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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KBPC5008T | 2.5875 |  | 1362 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, KBPC-T | KBPC5008 | Standard | KBPC | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 25 a | 5 µa @ 800 V | 50 a | Einphase | 800 V | |||||||
 | KBPM308G | - - - | | 2416 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | Standard | Kbpm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | KBPM308GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 1,1 V @ 3 a | 5 µa @ 50 V | 3 a | Einphase | 800 V | |||||||
| KBU10005 | 0,8205 | | 5287 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | Standard | KBU | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | KBU10005GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1,05 V @ 10 a | 10 µa @ 50 V | 10 a | Einphase | 50 v | |||||||
 | KBU8A | - - - | | 3434 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | Standard | KBU | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 1 V @ 8 a | 10 µa @ 50 V | 8 a | Einphase | 50 v | |||||||||
 | KBU8D | 0,7425 | | 6103 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | KBU8 | Standard | KBU | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | KBU8DGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 8 a | 10 µA @ 200 V. | 8 a | Einphase | 200 v | ||||||
| M3P100A-100 | - - - | | 1695 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,15 V @ 100 a | 10 mA @ 1000 v | 100 a | DRIPHASE | 1 kv | ||||||||
 | M3P75A-100 | - - - | | 8608 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 5-SMD-Modul | Standard | 5-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,15 V @ 75 a | 10 µa @ 1000 V | 75 a | DRIPHASE | 1 kv | |||||||||
| M3P75A-140 | - - - | | 7969 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 5-SMD-Modul | Standard | 5-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,15 V @ 75 a | 10 µa @ 1400 V | 75 a | DRIPHASE | 1,4 kv | |||||||||
| M3P75A-160 | - - - | | 4030 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 5-SMD-Modul | Standard | 5-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,15 V @ 75 a | 10 µa @ 1600 V | 75 a | DRIPHASE | 1,6 kv | |||||||||
 | SMBJ5366B/TR13 | 1.6650 | | 2376 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5366 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 28.1 V. | 39 v | 14 Ohm | ||||||
| SMBJ5367A/TR13 | 1.6350 | | 6383 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5367 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 na @ 31 v | 43 v | 20 Ohm | ||||||
| SMBJ5371A/TR13 | 1.6350 | | 8147 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5371 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 43 V | 60 v | 40 Ohm | ||||||
| SMBJ5376A/TR13 | 1.6350 | | 1435 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5376 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 na @ 63 v | 87 v | 75 Ohm | ||||||
| SMBJ5384BE3/TR13 | - - - | | 6545 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5384 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 115 V. | 160 v | 350 Ohm | |||||||
| SMBJ5387CE3/TR13 | 1.0800 | | 1742 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5387 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 137 V | 190 v | 450 Ohm | ||||||
| SMBJ5956BE3/TR13 | 0,8850 | | 8179 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5956 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 152 V | 200 v | 1200 Ohm | ||||||
| SMBJ4740E3/TR13 | 0,4350 | | 9070 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4740 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | ||||||
| SMBJ5940B/TR13 | 1.5600 | | 3421 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5940 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 32,7 V. | 43 v | 53 Ohm | ||||||
| SMBJ5943AE3/TR13 | 0,8850 | | 8385 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5943 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm | ||||||
| SMBJ5948A/TR13 | 1.5600 | | 2942 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5948 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 69.2 V. | 91 V | 200 Ohm | ||||||
 | 3EZ5.6D5E3/TR8 | - - - | | 5773 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 3ez5.6 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.6 v | 2,5 Ohm | ||||||
| 2EZ190D10/TR8 | - - - | | 5150 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 2EZ190 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 144.8 V. | 190 v | 825 Ohm | ||||||
| 2EZ27D/TR8 | - - - | | 4572 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 2EZ27 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 20.6 V. | 27 v | 18 Ohm | ||||||
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| 3EZ150D5E3/TR8 | - - - | | 1493 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 3EZ150 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 v | 150 v | 550 Ohm | |||||||
| 3EZ15D2/TR8 | - - - | | 9050 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 3EZ15 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 11.4 V. | 15 v | 5,5 Ohm | ||||||
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| 3EZ17D10/TR8 | - - - | | 8545 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 3EZ17 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 13 v | 17 v | 6 Ohm | ||||||
| 3EZ3.6D2E3/TR8 | - - - | | 5785 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 3ez3.6 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 3.6 V | |||||||||
| 3EZ30D5E3/TR8 | - - - | | 1741 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 3ez30 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 22,5 V. | 30 v | 16 Ohm |
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