- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84-C16/DG/B4R | - - - |  | 2107 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934070239215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 11.2 V. | 16,2 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||
 | RB751S-40FVTE61 | - - - | | 5979 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB751 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB751S-40FVTE61TR | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZv49-C2V4,115 | 0,6200 | | 61 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-243aa | BZv49-C2V4 | 1 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1 V @ 50 Ma | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
| MPN7410-E25 | - - - | | 7374 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | E25 | Mpn7410 | E25 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 1465-MPN7410-E25 | 1 | 100 ma | 0,3PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 70V | 700 MOHM @ 100 Ma, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | BB833E6327HTSA1 | - - - | | 7945 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB833 | PG-SOD323-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 0,9PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 12.4 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||||||||
 | Sml4757ahe3_a/i | 0,2063 | | 7339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4757 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA @ 38,8 V | 51 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||
 | Jan1N6351us | 15.9300 | | 8909 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6351 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 99 V | 130 v | 850 Ohm | |||||||||||||||||||
 | TDZ4V7J, 115 | 0,3400 | | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Tdz4v7 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
 | GBPC2504W | - - - | | 8880 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC2504 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC2504WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 400 V | 25 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||||
 | 1N4117 (DO35) | - - - | | 4945 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4117 | 400 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||||
 | Smzj3793bhe3_a/h | 0,1597 | | 6888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj3793 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 11,4 V | 15 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||||
 | DHG100X1200NA | 38.8300 | | 3520 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | DHG100 | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -Dhg100x1200na | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1200 V | 50a | 2.16 V @ 50 a | 75 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
 | UZ5715 | 32.2650 | | 5376 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz5715 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 11,4 V | 15 v | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | GBU1506U | 2.5700 | | 4982 | 0.00000000 | Hy Electronic (Cayman) Limited | GBU | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 4024-GBU1506U | 5 | 900 mV @ 7,5 a | 5 µa @ 600 V | 15 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||||||||
 | 2EZ3.6DE3/TR8 | - - - | | 3652 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 2EZ3.6 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 80 µa @ 1 V | 3.6 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||
| CD5240C | - - - | | 4780 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5240c | Ear99 | 8541.10.0050 | 261 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µa @ 8 V | 10 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | BAT5404WH6327XTSA1 | 0,5000 | | 88 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAT5404 | Schottky | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||
| Rd13JS-Az | 0,0600 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CMHZ4709 TR PBFREE | 0,4600 | | 14 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | CMHZ4709 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 100 mA | 10 Na @ 18,2 V. | 24 v | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4993cus | 86.5500 | | 5746 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 228 V | 300 V | 950 Ohm | ||||||||||||||||||||
| SK32AE3/TR13 | - - - | | 7572 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | SK32 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | JANS1N4582A-1 | 103.1250 | | 8928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | BZT52B5V6-TP | 0,0341 | | 2804 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B5 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||
 | MBRB2515LG | - - - | | 7770 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB2515 | Schottky | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 15 v | 450 mV @ 25 a | 15 mA @ 15 V | 100 ° C (max) | 25a | - - - | |||||||||||||||||
| Jan1N964D-1 | 6.0900 | | 3776 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N964 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm | ||||||||||||||||||
 | NRTS1060PFST3G | 0,7400 | | 8067 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | NRTS1060 | Schottky | To-277-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 660 mv @ 10 a | 350 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 1023pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||
| JantX1N4983C | 18.2550 | | 9129 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4983 | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 83,6 V | 110 v | 125 Ohm | ||||||||||||||||||
 | BZD27C7V5P Teppich | - - - | | 8413 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 50 µa @ 3 V | 7.45 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||
 | BZT52C4V3-HE3-08 | 0,0378 | | 5653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C4V3 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 4.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | PZM16NB1,115 | - - - | | 9182 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM16 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 12 v | 16 v | 20 Ohm |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)