS | - - - | | 8830 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSE13003 | 20 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 400 V | 1,5 a | - - - | Npn | 3v @ 500 mA, 1,5a | 14 @ 500 mA, 2V | 4MHz | |||||||
| Dta124eet1g | - - - | | 3715 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-DTA124EET1G-2156 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BC214L_L34Z | - - - | | 8626 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC214 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 500 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100 mA | 140 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||||
 | BCR166E6327HTSA1 | 0,0517 | | 4858 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR166 | 200 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 160 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||
| BC550B A1 | - - - | | 6216 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC550BA1TB | Veraltet | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||
 | BC817K-16-TP | 0,0315 | | 9980 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 500 MW | SOT-23 | Herunterladen | 353-BC817K-16-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||
| PN3645 | - - - | | 2883 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN364 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | PN3645-NDR | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 60 v | 800 mA | 35na | PNP | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||
 | NTE266 | 7.6400 | | 56 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-202 Long Tab | 1,33 w | To-202 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE266 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 500 µA, 500 mA | 40000 @ 200 Ma, 5V | 75 MHz | ||||||||
 | ZDT1049TC | - - - | | 3468 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT1049 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 5a | 10na | 2 NPN (Dual) | 220 MV @ 50 Ma, 4a | 300 @ 1a, 2v | 180 MHz | |||||||
 | QS5Y1TR | 0,7400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QS5Y1 | 1.25W | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30V | 3a | 1 µA (ICBO) | NPN, PNP (Emitter Gekoppelt) | 400mv @ 50 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 2V | 300 MHz, 270 MHz |
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