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Single, Voreingenememen Bipolare Transistoren (4509)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCR562E6327 | - - - |  | 2755 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR562 | 330 MW | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 60 @ 50 Ma, 5V | 150 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||
 | PDTC123TU115 | 0,0200 | | 36 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC123 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
 | PDTD113ZT, 215 | 0,0300 | | 9940 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTD11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | PDTA144EMB, 315 | 0,0300 | | 200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 180 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||
 | PDTA144TM, 315 | 0,0300 | | 158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||
| PDTC143EM, 315 | 0,0300 | | 132 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||
 | PDTC143TU, 135 | 0,0200 | | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||
| PDTC115TM, 315 | 0,0300 | | 94 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||
| PDTC123TMB, 315 | 0,0300 | | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTC123 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | 230 MHz | 2.2 Kohms | ||||||
| PDTA124EM, 315 | 0,0300 | | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA124 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||
| PDTC144WMB, 315 | 0,0300 | | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTC144 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 230 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||
| PDTA113EM, 315 | 0,0300 | | 140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||
 | RN2418, LF | 0,1800 | | 7742 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2418 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||
 | FJV3110RMTF | - - - | | 9658 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV311 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||
 | BCR141TE6327 | 0,0200 | | 21 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR141 | 250 MW | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 5ma, 5V | 130 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||
 | Dta124ecahzgt116 | 0,3700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta124 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||
| DTC123JCAHZGT116 | 0,3700 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||
 | DTC143XUA-TP | 0,0336 | | 3519 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC143 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 353-DTC143XUA-TP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||
 | DTC123ECA-TP | 0,0488 | | 2896 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | 353-DTC123ECA-TP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||
 | DTA114YM-TP | 0,0649 | | 7520 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta114 | 100 MW | SOT-723 | Herunterladen | 353-DTA114YM-TP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 70 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | |||||
 | Dtc114ye3tl | 0,3600 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta144e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||
| DTC114YCAHE3-TP | 0,2700 | | 6 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC114 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | ||||
| DTC143ZCAHE3-TP | 0,2600 | | 3608 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||
| DTC123JE3TL | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta143z | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||
 | RN1108, LXHF (CT | 0,3300 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN1108 | 100 MW | SSM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||
| Dtc143ze3tl | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta143z | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||
 | PDTA143XT, 215 | 0,0200 | | 547 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTA143xt, 215-954 | 1 | ||||||||||||||||||
| PDTC144EMB315 | 0,0300 | | 72 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
 | DDTA113ZCA-7-F | 0,0386 | | 2785 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddta (r1 ≠ r2 -serie) ca. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA113 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||
 | PDTA124ET-QR | 0,1800 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA124 | 250 MW | SOT-23 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 180 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms |
2000+
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