SIC
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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Gewinnen Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
DMC904010R Panasonic Electronic Components DMC904010R - - -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Panasonische Elektronische Komponenten - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMC90401 125 MW Ssmini6-f3-b - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 8.000 50V 100 ma 100 µA 2 NPN (Dual) 300mv @ 10 mA, 100 mA 210 @ 2MA, 10V 150 MHz
DTD143ESTP Rohm Semiconductor DTD143ESTP - - -
RFQ
 ECAD 4676 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch SC-72 Foreded Leads DTD143 300 MW Spt - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 846-DTD143ESTPTR 5.000 50 v 500 mA 500NA NPN - VoreInenememen + Diode 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 47 @ 50 Ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
JANS2N5154U3 Microchip Technology JANS2N5154U3 202.2102
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U3 - - - UnberÜHrt Ereichen 2266-Jans2N5154U3 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
2SB12990P Panasonic Electronic Components 2SB12990p - - -
RFQ
 ECAD 6694 0.00000000 Panasonische Elektronische Komponenten - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SB129 2 w To-220f-a1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 100 60 v 3 a 100 µA PNP 1v @ 50 Ma, 2a 400 @ 500 mA, 4V 30 MHz
PBSS5350SS,115 Nexperia USA Inc. PBSS5350SS, 115 - - -
RFQ
 ECAD 2144 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) PBSS5350 750 MW 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.000 50V 2.7a 100na 2 PNP (Dual) 370mv @ 270 mA, 2,7a 180 @ 1a, 2v - - -
2N2369AUBC/TR Microchip Technology 2N2369AUBC/Tr 34.6800
RFQ
 ECAD 5735 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 360 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N2369AUBC/Tr Ear99 8541.21.0095 100 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
SS9015-DBU Fairchild Semiconductor SS9015-DBU 0,0200
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 450 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 9.900 45 V 100 ma 50na (ICBO) PNP 700 mv @ 5ma, 100 mA 400 @ 1ma, 5v 190 MHz
2SD571(1)-T(ND)-AZ Renesas 2SD571 (1) -T (ND) -AZ - - -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SD571 (1) -T (ND) -AZ 1
2N5786 Harris Corporation 2N5786 20.8900
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 40 v 3.5 a 100 µA Npn 2v @ 800 mA, 3,2a 4 @ 3,2a, 2v 4MHz
PEMB17,115 Nexperia USA Inc. PEMB17,115 - - -
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 Pemb17 300 MW SOT-666 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 1 µA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 150 mV @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5ma, 5V - - - 47kohm 22kohm
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200 MW US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 2.2ko 47kohm
MPSA18RLRP onsemi MPSA18RLRP - - -
RFQ
 ECAD 6224 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MPSA18 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 200 ma 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5ma, 50 mA 500 @ 10ma, 5V 160 MHz
DCX144EK-7-F Diodes Incorporated DCX144EK-7-F - - -
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 DCX144 300 MW SC-74R Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 47kohm 47kohm
ZTX688B Diodes Incorporated Ztx688b - - -
RFQ
 ECAD 9134 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 Ztx688b 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 12 v 3 a 100NA (ICBO) Npn 350 MV @ 20 Ma, 3a 500 @ 100 mA, 2V 150 MHz
BFG541,115 NXP USA Inc. BFG541,115 - - -
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BFG54 650 MW SC-73 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 - - - 15 v 120 Ma Npn 60 @ 40 ma, 8v 9GHz 1,3 dB ~ 2,4 dB bei 900 MHz
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2968FE (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 8211 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN2968 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 22kohm 47kohm
MPS3563 onsemi MPS3563 - - -
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper MPS356 350 MW To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 5.000 12 v 50 ma 10NA (ICBO) Npn 20 @ 8ma, 10V 600 MHz
BC548TA onsemi BC548ta - - -
RFQ
 ECAD 7484 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC548 500 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 300 MHz
2N4923G onsemi 2N4923G 0,7400
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 2N4923 30 w To-126 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2N4923GOS Ear99 8541.29.0095 500 80 v 1 a 500 ähm Npn 600mv @ 100 mA, 1a 30 @ 500 mA, 1V 3MHz
JANTX2N3501UB Microchip Technology JantX2N3501UB 21.2534
RFQ
 ECAD 3573 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N3501 500 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
MMBTA13-TP Micro Commercial Co MMBTA13-TP 0,2000
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBTA13 225 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 300 ma 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 150 mA, 1V 125 MHz
BFR 193W E6327 Infineon Technologies BFR 193W E6327 - - -
RFQ
 ECAD 5008 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BFR 193 580 MW Pg-SOT323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 10,5 dB ~ 16 dB 12V 80 Ma Npn 70 @ 30ma, 8v 8GHz 1 db ~ 1,6 db bei 900 MHz ~ 1,8 GHz
KSC2757RMTF onsemi KSC2757RMTF - - -
RFQ
 ECAD 3657 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 KSC2757 150 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 - - - 15 v 50 ma Npn 60 @ 5ma, 10V 1,1 GHz - - -
PBSS4041PZ,115 Nexperia USA Inc. PBSS4041PZ, 115 0,8100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa PBSS4041 2,6 w SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 5.7 a 100na PNP 285mv @ 300 mA, 6a 200 @ 2a, 2v 110 MHz
2SC2881-Y-TP Micro Commercial Co 2SC2881-y-tp 0,1702
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2SC2881 500 MW SOT-89 Herunterladen 353-2SC2881-Y-TP Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
ZTX553STOB Diodes Incorporated Ztx553Stob - - -
RFQ
 ECAD 8854 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX553 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 100 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V 150 MHz
MPSA20_D27Z onsemi MPSA20_D27Z - - -
RFQ
 ECAD 1700 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads MPSA20 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) Npn 250 mV @ 1ma, 10 mA 40 @ 5ma, 10V 125 MHz
RN1104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1104CT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 1891 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN1104 50 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 10 Ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
KSA539CYTA onsemi KSA539CYTA - - -
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 Onsemi - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads KSA539 400 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 45 V 200 ma 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 15ma, 150 mA 120 @ 50 Ma, 1V - - -
UPD8831BCT-FAB-A Renesas Electronics America Inc UPD8831BCT-FAB-A 34.1300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.31.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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