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Dioden (168966)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GBPC2508W | 3.1618 |  | 9061 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC25 | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC2508 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-GBPC2508W | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 800 V | 25 a | Einphase | 800 V | |||||||||||
| GBPC1510W | 3.1618 | | 7877 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC15 | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC1510 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-GBPC1510W | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µA @ 1000 V | 15 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||
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| GBPC3506W | 3.7238 | | 3462 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC35 | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC3506 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-GBPC3506W | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 17.5 a | 5 µa @ 600 V | 35 a | Einphase | 600 V | |||||||||||
| GBPC3510 | 3.7238 | | 8416 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC35 | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC3510 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-GBPC3510 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 1000 V | 35 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||
 | GBU1505 | 1.2978 | | 4446 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-ESIP, GBU | GBU1505 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-GBU1505 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 15 a | 5 µa @ 600 V | 15 a | Einphase | 600 V | |||||||||||
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| DMF3945-000 | 1.6345 | | 5559 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | DMF | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Sterben | Sterben | - - - | 1 (unbegrenzt) | 863-DMF3945-000 | 100 | 100 ma | 75 MW | - - - | Pin - 4, Diversity Switch | - - - | - - - | ||||||||||||||||
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 | AZ23C33-HE3_A-18 | - - - | | 5691 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-AZ23C33-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 50 na @ 23.1 v | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||||
| AZ23C4V7-HE3_A-18 | - - - | | 9764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-AZ23C4V7-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm | ||||||||||||||
| AZ23C4V3-HE3_A-08 | - - - | | 5335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-AZ23C4V3-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | ||||||||||||||
| CDBHM2200L-HF | 0,2665 | | 6082 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-269aa, 4-Besop | CDBHM2200 | Schottky | MBS | - - - | 1 (unbegrenzt) | 641-CDBHM2200L-HFTR | 3.000 | 0,9 V @ 2 a | 50 µa @ 200 V. | 2 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
 | Db157s | 0,2950 | | 58 | 0.00000000 | Mdd | Dbs | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | Dbs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 1 V @ 1,5 a | 1 µA @ 1000 V | 1,5 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||
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 | DF25NA100 | 2.8400 | | 6770 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Kasten | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 5-ESIP, TSB-5 | Standard | TSB-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 96 | 1,1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 1000 V | 25 a | DRIPHASE | 1 kv | |||||||||||||
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 | Vuo30-16no3 | - - - | | 2971 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Fo-fb | Vuo30 | Standard | Fo-fb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 2,55 V @ 150 a | 300 µa @ 1600 V | 37 a | DRIPHASE | 1,6 kv |
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