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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BCR169SH6327XTSA1 | - - - | ![]() | 4267 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR169 | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 4.7kohm | - - - | |||||
![]() | Ztx576stoa | - - - | ![]() | 5583 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX576 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 200 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 300 mA, 10V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2SA2180 | 0,2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Sanyo | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2 w | To-220ml | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 v | 5 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 500 MV @ 125 Ma, 2,5a | 200 @ 125 Ma, 2V | 130 MHz | |||||||
![]() | Jantxv2N6690 | - - - | ![]() | 4075 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/537 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 3 w | To-61 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 100 µA | 100 µA | Npn | 5v @ 5a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - - - | ||||||||
![]() | 2SC584800A | - - - | ![]() | 9634 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | 2SC5848 | 100 MW | ML3-N2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 100 µA | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 180 @ 2MA, 10V | 100 MHz | ||||||||
![]() | MZ0912B50Y | 331.2500 | ![]() | 156 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-443a | 150W | SOT443A | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 8db | 20V | 3a | Npn | - - - | 1,215 GHz | - - - | |||||||
![]() | 2N930UB/Tr | 22.8600 | ![]() | 3771 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | UB | - - - | 100 | 45 V | 30 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
![]() | PN3566_D26Z | - - - | ![]() | 6291 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN356 | 625 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 30 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 1v @ 10 mA, 100 mA | 150 @ 10 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | EMD2T2R | 0,3900 | ![]() | 5321 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMD2T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||
![]() | Jan2N1716 | - - - | ![]() | 4976 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 750 Ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||
![]() | BC848AW | 0,0357 | ![]() | 4512 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC848AWTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
Ddta114gua-7-f | 0,0435 | ![]() | 5646 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||
![]() | MMSTA28T146 | 0,4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMSTA28 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 300 ma | 500NA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 200 MHz | ||||||
![]() | FJAF6920ATU | - - - | ![]() | 1441 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | FJAF6920 | 60 w | To-3Pf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 800 V | 20 a | 1ma | Npn | 3v @ 2.75a, 11a | 5.5 @ 11a, 5V | - - - | |||||||
![]() | 90024-04TX | - - - | ![]() | 2759 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-90024-04TX | 50 | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
![]() | PBRN123EK, 115 | - - - | ![]() | 2731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pbrn123 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 1,15 V @ 8ma, 800 mA | 280 @ 300 mA, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||
![]() | BFP620H7764XTSA1 | 0,7200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFP620 | 185 MW | Pg-sot343-3d | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21.5db | 2,8 v | 80 Ma | Npn | 110 @ 50 Ma, 1,5 V. | 65 GHz | 0,7 db ~ 1,3 db bei 1,8 GHz ~ 6 GHz | ||||||
![]() | Dta143eca | 0,0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta143 | 200 MW | SOT-23 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-dta143ecatr | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||
![]() | KSE2955T | - - - | ![]() | 5328 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 600 MW | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 895 | 60 v | 10 a | 700 ähm | PNP | 8v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | |||||||||
![]() | DDTC144VE-7-F | 0,0605 | ![]() | 3664 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddtc (r1 r2 -serie) e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDTC144VE-FDITR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | BD434S | 0,3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 36 w | To-126-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 972 | 22 v | 4 a | 100 µA | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 10ma, 5V | 3MHz | ||||||||||
![]() | 2SA2215, lf | 0,5000 | ![]() | 4593 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | 2SA2215 | 500 MW | UFM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20 v | 2,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 190mv @ 53 Ma, 1,6a | 200 @ 500 Ma, 2V | - - - | |||||||
![]() | Jan2N6691 | - - - | ![]() | 6075 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/538 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 3 w | To-61 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 15 a | 1ma (ICBO) | Npn | 1v @ 3a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - - - | ||||||||
![]() | SMMBTA06LT3G | 0,4000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SMMBTA06 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||
![]() | 2SC4632LS | - - - | ![]() | 2146 | 0.00000000 | Sanyo | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2 w | To-220fi (ls) | - - - | 2156-2SC4632LS | 1 | 1200 V | 10 ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 5 V @ 200 µA, 1 Ma | 10 @ 500 µA, 5 V | 6MHz | |||||||||||
![]() | Sbc846alt1g | 0,3100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SBC846 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
BC847A, 215 | 0,1400 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2N5400_D27Z | - - - | ![]() | 6685 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2n5400 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 120 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 40 @ 10ma, 5V | 400 MHz | |||||||
![]() | XNSV12200LT1G | - - - | ![]() | 3621 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Xnsv12200 | - - - | 488-XNSV12200LT1G | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||
BC817K-16VL | 0,0342 | ![]() | 1642 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934660054235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus