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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FA4L4L-T1B-A | 0,0300 | ![]() | 348 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FA4L4L | 200 MW | SC-59 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-FA4L4L-T1B-A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 200 mv @ 250 ua, 5 mA | 90 @ 5MA, 5V | 47 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | FJN3310RBU | 1.0000 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | Fjn331 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||
![]() | DTC623TKT146 | 0,4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC623 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 600 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 820 @ 50 Ma, 5V | 150 MHz | 2.2 Kohms | |||
![]() | NSVMUN2212T1G | 0,2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVMUN2212 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | DTC044TMT2L | 0,0382 | ![]() | 8666 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC044T | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC044 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 60 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47 Kohms | |||
NHDTA143ZTVL | 0,2200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NHDTA143 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 80 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 10ma, 5V | 150 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | NTE2369 | 0,5800 | ![]() | 136 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | NTE23 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE2369 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||
![]() | RN2407, LXHF | 0,3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2407 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | DTA044TUBTL | 0,3000 | ![]() | 290 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA044 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 60 mA | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47 Kohms | |||
![]() | DRC2115G0L | - - - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DRC2115 | 200 MW | Mini3-g3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | |||||
![]() | DRC3144W0L | - - - | ![]() | 1399 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DRC3144 | 100 MW | SSSMINI3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||
![]() | NSVDTA143EM3T5G | 0,0813 | ![]() | 8990 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | NSVDTA143 | 260 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-NSVDTA143EM3T5GTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 15 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||
![]() | Mun5141t1g | 0,0271 | ![]() | 5695 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Mun5141 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | ||||
![]() | Dta143eet1g | 0,2100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta143 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 15 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||
![]() | RN2105ACT (TPL3) | 0,0527 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | RN2105 | 100 MW | CST3 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||
PDTB123YT/APGR | - - - | ![]() | 3122 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTB123 | 250 MW | To-236ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 1 | 50 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | RN1109, LF (CT | 0,2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN1109 | 100 MW | SSM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | BCR 135T E6327 | - - - | ![]() | 9142 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BCR 135 | 250 MW | PG-SC-75 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | DTD743ZMT2L | 0,1035 | ![]() | 4373 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTD743 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 30 v | 200 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | DDTC122LE-7-F | - - - | ![]() | 5931 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC122 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 56 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 10 Kohms | ||
![]() | PDTD114ET215 | 1.0000 | ![]() | 2804 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | DDTA114GCA-7 | 0,1000 | ![]() | 843 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA114 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | NSBC144WF3T5G | - - - | ![]() | 9732 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-1123 | NSBC144 | 254 MW | SOT-1123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250mv @ 5ma, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 22 Kohms | |||
DDTD133HC-7-F | 0,3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTD133 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 3.3 Kohms | 10 Kohms | |||
![]() | PDTA114TMB, 315 | 0,0300 | ![]() | 668 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTA114TMB, 315-954 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | PDTC143EQCZ | 0,2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTC143 | 360 MW | DFN1412D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 230 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||
![]() | RN2107CT (TPL3) | - - - | ![]() | 2801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | RN2107 | 50 MW | CST3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 20 v | 50 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 10 Ma, 5V | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | DDTA124GE-7-F | 0,0605 | ![]() | 5505 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA124 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | |||
![]() | RN1411, LXHF | 0,3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN1411 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||
![]() | Pdtd113eqaz | 0,0579 | ![]() | 8564 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-xdfn exponiert Pad | PDTD113 | 325 MW | DFN1010D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 210 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus