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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SB52AFC_R1_00001 | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | SB52 | Schottky | Smaf-C | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-SB52AFC_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 540 mv @ 5 a | 100 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 159PF @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | STPS360AF | 0,5200 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | STPS360 | Schottky | SOD128flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 610 mv @ 3 a | 150 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
![]() | 1N4249 | 0,5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | Axial | Standard | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-1n4249 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 1 a | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | - - - | 1a | - - - | ||||||||||||||
![]() | 1N4937GP-AP-B002 | - - - | ![]() | 9463 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Lets Kaufen | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4937 | Standard | Do-41 | - - - | 353-1N4937GP-AP-B002TB | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
VS-31DQ09GTR | - - - | ![]() | 4765 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | 31dq09 | Schottky | C-16 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VS31DQ09GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 850 mv @ 3 a | 100 µa @ 90 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.3a | 110pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BZT52B39S | 0,1300 | ![]() | 9175 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,03% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 29 V | 39 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4468 | 13.4400 | ![]() | 2751 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4468 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.4 v | 13 v | 8 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SFAF805G | - - - | ![]() | 3663 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | ITO-220AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SFAF805G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | APTDF60H1201G | 45.1800 | ![]() | 5601 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | Aptdf60 | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 60 a | 100 µA @ 1200 V | 82 a | Einphase | 1,2 kv | ||||||||||||||
![]() | MV104RLRAG | - - - | ![]() | 2998 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MV104 | To-92 (to-226) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 42pf @ 3v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 32 v | 2.8 | C3/C30 | 140 @ 3V, 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N3156a | 31.5600 | ![]() | 1030 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N3156 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3156a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 5,5 V | 8.4 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | S1galh | 0,4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | S1g | Standard | Dünner SMA | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
JantX1N6626U | 18.1050 | ![]() | 4266 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/590 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N6626 | Standard | D-5a | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,35 V @ 2 a | 30 ns | 2 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.75a | - - - | |||||||||||||
![]() | JANS1N6312CUS | 521.5050 | ![]() | 3253 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6312 | 500 MW | Do-35 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 27 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Es3a | - - - | ![]() | 6854 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-es3atr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N3784 | 38.6100 | ![]() | 1391 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 400 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3784 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.7 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | B350BQ-13-F | 0,1752 | ![]() | 6041 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B350 | Schottky | SMB | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-B350BQ-13-FTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 3 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N3999ra | 8.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3999ra | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 2 V | 6,8 v | 1,2 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZT52H-B5V6-QX | 0,0434 | ![]() | 1655 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1,96% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BZT52H-B5V6-QXTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SJPL-H6VR | - - - | ![]() | 6044 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, j-Lead | SJPL-H6 | Standard | SJP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SJPL-H6VR DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 2 a | 50 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||
![]() | SK345AFL-TP-HF | - - - | ![]() | 8834 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | SK345 | Schottky | Do-221AC (SMA-FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 45 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 180pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 2A06GHB0G | - - - | ![]() | 9215 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2A06 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | Mm3z3v9 | - - - | ![]() | 8434 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-mm3z3v9tr | 8541.10.0000 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3,9 v | 85 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | MSS1P3HM3_A/H. | 0,3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | MicroSmp | MSS1P3 | Schottky | MicroSMP (Do-219AD) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
CMR1U-04M TR13 PBFREE | 0,8500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | CMR1U-04 | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||
![]() | GBJ8005 | 2.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Rohr | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | |||||||||||||||||||||||||
CD1408-F11000 | 0,4200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Chip, Konkave -Terminals | CD1408 | Standard | 1408 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 300 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
Jantxv1n6320us/tr | 19.1254 | ![]() | 1688 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6320us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 5 V | 6,8 v | 3 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | SD330S_L2_00001 | 0,2187 | ![]() | 9463 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SD330 | Schottky | To-252 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 201.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 3 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
Jan1N3023C-1 | 17.3250 | ![]() | 1706 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3023 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,9 V | 13 v | 10 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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