SIC
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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
CDLL5534B/TR Microchip Technology CDLL5534B/Tr 5.9052
RFQ
 ECAD 9999 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf 500 MW Do-213ab - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll5534b/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 12,6 V. 14 v 100 Ohm
1N703A Microchip Technology 1N703a 1.0500
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N703 250 MW Do-35 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 50 µa @ 3,4 V 3.4 v 55 Ohm
CDLL4100 Microchip Technology CDLL4100 4.0050
RFQ
 ECAD 5087 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf CDLL4100 500 MW Do-213ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 µa @ 5,7 V 7,5 v 200 Ohm
BZT52C51-7-F Diodes Incorporated BZT52C51-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 100 Na @ 38 V. 51 v 100 Ohm
WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors WNSC6D10650Q 3.2800
RFQ
 ECAD 945 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 WNSC6 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) 1740-WNSC6D10650Q Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,45 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 500PF @ 1V, 1 MHz
1N828/TR Microchip Technology 1n828/tr 14.7300
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n828/tr Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 V 6.2 v 15 Ohm
CD4127C Microchip Technology CD4127C - - -
RFQ
 ECAD 8059 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Sterben 500 MW Sterben - - - UnberÜHrt Ereichen 150-CD4127C Ear99 8541.10.0050 305 1,5 V @ 200 Ma 10 NA @ 42.6 V. 56 v 300 Ohm
1N945BUR-1 Microchip Technology 1N945BUR-1 - - -
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n945bur-1 Ear99 8541.10.0050 100 15 µa @ 8 V 11.7 v 30 Ohm
BZB984-C11,115 NXP USA Inc. BZB984-C11,115 0,0400
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SOT-663 265 MW SOT-663 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 11 v 10 Ohm
40HF60 Solid State Inc. 40HF60 2.5000
RFQ
 ECAD 430 0.00000000 Solid State Inc. - - - Kasten Aktiv Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar 2383-40HF60 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,3 V @ 40 a 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 40a - - -
FEPF6CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF6CThe3/45 - - -
RFQ
 ECAD 1545 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte FEPF6 Standard ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZD27C43P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C43P-E3-08 0,4100
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZD27C Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-219AB BZD27C43 800 MW Do-219AB (SMF) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 33 V 43 v 45 Ohm
RB501V-40-TP Micro Commercial Co RB501V-40-TP 0,3600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 RB501V-40 Schottky SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 550 mV @ 100 mA 30 µa @ 10 V 125 ° C (max) 100 ma 6PF @ 10V, 1 MHz
MBRF10H90CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H90CT-E3/45 - - -
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte MBRF10 Schottky ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 90 v 5a 760 mv @ 5 a 3,5 µa @ 90 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BZX84C6V2-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C6V2-HE3-08 0,2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZX84 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C6v2 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 µa @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
S4PKHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4pkhm3_a/h 0,1980
RFQ
 ECAD 5426 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, ESMP® Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn S4p Standard To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 4 a 2,5 µs 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 30pf @ 4v, 1 MHz
SMBJ5374BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5374BE3/TR13 0,8250
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5374 5 w Smbj (do-214aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 na @ 54 v 75 V 45 Ohm
FST16090A Microsemi Corporation FST16090A - - -
RFQ
 ECAD 9519 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet SCHAUBENHAUTERUNG To-249aa Schottky To-249 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 90 v 80a 960 mv @ 80 a 2 ma @ 90 v
JANS1N4993CUS Microchip Technology JANS1N4993CUS 268.0050
RFQ
 ECAD 8122 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, e 5 w D-5b - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µa @ 228 V 300 V 950 Ohm
VS-MURB1020CT-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURB1020CT-1-M3 0,8100
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Fred Pt® Rohr Aktiv K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Murb1020 Standard To-262aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 5a 1,25 V @ 10 a 35 ns 10 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
MMBD914-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD914-G3-18 0,2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBD914 Standard SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 100 v 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µa @ 75 V 150 ° C (max) 200 ma 4PF @ 0V, 1MHz
HZS30-2LTD-E Renesas Electronics America Inc HZS30-2LTD-E 0,1100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1
CMPZ5234B BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMPZ5234B BK PBFREE 0,1500
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 CMPZ5234 350 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.500 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 4 V 6.2 v 7 Ohm
RS1204FL SURGE RS1204fl 0,1600
RFQ
 ECAD 8707 0.00000000 Anstieg Automobil, AEC-Q101 Tasche Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F Standard SOD-123FL Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2616-RS1204FL 3a001 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,3 V @ 1,2 a 150 ns 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.2a 7.5PF @ 4V, 1 MHz
MMBZ5237ELT3G onsemi Mmbz5237elt3g - - -
RFQ
 ECAD 6117 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 3 µA @ 6,5 V. 8.2 v 8 Ohm
TCU20A40 KYOCERA AVX TCU20A40 - - -
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 Kyocera avx - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard To-263 (D2pak) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,53 V @ 10 a 40 ns 30 µa @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C. 20a - - -
SMZJ3797BHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3797bhm3_b/h 0,1508
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB Smzj3797 1,5 w Do-214AA (SMB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 112-smzj3797bhm3_b/h Ear99 8541.10.0050 750 5 µa @ 16,7 V 22 v 17,5 Ohm
MM1Z4742A Diotec Semiconductor MM1Z4742a 0,1033
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F 1 w SOD-123F (SMF) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2796-mm1z4742atr 8541.10.0000 3.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 9 V 12 v 9 Ohm
1SMC5357-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 1SMC5357-AU_R1_000A1 0,2049
RFQ
 ECAD 9613 0.00000000 Panjit International Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC 1SMC5357 5 w SMC (Do-214AB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 165.600 500 NA @ 15,2 V. 20 v 3 Ohm
MURS150T3 onsemi MURS150T3 0,0500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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