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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RN2418, LXHF | 0,3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2418 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | PDTC114ET/DG/B2215 | 0,0200 | ![]() | 4438 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||
PBRN113ZT-QR | 0,0687 | ![]() | 1404 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pbrn113 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBRN113ZT-QRTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 1,15 V @ 8ma, 800 mA | 500 @ 600 mA, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | PDTC114ET215 | 0,0200 | ![]() | 6717 | 0.00000000 | Philips | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | RN2130MFV, L3F | 0,2000 | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RN2130 | 150 MW | VESM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 100 Kohms | 100 Kohms | ||||
Pdtd113euf | - - - | ![]() | 8362 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTD113 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 225 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | ||||||
![]() | RN1313, LXHF | 0,3900 | ![]() | 8975 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN1313 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | |||||
PDTC124ET-QVL | 0,0254 | ![]() | 4581 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC124 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PDTC124ET-qvltr | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 230 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | RN1313, lf | 0,1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN1313 | 100 MW | USM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||
![]() | DTA125TKAT146 | 0,0561 | ![]() | 2584 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta125t | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta125 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 50 UA, 500 µA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 200 Kohms | |||
![]() | RN1303, LXHF | 0,3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN1303 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||
![]() | RN2401, LXHF | 0,0645 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2401 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 30 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||
![]() | DTC114YCA | 0,0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC114 | 230 MW | SOT-23 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DTC114YCATR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||
![]() | BCR129E6327 | 0,0400 | ![]() | 3185 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR129 | 200 MW | PG-SOT23-3-11 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 6.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 Kohms | ||||||
![]() | PDTA114EK115 | 0,0300 | ![]() | 707 | 0.00000000 | Philips | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | PDTC144EK115 | 0,0500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Philips | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | PDTA124XT/APG215 | - - - | ![]() | 6468 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA124 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SMMUN2134LT1G | 0,3300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Smmun2134 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 47 Kohms | |||
DDTA143FUA-7-F | 0,0435 | ![]() | 1881 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA143 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | BCR185E6327 | - - - | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR185 | 200 MW | PG-SOT23-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | Dta115tet1g | 0,1600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta115 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | ||||
![]() | DTA114EM3T5G | - - - | ![]() | 1701 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-DTA114EM3T5G-2156 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Dtc124ecahe3-tp | 0,2600 | ![]() | 8352 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC124 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | DRA3124X0L | - - - | ![]() | 7805 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DRA3124 | 100 MW | SSSMINI3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | DDTC123JLP-7 | 0,1213 | ![]() | 5968 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddtcxxxxl (r1#r2 -serie) | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DDTC123 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 200mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 50 Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | NHDTA123JUX | 0,0310 | ![]() | 7355 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | NHDTA123 | 235 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 80 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 10ma, 5V | 150 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | RN2426 (TE85L, F) | 0,4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2426 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 800 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250mv @ 1ma, 50 mA | 90 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||
![]() | PDTA144WM, 315 | 0,0300 | ![]() | 200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||
![]() | FA4L4L-T1B-A | 0,0300 | ![]() | 348 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FA4L4L | 200 MW | SC-59 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-FA4L4L-T1B-A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 200 mv @ 250 ua, 5 mA | 90 @ 5MA, 5V | 47 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | FJN3310RBU | 1.0000 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | Fjn331 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus