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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5245B-HE3-08 | 0,2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5245 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZS55B33 RAG | - - - | ![]() | 6355 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZS55B33RAGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 24 V. | 33 v | 80 Ohm | |||||||||||||
![]() | SML4734AHE3/5A | - - - | ![]() | 8573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4734 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 10 µa @ 2 V | 5.6 v | 5 Ohm | |||||||||||||||
![]() | Pzu6.8ba, 115 | 0,2800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Pzu6.8 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 500 NA @ 3,5 V. | 6,8 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 2m91zhb0g | - - - | ![]() | 6277 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2m91 | 2 w | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 NA @ 69.2 V. | 91 V | 125 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SFA1005G C0G | - - - | ![]() | 4441 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | SFA1005 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
Hsjlw | 0,0907 | ![]() | 9524 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-hsjlwtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 800 mA | 75 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 5PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N5931BP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 3896 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5931 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | ||||||||||||||
![]() | MUR30060CT | 118.4160 | ![]() | 9429 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Twin Tower | Mur30060 | Standard | Twin Tower | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MUR30060CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 150a | 1,7 V @ 100 a | 90 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
MMBZ5241C-E3-18 | - - - | ![]() | 7021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5241 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 2 µa @ 8,4 V | 11 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | MDD600-14N1 | - - - | ![]() | 3513 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 238-MDD600-14N1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1400 v | 883a | 1,15 V @ 1800 a | 18 µs | 50 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||
![]() | BAS40-05V115 | - - - | ![]() | 3001 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C30P-E3-18 | 0,1492 | ![]() | 4073 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C30 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 22 V. | 30 v | 15 Ohm | ||||||||||||||
![]() | NZH7V5C, 115 | 0,0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZH7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Zy1 | 0,2182 | ![]() | 2769 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-41, Axial | 2 w | DO-41/DO-204AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-zy1tr | 8541.10.0000 | 5.000 | 1 v | 0,5 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Tzx8v2d-tr | 0,2000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Tzx8v2 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 8.2 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
![]() | MR1121R | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-MR1121R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 12 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 190 ° C. | 12a | - - - | |||||||||||||
![]() | CD4625a | 2.0700 | ![]() | 9839 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4625A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 3 V | 5.1 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | CPT40090a | - - - | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | To-244ab | Schottky | To-244ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 90 v | 200a | 890 mv @ 200 a | 5 ma @ 90 V | ||||||||||||||||
![]() | CMKZ5225B BK | - - - | ![]() | 4135 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 3 v | 29 Ohm | |||||||||||||||
![]() | RP 1HV1 | - - - | ![]() | 9805 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | K. Loch | Axial | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2000 v | 7 V @ 100 mA | 100 ns | 2 µA @ 2000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 100 ma | - - - | |||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5348HR7G | - - - | ![]() | 2866 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 w | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 5 µa @ 8,4 V | 11 v | 3 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SMBG5946A/TR13 | - - - | ![]() | 4081 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5946 | 2 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 Ohm | ||||||||||||||
JantXV1N4119C-1/Tr | 20.6815 | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4119c-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 21.3 V. | 28 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1SMA5946H | 0,1016 | ![]() | 4547 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1,5 w | Do-214AC (SMA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1SMA5946HTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 NA @ 56 V | 75 V | 140 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZD17C43P-E3-18 | 0,1492 | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17C43 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 33 V | 43 v | |||||||||||||||
![]() | CD4570 | 8.5050 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4570 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | DB157 | 0,3700 | ![]() | 6549 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) | Standard | DB-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 2.500 | 1 V @ 700 mA | 5 µA @ 1000 V | 1,5 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||
![]() | 1N5337CE3/TR13 | - - - | ![]() | 7007 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5337 | 5 w | T-18 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1,2 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 4,7 v | 2 Ohm | |||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5822 | 94.3050 | ![]() | 2223 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/620 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | Schottky | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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