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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | XN0550100L | - - - |  | 7417 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | Xn0550 | 300 MW | Mini6-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100 µA | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 160 @ 2MA, 10V | 150 MHz | ||||||||
 | Ksp26ta | - - - | | 4072 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSP26 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | - - - | |||||||
 | 2SB09480p | - - - | | 5537 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SB094 | 2 w | To-220f-a1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | 20 v | 10 a | 50 µA (ICBO) | PNP | 600mv @ 330 Ma, 10a | 130 @ 3a, 2v | 100 MHz | ||||||||
 | BDX34C | - - - | | 9107 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BDX34 | 70 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 10 a | 500 ähm | PNP - Darlington | 2,5 V @ 6ma, 3a | 750 @ 3a, 3v | - - - | ||||||
 | DTA123TCAT116 | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | ||||||
 | 2N2925 pbfree | 0,8700 | | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 25 v | 100NA (ICBO) | Npn | - - - | - - - | 160 MHz | |||||||||
 | PDTA114TU, 115 | 0,0200 | | 305 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | MJE182stu | - - - | | 1949 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE182 | 1,5 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2166-MJE182STU-488 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.920 | 80 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1,7 V @ 600 Ma, 3a | 50 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||
 | FZT855QTC | 0,8900 | | 8057 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT855 | 1,6 w | SOT-223 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 150 v | 5 a | 50na | Npn | 355mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 1a, 5V | 90 MHz | |||||||
 | AT-32011-TR2G | - - - | | 8817 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | AT-32011 | 200 MW | SOT-143 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 12,5 dB ~ 14 dB | 5,5 v | 32 ma | Npn | 70 @ 2MA, 2,7 V. | - - - | 1 dB ~ 1,3 dB @ 900MHz | |||||||
 | Jan2n6988 | 41.8684 | | 4640 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/558 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 14-Flatpack | 2N6988 | 400 MW | 14-Flatpack | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 4 PNP (Quad) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||
 | NTE51 | 3.9700 | | 88 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE51 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 4 a | 1ma | Npn | 1v @ 1a, 4a | 10 @ 1a, 5V | 4MHz | ||||||||
 | BCW68HTA | 0,4300 | | 16 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW68 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 800 mA | 20na | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||
 | 2SCR542F3TR | 0,6800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 2SCR542 | 1 w | Huml2020l3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 50 Ma, 1a | 200 @ 500 Ma, 2V | 250 MHz | ||||||
 | BD250A-S | - - - | | 1794 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-218-3 | BD250 | 3 w | SOT-93 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 300 | 60 v | 25 a | 1ma | PNP | 4v @ 5a, 25a | 10 @ 15a, 4V | - - - | |||||||
 | BC183 | - - - | | 4093 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC183 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 40 @ 10 µA, 5 V | 150 MHz | |||||||
 | 2pc4617qmb, 315 | 0,0400 | | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 100 MHz | ||||||||||
 | 2DC4617R-7-F | 0,2100 | | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | 2DC4617 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||
 | MMBTA05LT3 | - - - | | 4187 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA05 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 60 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||
 | DTA024XUBTL | 0,0488 | | 6589 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta024x | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA024 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||
 | 2SB1412-P-TP | - - - | | 1608 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SB1412 | 1 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 5 a | 500NA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 4a | 82 @ 500 mA, 2V | 120 MHz | |||||||
| ZTX751 | 0,8600 | | 6965 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX751 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 140 MHz | ||||||
 | KSD288OTU | - - - | | 1737 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSD288 | 25 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 55 v | 3 a | 50 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 1a | 70 @ 500 mA, 5V | - - - | |||||||
 | DTA024XEBTL | 0,2300 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA024 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||
 | MJW18020G | 9.1300 | | 6633 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MJW18020 | 250 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 450 V | 30 a | 100 µA | Npn | 1,5 V @ 4a, 20a | 14 @ 3a, 5v | 13MHz | ||||||
| 2N2221AUA | 14.7763 | | 7150 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd | 2N2221 | 650 MW | 4-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||
 | BSP32,115 | - - - | | 5232 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BSP32 | 1,3 w | SOT-223 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 100 Ma, 5V | 100 MHz | ||||||||||
 | 2SA1708T-AN-FS | 0,2000 | | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SA1708 | 1 w | 3-nmp | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 100NA (ICBO) | 600mv @ 40 mA, 400 mA | 200 @ 100ma, 10V | 120 MHz | |||||||||
 | 2N4877 | 16.5150 | | 3260 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 10 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4877 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 4 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||
| ICA37V01X1SA1 | - - - | | 6347 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001346206 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 |
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