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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Max | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N3265 | - - - | ![]() | 3209 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | Do-205AB, Do-9, Stud | 1N3265 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 12 mA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 160a | - - - | |||||||||||||||
![]() | VS-12TQ035STRL-M3 | 0,6734 | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 12TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 560 mv @ 15 a | 1,75 mA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 900pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 688-18 | 280.3200 | ![]() | 6046 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | - - - | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-688-18 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1800 v | 30 V @ 400 mA | 500 ns | 2 µa @ 18000 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 350 Ma | - - - | ||||||||||||||
![]() | SE10PDHM3/84A | 0,4900 | ![]() | 8555 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SE10 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 1 a | 780 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | IV1D12010O2 | 11.0300 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Inventchip | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4084-IV1D12010o2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 28a | 575PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | ABS2-HF | - - - | ![]() | 7095 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | ABS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-ABS2-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 200 V. | 1 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||
![]() | SBM260VAL-AU_R1_000A1 | 0,4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | SBM260 | Schottky | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-SBM260VAL-AU_R1_000A1TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 540 mv @ 2 a | 50 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 100pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | DA3X108K0L | - - - | ![]() | 2505 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DA3x108 | Standard | Mini3-g3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 300 V | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 300 V | 150 ° C (max) | 100 ma | 3.5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BYG20GHE3_A/H | 0,5100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYG20 | Lawine | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 1,5 a | 75 ns | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||||
![]() | Bat760-QX | 0,0915 | ![]() | 7534 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BAT760-QXTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 1 a | 50 µa @ 15 V | 125 ° C. | 1a | 19PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N4005GA0 | - - - | ![]() | 2444 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4005 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | FGP30BHE3/54 | - - - | ![]() | 4048 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | FGP30 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 70pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | NRVB540MFST1G | 0,6700 | ![]() | 2838 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NRVB540 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 580 mv @ 5 a | 2 ma @ 40 v | -40 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||
![]() | VS-51MT80KPBF | 105.5500 | ![]() | 1591 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 51MT80 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS51MT80KPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 55 a | DRIPHASE | 800 V | |||||||||||||||
![]() | JantX1N5418/Tr | 6.4800 | ![]() | 1564 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5418/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
![]() | SK85C M6 | - - - | ![]() | 8804 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-sk85cm6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 750 mv @ 8 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||
![]() | PT150KN16 | 93.0000 | ![]() | 4759 | 0.00000000 | Kyocera avx | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 70 | 1,4 V @ 150 a | 7 ma @ 1600 v | 150 a | DRIPHASE | 1,6 kv | |||||||||||||||||
![]() | Hz3cll-e | 0,1800 | ![]() | 170 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Lb2010s | 0,4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | ABF | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 1,1 V @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | 2 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||
![]() | Kmb23s | 0,4700 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Kmb23 | Schottky | MBS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 550 mV @ 2 a | 100 µa @ 30 V | 2 a | Einphase | 30 v | ||||||||||||||
![]() | HSMS-2822-TR1G | - - - | ![]() | 2358 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | HSMS-2822 | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 a | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Serie Verbindung | 15 v | 12ohm @ 5ma, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | MDMA280UB1600PTED | 105.3489 | ![]() | 4762 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | Chassis -berg | E2 | MDMA280 | Standard | E2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 238-MDMA280UB1600PT | Ear99 | 8541.10.0080 | 28 | 280 a | DRIPHASE | 1,6 kv | ||||||||||||||||
![]() | HSMS-281L-BLKG | - - - | ![]() | 9580 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Streiflen | Veraltet | 150 ° C (TJ) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 a | 1.2PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 3 Unabhängig | 20V | 15ohm @ 5ma, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | VUE35-12NO7 | 18.8748 | ![]() | 5938 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Öko-PAC1 | VUE35 | Standard | Öko-PAC1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 2.73 V @ 15 a | 100 µA @ 1200 V | 40 a | DRIPHASE | 1,2 kv | ||||||||||||||
![]() | VBO125-12NO7 | - - - | ![]() | 8021 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | PWS-C | VBO125 | Standard | PWS-C | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,07 V @ 50 a | 200 µA @ 1200 V | 124 a | Einphase | 1,2 kv | ||||||||||||||
![]() | Vbo88-16no7 | 27.5336 | ![]() | 6329 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Öko-PAC2 | VBO88 | Standard | Öko-PAC2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,13 V @ 50 a | 500 µA @ 1600 V | 92 a | Einphase | 1,6 kv | ||||||||||||||
![]() | VUO120-16NO1 | - - - | ![]() | 6570 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | V2-Pak | VUO120 | Standard | V2-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 1,59 V @ 150 a | 300 µa @ 1600 V | 121 a | DRIPHASE | 1,6 kv | ||||||||||||||
![]() | DZ23C2V7-TP | 0,0474 | ![]() | 3549 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23C2v7 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | 353-DZ23C2V7-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 75 µa @ 1 V | 2,7 v | 83 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus