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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA123YCA-HF | 0,0529 | ![]() | 8320 | 0.00000000 | Comchip -technologie | DTA123YCA-HF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-DTA123YCA-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||
![]() | PDTC115EMB, 315 | 0,0300 | ![]() | 189 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTC115 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 20 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 5ma, 5V | 230 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||
![]() | PDTC114TM | 1.0000 | ![]() | 2929 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114EU, 115 | - - - | ![]() | 6671 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | BCR133E6393 | - - - | ![]() | 4519 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR133 | 200 MW | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 130 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | PDTA123YMB315 | 0,0200 | ![]() | 97 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TU, 115 | - - - | ![]() | 5592 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | Dta114eua | 0,1600 | ![]() | 6095 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||
![]() | Dtc123eee3tl | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta123e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | Dta124xe3tl | 0,3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta143e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||
![]() | DTD543XE3TL | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTD543 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-DTD543XE3TLDKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||
![]() | DTB543ZE3TL | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTB543 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | Dta115emfhat2l | 0,0668 | ![]() | 9384 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta115 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | ||
![]() | DTB123TCHZGT116 | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | |||
![]() | TDTC123J, LM | 0,1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TDTC123 | 320 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | ||||
![]() | PDTA143XU, 115 | 0,0200 | ![]() | 742 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTA143XU, 115-954 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TT, 215 | 0,0200 | ![]() | 570 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTC114TT, 215-954 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PDTC144EU/DG/B3115 | - - - | ![]() | 2033 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTC144EU/DG/B3115-1727 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | PDTA143XQBZ | 0,2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTA143 | 340 MW | DFN1110D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10ma, 5v | 180 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||
![]() | PDTC123JQBZ | 0,2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTC123 | 340 MW | DFN1110D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 180 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | DTA123TCAT116 | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | |||
![]() | KSR1004BU | 0,0700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSR1004 | 300 MW | To-92-3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2156-kSR1004BU | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | PDTA114EQC-QZ | 0,2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTA114 | 360 MW | DFN1412D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 180 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||
![]() | PDTC114EQCZ | 0,2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTC114 | 360 MW | DFN1412D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 230 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||
![]() | PDTC143ZQC-QZ | 0,2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTC143 | 360 MW | DFN1412D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 230 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | Dta123eca-tp | 0,2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta123 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-dta123eca-tptr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250mv @ 5ma, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 10V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||
ADTA144WCAQ-13 | 0,0526 | ![]() | 1323 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTA144 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-atta144wcaq-13tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||
DDTC124EUAQ-13-F | 0,0352 | ![]() | 9182 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC124 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDTC124EUAQ-13-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||
Ddta114ecaq-7-f | 0,0393 | ![]() | 6858 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-ddta114ecaq-7-Ftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||
DDTC143ZCA-7-F-52 | 0,0365 | ![]() | 2575 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automotive, AEC-Q101, DDTA (R1 ≠ R2-Serie) CA | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC143 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-DDTC143ZCA-7-F-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus