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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jantxv1N4126ur-1 | 11.2500 | ![]() | 5261 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4126 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 38,8 V. | 51 v | 300 Ohm | |||||||||||||
![]() | MBR6060PTH | 2.7251 | ![]() | 3741 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | MBR6060 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBR6060PTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 60a | 930 MV @ 60 a | 1 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | SS2200B | 0,2585 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Mdd | SMB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 3372-SS2200BTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 200 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 180pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Murb1J_R1_00001 | 0,4100 | ![]() | 320 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Murb1 | Standard | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-murb1j_r1_00001dkr | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
![]() | Hz6c1ltd-e | 0,1000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54-05E6327 | 0,0600 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C. | |||||||||||
JantXV1N963B-1/Tr | 3.2186 | ![]() | 4487 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N963B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 11,5 Ohm | |||||||||||||||
![]() | MBRS1045H | 0,5092 | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS1045 | Schottky | To-263ab (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBRS1045HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
![]() | JantXV1N6349CUS/Tr | 57.2550 | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantxv1n6349cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 84 v | 110 v | 500 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Es2da | 0,0350 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-eS2Datr | Ear99 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas386-tr | 0,4400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | Bas386 | Schottky | Mikrokomelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 900 mv @ 100 mA | 5 µa @ 40 V | 125 ° C (max) | 200 ma | 880pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||
MBR320AFC_R1_00001 | 0,4300 | ![]() | 143 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | MBR320 | Schottky | Smaf-C | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MBR320AFC_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 3 a | 50 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 85PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | DBL159GH | 0,2874 | ![]() | 1604 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DBL159 | Standard | Dbl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,25 V @ 1,5 a | 2 µa @ 1400 V | 1,5 a | Einphase | 1,4 kv | |||||||||||||
BAV99-QVL | 0,0181 | ![]() | 5651 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV99 | Standard | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 100 v | 215 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | P2000GTL | 1.0352 | ![]() | 5012 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | P600, axial | Standard | P600 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-p2000gtltr | 8541.10.0000 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 20 a | 1,5 µs | 10 µa @ 400 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||||
SS16LHRQG | - - - | ![]() | 7326 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS16 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 400 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||
![]() | BYM10-800HE3/97 | - - - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | BYM10 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BYM10-800HE3_A/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 1 a | 10 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | MR750 | 0,9000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | - - - | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2383-MR750 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 900 mv @ 6 a | 25 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | |||||||||||||
![]() | MUR1005-BP | 0,4200 | ![]() | 4467 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 | MUR1005 | Standard | To-220ac | Herunterladen | 353-MUR1005-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 10 a | 35 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 160pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | S2Y-LTP | 0,0848 | ![]() | 2597 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2y | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | 353-S2Y-LTP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,15 V @ 1,5 a | 4 µs | 5 µa @ 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||||||
![]() | 1N4731a, 113 | - - - | ![]() | 4244 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Smzj3791a-e3/5b | - - - | ![]() | 5893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj37 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µa @ 9,1 V | 12 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | VS-VSHPS1473 | - - - | ![]() | 1674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 112-VS-VSHPS1473 | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVS2B | 0,4900 | ![]() | 5958 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,15 V @ 2 a | 2 µs | 1 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SD103BW-HE3-08 | 0,0570 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 350 Ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||
Jantxv1n5415us/tr | 14.5050 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | Standard | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5415us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
![]() | RB715FM-40T106 | 0,4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RB715 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 30 ma | 370 mv @ 1 mA | 1 µa @ 10 V | 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | 1SMB5952 | 0,1453 | ![]() | 4336 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5952 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 98,8 V | 130 v | 450 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SS2200A | 0,2555 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Mdd | SMA | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 3372-SS2200ATR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mV @ 2 a | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | JantX1N4102CUR-1/Tr | 14.8694 | ![]() | 8490 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4102CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6.7 V. | 8,7 v | 200 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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