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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
DB151 SMC Diode Solutions DB151 0,1098
RFQ
 ECAD 5632 0.00000000 Smc -Diodenlösungen - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) DB151 Standard Db-m Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 a 5 µa @ 50 V 1,5 a Einphase 50 v
BZX84-C10/DG/B3,23 Nexperia USA Inc. BZX84-C10/DG/B3,23 - - -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934065263235 Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 200 na @ 7 V 10 v 20 Ohm
CZRB5339B-HF Comchip Technology CZRB5339B-HF 0,8600
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB CZRB5339 5 w SMB (Do-214AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 2 V. 5.6 v 1 Ohm
SE20DTLJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20DTLJHM3/i 1.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante Standard Smpd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1 V @ 20 a 330 ns 5 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3.8a 160pf @ 4V, 1 MHz
SMBG4729C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4729C/TR13 - - -
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel SMBG4729 2 w SMBG (Do-215AA) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 100 µa @ 1 V 3.6 V 10 Ohm
1N5933AP/TR8 Microchip Technology 1N5933AP/TR8 1.8600
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N5933 1,5 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 16,7 V 22 v 17,5 Ohm
1EZ100D5E3/TR12 Microsemi Corporation 1EZ100D5E3/TR12 - - -
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1EZ100 1 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 4.000 1,2 V @ 200 Ma 100 v
BYG10DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG10DHE3_A/I. 0,1403
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BYG10 Lawine Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 7.500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,15 V @ 1,5 a 4 µs 1 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1,5a - - -
SMAJ4759AE3/TR13 Microchip Technology SMAJ4759AE3/TR13 0,6450
RFQ
 ECAD 5212 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SMAJ4759 2 w Do-214AC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 Ma 5 µA @ 47,1 V. 62 v 125 Ohm
FST73100M GeneSiC Semiconductor Fst73100m - - -
RFQ
 ECAD 6895 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3m Schottky D61-3m - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 35a 840 mv @ 35 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C.
PDB3ND431225 Powerex Inc. PDB3nd431225 - - -
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 Powerex Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) PDB3-ND431225 10
RL205G SMC Diode Solutions RL205G - - -
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 Smc -Diodenlösungen - - - Band & Box (TB) Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial RL205 Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 2 a 5 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a 20pf @ 4v, 1 MHz
SMAJ5921E3/TR13 Microchip Technology SMAJ5921E3/TR13 - - -
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SMAJ5921 3 w Do-214AC (SMAJ) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 Ma 5 µA @ 5,2 V. 6,8 v 2,5 Ohm
1N5994 Microchip Technology 1n5994 3.4050
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n5994 Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 3 µa @ 1,5 V 5.6 v 70 Ohm
1N2998B Solid State Inc. 1n2998b 6.5000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Solid State Inc. - - - Kasten Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud 1N2998 10 w Do-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-1n2998b Ear99 8541.10.0080 10 1,5 V @ 2 a 5 µA @ 39,5 V. 52 v 15 Ohm
1N5956B onsemi 1n5956b - - -
RFQ
 ECAD 4203 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N5956 3 w Axial Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.000 1,5 V @ 200 Ma 1 µa @ 152 V 200 v 1200 Ohm
BZT52-C27S_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-C27S_R1_00001 0,2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. BZT52-C2V4S Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-BZT52-C27S_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0050 5.000 100 Na @ 20 V 27 v 80 Ohm
RS1GB-13-G Diodes Incorporated RS1GB-13-G - - -
RFQ
 ECAD 4863 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen RS1GB-13-GDI Ear99 8541.10.0080 3.000
BR5000 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5000 2.8100
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - - - Tasche Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 4 Quadratmeter, BR-50 Standard BR-50 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2439-BR5000 8541.10.0000 50 1,1 V @ 25 a 10 µa @ 50 V 50 a Einphase 50 v
PR1502G-T Diodes Incorporated PR1502G-T - - -
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial PR1502 Standard Do-15 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,3 V @ 1,5 a 150 ns 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 25pf @ 4v, 1 MHz
ES1D-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1D-E3/5AT 0,4000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Es1 Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 7.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 920 mv @ 1 a 25 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
BZT585B4V3T-7 Diodes Incorporated BZT585B4V3T-7 0,2300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 150 Ohm
243NQ100R-1 SMC Diode Solutions 243NQ100R-1 39.7300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Smc -Diodenlösungen - - - Kasten Aktiv Chassis -berg Halbpak 243nq Schottky PRM1-1 (Halb-Pak-Modul) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1655-243NQ100R-1 Ear99 8541.10.0080 27 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 860 mv @ 240 a 6 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C. 240a 4800pf @ 5v, 1 MHz
UF3006PT_T0_00001 Panjit International Inc. UF3006PT_T0_00001 0,7965
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Rohr Nicht für Designs K. Loch To-247-3 UF3006 Standard To-247ad (to-3p) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-UF3006PT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 15a 1,7 V @ 15 a 90 ns 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S40GR GeneSiC Semiconductor S40gr 6.3770
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud S40G Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S40grgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 190 ° C. 40a - - -
B140Q-13-F Diodes Incorporated B140Q-13-F 0,4100
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA B140 Schottky SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110PF @ 4V, 1 MHz
F1842CAD400 Sensata-Crydom F1842CAD400 115.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Sensata-Cryom - - - Schüttgut Nicht für Designs Chassis -berg Modul Standard Modul Herunterladen ROHS -KONFORM Nicht Anwendbar Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 400 V 40a (DC) 1,4 V @ 120 a -40 ° C ~ 125 ° C.
1N5406G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5406G 0,1366
RFQ
 ECAD 2217 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-201ad, axial 1N5406 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1,250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1 V @ 3 a 5 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 25pf @ 4v, 1 MHz
HER102BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her102Bulk 0,2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - - - Tasche Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2439-Her102Bulk 8541.10.0000 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 50pf @ 4v, 1 MHz
DSA1-18D IXYS DSA1-18d 5.4600
RFQ
 ECAD 1230 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Radial DSA1 Lawine - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1800 v 1,34 V @ 7 a 700 µA @ 1800 V. -40 ° C ~ 150 ° C. 2.3a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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