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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DDTB142JC-7-F | - - - | ![]() | 9376 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTB142 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 470 Ohm | 10 Kohms | ||||||
![]() | Pdtd143xux | 0,0680 | ![]() | 4434 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTD143 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068345115 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 225 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | NCV1413BDR2G | 0,7700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | NCV1413 | - - - | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 50V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350 mA, 2V | - - - | ||||||
![]() | DTA123JU3T106 | 0,2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||
JANSR2N2222A | 100.9002 | ![]() | 4971 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N2222 | 500 MW | To-18 (to-206aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | BCR141WH6327XTSA1 | - - - | ![]() | 1575 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BCR141 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 5ma, 5V | 130 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||
![]() | BCX52TF | 0,4000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX52 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | - - - | ||||||
BCW29,215 | 0,2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW29 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 150 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 120 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2pb709as, 115 | - - - | ![]() | 5760 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pb70 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 15.000 | 45 V | 100 ma | 10NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 290 @ 2MA, 10V | 80MHz | ||||||
![]() | PDTA123YK, 115 | - - - | ![]() | 6589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA123 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | Tta1713-gr, lf | 0,3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TTA1713 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 Ma, 1V | 80MHz | |||||||
![]() | Jan2N6211 | - - - | ![]() | 9265 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/461 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 3 w | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 225 v | 2 a | 5ma | PNP | 1,4 V @ 125 Ma, 1a | 30 @ 1a, 5V | - - - | |||||||
![]() | MPS3638AG | - - - | ![]() | 7916 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS363 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MPS3638Agos | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 25 v | 500 mA | 35na | PNP | 1v @ 30 mA, 300 mA | 20 @ 300 mA, 2 V | 150 MHz | ||||||
![]() | ZXTP19100CZTA | 0,7400 | ![]() | 3561 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXTP19100 | 2,4 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 2 a | 50na (ICBO) | PNP | 295mv @ 200 Ma, 2a | 200 @ 100 Ma, 2V | 142MHz | ||||||
![]() | MJD42C1 | - - - | ![]() | 3086 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MJD42 | 1,75 w | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 100 v | 6 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 600 Ma, 6a | 15 @ 3a, 4V | 3MHz | ||||||
![]() | PDTA143ZM, 315 | 0,3000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA143 | 250 MW | SOT-883 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||
Jan2N5151 | 13.6192 | ![]() | 8653 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N5151 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||
![]() | MS1076 | - - - | ![]() | 1827 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | M174 | 320W | M174 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 12 dB | 35 V | 16a | Npn | 15 @ 7a, 5v | 30 MHz | - - - | ||||||||
![]() | JantX2N2222AUA | 22.2110 | ![]() | 1127 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd | 2N2222 | 650 MW | 4-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||
![]() | NSS40600CF8T1G | 1.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | NSS40600 | 830 MW | Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 6 a | 10 µA | PNP | 220 MV @ 400 Ma, 4a | 220 @ 1a, 2v | 100 MHz | ||||||
![]() | 2SD1991ara | - - - | ![]() | 5841 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SD1991 | 400 MW | MT-1-A1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 210 @ 2MA, 10V | 150 MHz | ||||||||
![]() | Ztx450stoa | - - - | ![]() | 9267 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX450 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 150 MHz | |||||||
![]() | ZXTDBM832TA | - - - | ![]() | 1485 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTDBM832 | 1.7W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 20V | 4,5a | 25na | 2 NPN (Dual) | 270 MV @ 125 Ma, 4,5a | 200 @ 2a, 2v | 140 MHz | ||||||
![]() | 2N1711 | - - - | ![]() | 3007 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2n17 | 800 MW | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 50 v | 500 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 15ma, 150 mA | 35 @ 100 mA, 10 V. | 100 MHz | ||||||
![]() | CMPTH81 Tr | - - - | ![]() | 8437 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | 20V | 50 ma | PNP | 60 @ 5ma, 10V | 600 MHz | - - - | ||||||||
![]() | MPSA14_D74Z | - - - | ![]() | 1343 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA14 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | |||||||
![]() | Jantxv2N5796a | 138.7610 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/496 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N5796 | 600 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
2n2480a | - - - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N2480 | 600 MW | To-78-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 500 mA | 20na (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 1,2 V @ 5 mA, 50 mA | 50 @ 1ma, 5v | 50 MHz | |||||||
![]() | PN3565_D75Z | - - - | ![]() | 2610 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN356 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 25 v | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 350 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 10V | - - - | |||||||
![]() | BCM53DS | - - - | ![]() | 9826 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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