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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MSKD60-16 | - - - |  | 1900 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | D1 | Standard | D1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1600 v | 60a | 1,3 V @ 200 a | 5 ma @ 1600 V | |||||||||||||||||
 | NTE5257A | 26.8600 | | 28 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE5257A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 v | 1,4 Ohm | |||||||||||||||||||
 | RL254M-TP | - - - | | 7410 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | RL254 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 2,5 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | 35PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
 | Jantxv1N6342 | 14.6700 | | 1311 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6342 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 43 v | 56 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||
 | AZ23B5V1-E3-18 | 0,0509 | | 1690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23B5V1 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 800 mv | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||||
 | MA40108-137 | 100.5505 | | 3418 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | SC-76, SOD-323 | MA40108 | SOD-323 | - - - | 1465-ma40108-137 | 1 | - - - | Pin - Single | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
 | 1N3347 | 8.5000 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3347 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 V @ 10 a | 160 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||
 | DZ23C13-7-F | 0,4100 | | 6714 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 13 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||
 | V1FM10HM3/H | 0,4300 | | 147 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V1fm10 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 1 a | 50 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 95PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
| Jantxv1n5804us | - - - | | 4119 | 0.00000000 | Semtech Corporation | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | 1N5804 | Standard | - - - | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 100 V. | - - - | 1.1a | 25pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||
 | UGF8HTHE3_A/P. | - - - | | 1390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-ugf8hthe3_a/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,75 V @ 8 a | 50 ns | 30 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||
 | ES1A-E3/61T | 0,4000 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
| 1n5559b tr | - - - | | 4745 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | T-18, axial | 5 w | AX-5W | Herunterladen | 1514-1n5559btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 1 a | |||||||||||||||||||||
 | Rsfalh | 0,1815 | | 9459 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-rsfalhtr | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | DDZ18CSF-7 | 0,2100 | | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | DDZ18 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 70 NA @ 16,5 V. | 17.88 v | 45 Ohm | |||||||||||||||
 | BZT52-B51_R1_00001 | 0,2100 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BZT52-B51_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 38 V. | 51 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
| R306070f | 49.0050 | | 2549 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R306070f | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBZ5920B-E3/52 | 0,4400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBZ5920 | 3 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1,5 V @ 200 Ma | 200 µA @ 4 V. | 6.2 v | 2 Ohm | |||||||||||||||
 | MBR160 | - - - | | 3423 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | MBR160 | Schottky | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBR160OS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 1 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||
| CDLL4135D/Tr | 11.5311 | | 9066 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4135d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | SZ3C110 | 0,1133 | | 6193 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 3 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-SZ3C110TR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1 µa @ 50 V | 110 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
 | E1f | 0,0230 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-e1ftr | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | V40DM153Chm3/i | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 1,12 V @ 20 a | 150 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||
 | JantX1N6318us/Tr | - - - | | 6998 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6318 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||
 | NRVB440MFSWFT1G | 0,6000 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NRVB440 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 650 mv @ 4 a | 800 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||||||
| BZX84C15-G3-08 | 0,2700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C15 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||
 | SK106C | 0,7555 | | 30 | 0.00000000 | Mdd | SMC | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Schottky | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 10 a | 1 ma @ 60 v | 10a | 500PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | MMSZ4692-TP | 0,1200 | | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4692 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 950 mv @ 10 mA | 10 µa @ 5,1 V | 6,8 v | ||||||||||||||||
 | 1n5401g | 0,4000 | | 2 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 3 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
| Jan1n6941utk3/tr | 408.7950 | | 9828 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6941UTK3/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 50 a | 5 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150a | 7500PF @ 5V, 1 MHz |
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