SIC
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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Gewinnen Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
PBSS4041PT,215 NXP USA Inc. PBSS4041pt, 215 - - -
RFQ
 ECAD 6284 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PBSS4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000
BUJ100LR,412 WeEn Semiconductors BUJ100LR, 412 0,0626
RFQ
 ECAD 9203 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) BUJ100 2.1 w To-92-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 400 V 1 a 1ma Npn 1,5 V @ 250 mA, 750 mA 10 @ 400 mA, 5V - - -
BC338-16 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16 A1 - - -
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 1801-BC338-16A1TB Veraltet 1 25 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 100 MHz
NTE272 NTE Electronics, Inc NTE272 32.7600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 NTE Electronics, Inc - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-202 Long Tab 1 w To-202n Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2368-NTE272 Ear99 8541.29.0095 1 40 v 2 a 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 2MA, 1a 25000 @ 200 Ma, 5V - - -
MMDT4401Q-7-F Diodes Incorporated Mmdt4401q-7-f 0,0616
RFQ
 ECAD 3103 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mmdt4401 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 600 mA 100na 2 NPN (Dual) 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 1V 250 MHz
BUK762R6-40E/GFJ NXP USA Inc. BUK762R6-40E/GFJ - - -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 NXP USA Inc. * Band & Rollen (TR) Veraltet BUK76 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 800
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10fute85LF 0,5600
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 ECAD 101 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN3C10 200 MW US6 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 11.5db 12V 80 Ma 2 NPN (Dual) 80 @ 20 Ma, 10V 7GHz 1.1db @ 1ghz
PEMB14,115 Nexperia USA Inc. PEMB14,115 - - -
RFQ
 ECAD 8794 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 PEMB14 300 MW SOT-666 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 1 µA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 150 mV @ 500 µA, 10 mA 100 @ 1ma, 5V - - - 47kohm - - -
JANTX2N2944A Microsemi Corporation JantX2N2944a - - -
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 ECAD 4202 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/382 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 400 MW To-46 (to-206ab) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 10 v 100 ma 10 µA (ICBO) PNP - - - 100 @ 1ma, 500mV - - -
BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies BFR193L3E6327XTMA1 0,5800
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 ECAD 3992 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 BFR193 580 MW PG-TSLP-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 15.000 12.5db ~ 19db 12V 80 Ma Npn 70 @ 30ma, 8v 8GHz 1 db ~ 1,6 db bei 900 MHz ~ 1,8 GHz
DTA143TE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA143TE3HZGTL 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 Dta143 150 MW Emt3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 846-DTA143TE3HZgtltr Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
BD680A STMicroelectronics BD680A - - -
RFQ
 ECAD 3802 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 BD680 40 w SOT-32-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 500 ähm PNP - Darlington 2,8 V @ 40 Ma, 2a 750 @ 2a, 3v - - -
BC817-40W/ZLX Nexperia USA Inc. BC817-40W/ZLX - - -
RFQ
 ECAD 6569 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC817 SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
KSP24TA Fairchild Semiconductor KSP24TA 0,0200
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 135 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 350 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.407 30 v 100 ma 50na (ICBO) Npn - - - 30 @ 8ma, 10V 620 MHz
SN75468NSR Texas Instruments SN75468NSR 1.8100
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 Texas Instrumente Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 16-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) 75468 - - - 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 100V 500 mA - - - 7 NPN Darlington 1,6 V @ 500 µA, 350 mA - - - - - -
CJD50 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CJD50 TR13 PBFREE - - -
RFQ
 ECAD 7076 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 CJD50 1,56 w Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 400 V 1 a 200 µA Npn 1v @ 200 Ma, 1a 30 @ 300 mA, 10V 10 MHz
XN0250100L Panasonic Electronic Components XN0250100L - - -
RFQ
 ECAD 3241 0.00000000 Panasonische Elektronische Komponenten - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 Xn0250 300 MW Mini5-G1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 100 µA 2 NPN (Dual) 300mv @ 10 mA, 100 mA 160 @ 2MA, 10V 150 MHz
DDTC123YCA-7-F Diodes Incorporated DDTC123YCA-7-F 0,2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC123 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10ma, 5v 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
JANTX2N3725 Microchip Technology JantX2N3725 - - -
RFQ
 ECAD 4069 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 50 v 500 mA - - - Npn - - - - - - - - -
BCP69-16/DG,115 NXP USA Inc. BCP69-16/DG, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP69 SC-73 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
BC857AW,115 NXP Semiconductors BC857AW, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 279 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BC857AW, 115-954 0000.00.0000 1 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100 mA 125 @ 2MA, 5V 100 MHz
KSD568RTU onsemi KSD568Rtu - - -
RFQ
 ECAD 6318 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 KSD568 1,5 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 60 v 7 a 10 µA (ICBO) Npn 500mv @ 500 mA, 5a 40 @ 3a, 1V - - -
KSC5402DTTU Fairchild Semiconductor KSC5402DTTU 0,4700
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 50 w To-220-3 Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-kSC5402DTTU-600039 1 450 V 2 a 100 µA Npn 750 MV @ 200ma, 1a 6 @ 1a, 1V 11 MHz
BD744-S Bourns Inc. BD744-S - - -
RFQ
 ECAD 5162 0.00000000 Bourns Inc. - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BD744 2 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 15.000 45 V 15 a 100 µA PNP 3v @ 5a, 15a 20 @ 5a, 4V - - -
JANS2N2907AUA Microchip Technology JANS2N2907AUA 133.0802
RFQ
 ECAD 4296 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2907 500 MW Ua Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 2266-Jans2N2907AUA Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 1ma, 10V - - -
MJD117TF-FS Fairchild Semiconductor MJD117TF-FS - - -
RFQ
 ECAD 6953 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 1,75 w D-Pak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 1 100 v 2 a 20 µA PNP - Darlington 3v @ 40 mA, 4a 1000 @ 2a, 3v 25 MHz
PBHV8140Z-QX Nexperia USA Inc. PBHV8140Z-QX 0,2283
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 730 MW SOT-223 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1727-PBHV8140Z-QXTR Ear99 8541.21.0095 1.000 400 V 1 a 100na Npn 250mv @ 200 Ma, 1a 100 @ 50 Ma, 10 V 25 MHz
BCP56TX Nexperia USA Inc. BCP56TX 0,4900
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP56 1,8 w SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 100 MHz
PDTC144TM,315 Nexperia USA Inc. PDTC144TM, 315 0,0396
RFQ
 ECAD 2784 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTC144 250 MW SOT-883 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 47 Kohms
2SC5198-O(S1,E Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5198-O (S1, e - - -
RFQ
 ECAD 4257 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 2SC5198 100 w To-3p (n) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2SC5198-O (S1E Ear99 8541.29.0075 25 140 v 10 a 5 µA (ICBO) Npn 2v @ 700 mA, 7a 55 @ 1a, 5v 30 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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