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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
HZU11C1LTRF-E Renesas Electronics America Inc Hzu11c1ltrf-e 0,1400
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 3.000
GBU1004HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1004HD2G - - -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU1004 Standard GBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 10 a 5 µa @ 400 V 10 a Einphase 400 V
EDB103 Rectron USA EDB103 0,5400
RFQ
 ECAD 4267 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) Standard DB-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-edb103 Ear99 8541.10.0080 15.000 1,05 V @ 1 a 5 µa @ 150 V 1 a Einphase 150 v
MTZJ7V5SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ7V5SC 0,0305
RFQ
 ECAD 4150 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AG, Do-34, axial Mtzj7 500 MW Do-34 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-MTZJ7V5SCTR Ear99 8541.10.0050 10.000 500 na @ 4 v 7,5 v 20 Ohm
JANS1N5809US/TR Microchip Technology JANS1N5809US/Tr 42.5100
RFQ
 ECAD 9597 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/477 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SQ-Melf, b Standard B, SQ-Melf - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1n5809us/tr Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 875 mv @ 4 a 30 ns -65 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
SFAF2008GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2008GH - - -
RFQ
 ECAD 10000 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack Standard ITO-220AC - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-SFAF2008GH Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,7 V @ 20 a 35 ns 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 150pf @ 4V, 1 MHz
S4G R7 Taiwan Semiconductor Corporation S4g R7 - - -
RFQ
 ECAD 6304 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard Do-214AB (SMC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-s4gr7tr Ear99 8541.10.0080 850 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,15 V @ 4 a 1,5 µs 10 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 60pf @ 4v, 1 MHz
S1GMH Taiwan Semiconductor Corporation S1GMH 0,4000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-smd, Flaches Blei S1g Standard Micro SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-S1GMHCT Ear99 8541.10.0080 12.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 1 a 780 ns 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 5PF @ 4V, 1 MHz
PZM3.6NB2A,115 NXP USA Inc. PZM3.6NB2A, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 3% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM3.6 220 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
PG152_R2_00001 Panjit International Inc. PG152_R2_00001 0,0417
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial PG152 Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 60.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 1,5 a 1 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 25pf @ 4v, 1 MHz
VS-30CTQ040STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ040STRLHM3 1.4476
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab 30CTQ040 Schottky To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 15a 620 mv @ 15 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C.
JANS1N5711-1 Microchip Technology JANS1N5711-1 - - -
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/444 Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Schottky DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N5711-1 Ear99 8541.10.0070 50 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 70 V 1 V @ 15 mA 200 na @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 33 ma 2PF @ 0V, 1MHz
RB495DS-TP Micro Commercial Co RB495DS-TP 0,4600
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RB495 Schottky SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 25 v 400 ma 500 MV @ 200 Ma 70 µa @ 25 V. -55 ° C ~ 125 ° C.
SK810C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK810c M6 - - -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Schottky Do-214AB (SMC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-sk810cm6tr Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 900 mv @ 8 a 500 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 8a - - -
BD1040S_S2_00001 Panjit International Inc. BD1040S_S2_00001 0,7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 BD1040 Schottky To-252 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-BD1040S_S2_00001CT Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 700 mv @ 10 a 50 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a - - -
SL1B Diotec Semiconductor SL1B - - -
RFQ
 ECAD 7846 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F Standard SOD-123F (SMF) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2796-SL1BTR 8541.10.0000 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,1 V @ 1 a 1 µs 1 µa @ 100 V. -50 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
MD36A16D1 Yangjie Technology MD36A16D1 15.0530
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Modul Standard D1 - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-MD36A16D1 Ear99 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 1600 v 36a 1,4 V @ 100 a 5 ma @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRF25H45CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF25H45CT-E3/45 - - -
RFQ
 ECAD 9689 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte MBRF25 Schottky ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 15a 640 mv @ 15 a 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C.
SK1045-TP Micro Commercial Co SK1045-TP - - -
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC SK1045 Schottky Do-214AB (HSMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 650 mv @ 10 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 125 ° C. 10a 500PF @ 4V, 1 MHz
JANTXV1N3910A Microchip Technology Jantxv1n3910a - - -
RFQ
 ECAD 4681 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/308 Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,4 V @ 50 a 150 ns -65 ° C ~ 150 ° C. 50a - - -
CTNS-4606S Sanken CTNS-4606S - - -
RFQ
 ECAD 5875 0.00000000 Sanken - - - Rohr Aktiv K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 CTNS-4606 Standard To-3p Herunterladen ROHS -KONFORM 1261-CTNS-4606S Ear99 8541.10.0080 1.440 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 60a 1,3 V @ 30 a 150 ns 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAV21WS_R1_00001 Panjit International Inc. BAV21WS_R1_00001 0,1500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F BAV21 Standard SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-BAV21WS_R1_00001TR Ear99 8541.10.0070 5.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 200 v 1 V @ 100 mA 50 ns 100 Na @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
JANTXV1N6842U3/TR Microchip Technology Jantxv1N6842U3/Tr 681.6900
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung Schottky U3 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1N6842U3/Tr Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 900 mv @ 15 a 50 µa @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a 400PF @ 5V, 1 MHz
TZX10D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx10d-tr 0,2300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, TZX Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial TZX10 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 7,5 V. 10 v 25 Ohm
IDH10SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH10SG60CXKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 6781 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-2 IDH10SG60 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 2,1 V @ 10 a 0 ns 90 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 290pf @ 1V, 1 MHz
BAT54S,235 NXP USA Inc. Bat54s, 235 0,0200
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.10.0070 7.900 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 30 v 200 Ma (DC) 800 mV @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. 150 ° C (max)
BAS70AW_R1_00001 Panjit International Inc. BAS70AW_R1_00001 0,2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. Bas70W Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bas70 Schottky SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-BAS70AW_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 70 V 200 ma 1 V @ 15 mA 10 µa @ 70 V 150 ° C.
MUR1560HS-BP Micro Commercial Co MUR1560HS-BP 0,6743
RFQ
 ECAD 3928 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 MUR1560 Standard To-220ac Herunterladen 353-MUR1560HS-BP Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,5 V @ 15 a 50 ns 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
ES1C-HF Comchip Technology ES1C-HF 0,0776
RFQ
 ECAD 4686 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA ES1C Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-es1c-hftr Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
B180B-13-F-2477 Diodes Incorporated B180B-13-F-2477 - - -
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Schottky SMA - - - 31-B180B-13-F-2477 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 80 v 790 mv @ 1 a 500 µa @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1 MHz
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    2000+

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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