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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Umx512 | 6.4800 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-umx512 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | B340LB-M3/52T | 0,1460 | ![]() | 8991 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B340 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 450 mV @ 3 a | 400 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||
![]() | SF31G-BP | 0,1454 | ![]() | 9253 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF31 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | 353-SF31G-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | UM9415 | - - - | ![]() | 7732 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um9415tr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 w | 4pf @ 0v, 100 MHz | Pin - Single | 50V | 1OHM @ 50 Ma, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | UM7201B | - - - | ![]() | 2407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7201btr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 5,5 w | 2.2pf @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 250 MOHM @ 100 Ma, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Pdz2.7b | 1.0000 | ![]() | 4342 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM4001CR | - - - | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Um4000 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Zucht | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um4001Crtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 25 w | 3PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 500mohm @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4747A_S00Z | - - - | ![]() | 8668 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4747 | 1 w | Do-41 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 22 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1SMB3EZ24_R1_00001 | 0,4500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1Smb3 | 3 w | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 500 NA @ 18.2 V. | 24 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BZT55C18 | 0,0350 | ![]() | 1600 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | 500 MW | Qmmelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT55C18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 13 v | 18 v | 50 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | UMX9501FMR | - - - | ![]() | 1015 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2-smd | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-umx9501fmr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 4 w | 0,9pf @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 150 v | 750 MOHM @ 50 Ma, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | UM7006B | - - - | ![]() | 4741 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7006btr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 5,5 w | 0,9PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 600V | 1ohm @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | UM2106SM | - - - | ![]() | 1805 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | SQ-Melf | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um2106Smtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 w | 2.5PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 600V | 2OHM @ 100 mA, 2 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | LXP1002-23-4/Tr | 5.4750 | ![]() | 5178 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | LXP1002 | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0060 | 1.000 | 100 ma | 250 MW | 0,32PF @ 50V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 50V | 4OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | UM7001E | - - - | ![]() | 1095 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7001e | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1,5 w | 0,9PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 1ohm @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | STZ6.2NFHT146 | 0,4600 | ![]() | 305 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 4,83% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | STZ6.2 | 200 MW | Smd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 1 µa @ 3 V | 6.11 v | 60 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1SMA5929-AU_R1_000A1 | 0,4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5929 | 1,5 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µa @ 11,4 V | 15 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | SBR3M100SAF-13 | 0,0774 | ![]() | 3830 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA Flat Leads | Superbarriere | Smaf | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR3M100SAF-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 810 mv @ 3 a | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N3022CUR-1 | 37.3500 | ![]() | 4335 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3022 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N5223B BK Zinn/Blei | 0,0431 | ![]() | 2356 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||
JantXV1N5524D-1/Tr | 26.0414 | ![]() | 4957 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5524d-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 3,5 V | 5.6 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | SMX0508-M1 | - - - | ![]() | 4071 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1208 (3020 Metrik) | M1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-SMX0508-M1TR | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 a | 0,9pf @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 500V | 400mohm @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | UM7010SM | - - - | ![]() | 6725 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | SQ-Melf | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7010Smtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 8 w | 0,9PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 1000V | 1ohm @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4751AP-TP | 0,0806 | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4751 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-1N4751AP-TPTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 22,8 V. | 30 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZV55B5V1 L1G | - - - | ![]() | 7431 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 1 v | 5.1 v | 35 Ohm | |||||||||||||||
![]() | CD4569a | 70.8000 | ![]() | 8237 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4569a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZD17C16P-E3-18 | 0,1482 | ![]() | 4819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 12 V | 16 v | ||||||||||||||||
![]() | KBPC1506W | 1.8800 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Guten Halbler | KBPC15 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, kbpc-w | Standard | KBPC-W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4786-kbpc1506w | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 7,5 a | 10 µa @ 600 V | 15 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||
![]() | BZG03B10-HM3-18 | 0,2310 | ![]() | 3924 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG03B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03B10 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 10 µa bei 7,5 V | 10 v | 4 Ohm | |||||||||||||||
Jantx1n4964us | 9.8100 | ![]() | 2199 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4964 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 13,7 V | 18 v | 4 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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