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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NSS12100XV6T1G | 0,4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSS12100 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 12 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 440mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 2V | - - - | ||||||
![]() | KSC2330RTA | - - - | ![]() | 6353 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | KSC2330 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 300 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 40 @ 20 mA, 10V | 50 MHz | |||||||
![]() | SS9015BTA | - - - | ![]() | 4777 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | SS9015 | 450 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 50na (ICBO) | PNP | 700 mv @ 5ma, 100 mA | 100 @ 1ma, 5V | 190 MHz | |||||||
![]() | MMSTA55-7 | 0,4500 | ![]() | 498 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | BC817-40W/ZLX | - - - | ![]() | 6569 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | KSC1674OTA | - - - | ![]() | 6712 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSC1674 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | - - - | 20V | 20 ma | Npn | 70 @ 1ma, 6v | 600 MHz | 3db ~ 5 dB @ 100MHz | |||||||
![]() | BCX54-16,115 | 0,4700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX54 | 1,25 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||||
![]() | 2SB1689T106 | 0,5000 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SB1689 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 200mv @ 25ma, 500 mA | 270 @ 200 Ma, 2V | 400 MHz | ||||||
![]() | Ztx1147astob | - - - | ![]() | 5554 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | Ztx1147a | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 12 v | 4 a | 100na | PNP | 235mv @ 70 mA, 4a | 250 @ 500 mA, 2V | 115 MHz | |||||||
![]() | Jan2N3635L | 10.5868 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3635 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||
![]() | RN2906FE (TE85L, F) | 0,3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN2906 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 4.7kohm | 47kohm | ||||||
![]() | NE68118-T1-A | 2.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | 150 MW | SOT-343 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.31.0000 | 3.000 | 14db | 10V | 65 Ma | Npn | 50 @ 20 mA, 8v | 9GHz | 1,2 dB @ 1 GHz | |||||||
Jan2n656s | - - - | ![]() | 6090 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 200 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||
![]() | Jantxv2N3440UA | 189.7910 | ![]() | 4928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 800 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 2 µA | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||
![]() | DSCQ00100L | - - - | ![]() | 6879 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1123 | DSCQ001 | 100 MW | USSmini3-F1-B | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 100 µA | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 210 @ 2MA, 10V | 150 MHz | ||||||||
![]() | JANS2N3507AL | 70.3204 | ![]() | 1762 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/349 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N3507Al | 1 | 50 v | 3 a | 1 µA | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 35 @ 500 mA, 1V | - - - | ||||||||||
BC847C/DG/B3,235 | - - - | ![]() | 3060 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934066599235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | DXTN07100BP5-13 | 0,6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | DXTN07100 | 740 MW | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz | ||||||
![]() | BC558 | - - - | ![]() | 6824 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC558 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||
![]() | DTA123JET1G | 0,2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta123 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | 2N4033 | 0,9600 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-2N4033 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 a | - - - | PNP | 1v @ 100 mA, 1a | 75 @ 100 µA, 5V | - - - | ||||||||
2N4923 | - - - | ![]() | 1655 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2N4923 | 30 w | To-126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2N4923OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 v | 1 a | 500 ähm | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 30 @ 500 mA, 1V | 3MHz | ||||||
2SA10960R | - - - | ![]() | 9415 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2SA109 | 1,2 w | To-126b-a1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 50 v | 2 a | 100 µA | PNP | 1v @ 150 mA, 1,5a | 120 @ 1a, 5v | 150 MHz | ||||||||
![]() | 2SC2655-O-AP | - - - | ![]() | 4714 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2SC2655 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 50 Ma, 1a | 70 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2N5400_S00Z | - - - | ![]() | 2448 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2n5400 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 120 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 40 @ 10ma, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | FMMT4230-TP | 0,1224 | ![]() | 4597 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt4230 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-FMMT4230-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 320mv @ 200ma, 2a | 300 @ 1a, 2v | 100 MHz | ||||||
![]() | KSA642YBU | - - - | ![]() | 9090 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSA642 | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 25 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | - - - | |||||||
![]() | 2SD2098T100S | 0,2646 | ![]() | 8664 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD2098 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 4a | 270 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | ||||||
![]() | 2SC4617EBTLP | 0,0463 | ![]() | 4915 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | 2SC4617 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||
![]() | UNR41160RA | - - - | ![]() | 8248 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | K. Loch | 3-sip | UNR411 | 300 MW | NS-B1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 4.7 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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