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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Max | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Tuas8g | 0,6900 |  | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Tuas8 | Standard | SMPC4.6U | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 8 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 62pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||
 | Mmbz5248elt3g | - - - | | 4590 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||||||||
 | BZX38450-C2V4F | 0,2300 | | 30 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
 | Mm3z3v0c | 0,2100 | | 62 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Mm3z3v0 | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 9 µa @ 1 V | 3 v | 89 Ohm | |||||||||||||||||
 | GBPC1504 | 5.4300 | | 90 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC15 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | GBPC1504FS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µa @ 400 V | 15 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||||
 | AZ23B5V1-HE3-08 | 0,0534 | | 9109 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23B5V1 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 800 mv | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||
 | BZT52-B24-AU_R1_000A1 | 0,2200 | | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||
 | ZPD22 | 0,0211 | | 6805 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-zpd22tr | 8541.10.0000 | 10.000 | 100 na @ 17 v | 22 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | DSA30I150PA | 2.0400 | | 6 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | DSA30I150 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 930 mv @ 30 a | 900 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||||
 | BZX79-C3V0,133 | 0,0200 | | 409 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX79-C3V0,133-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | JDH3D01STE85LF | - - - | | 3604 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 125 ° C (TJ) | SC-75, SOT-416 | JDH3D01 | SSM | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 25 ma | 0,6PF @ 0,2 V, 1 MHz | Schottky | 4V | - - - | ||||||||||||||||||||
 | GBPC2506 | - - - | | 6367 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | Standard | GBPC | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 600 V | 25 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||||||||||
 | BU2008-M3/45 | 1.9276 | | 3750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, bu | BU2008 | Standard | ISOCINK+™ BU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,05 V @ 10 a | 5 µa @ 800 V | 20 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||||
 | GDB5818WS | 0,2200 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 600 mv @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 120pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
 | BZT52H-B15,115 | 0,2300 | | 56 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||
 | BZX8450-C3V0-QR | 0,2200 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101, BZX8450-Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX8450 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 800 na @ 1 v | 3 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||
 | SML4729-E3/61 | - - - | | 8564 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4729 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 100 µa @ 1 V | 3.6 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||
 | BZT52B33 | 0,0200 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 410 MW | SOD-123 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZT52B33TR | Ear99 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||
 | BZX84B6V8 | 0,0200 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZX84B6V8TR | Ear99 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||
 | ME601615 | - - - | | 4387 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 1,35 V @ 150 a | 15 mA @ 1600 V | 150 a | DRIPHASE | 1,6 kv | ||||||||||||||||||||
 | Db101-g | - - - | | 5430 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) | DB101 | Standard | Db | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 50 V | 1 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||||
 | GBPC15005W | - - - | | 2776 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC15005 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC15005WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µa @ 50 V | 15 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||||||
| BZX84C27-E3-18 | 0,0306 | | 9471 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C27 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
 | HSMS-2810-BLKG | - - - | | 1671 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Streiflen | Veraltet | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | HSMS-2810 | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 a | 1.2PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - Single | 20V | 15ohm @ 5ma, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
 | GA01PNS80-220 | 349,8000 | | 6920 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Axial | GA01PNS80 | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-1259 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 2 a | 4PF @ 1000V, 1 MHz | Pin - Single | 8000 v | - - - | |||||||||||||||||||
 | RS2002MLS | 1.2000 | | 6423 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, RS-20ml | Standard | Rs-20ml | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RS2002ml | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 10 a | 5 µa @ 100 V. | 20 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||||||
 | MA27V1200L | - - - | | 6940 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | MA27V12 | SSSMINI2-F1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 2.14pf @ 4V, 1 MHz | Einzel | 8 v | 1.9 | C1/C4 | - - - | ||||||||||||||||||
 | CBRHD-02 TR13 PBFREE | 0,6100 | | 7 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | CBRHD-02 | Standard | 4-HD-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 400 mA | 5 µa @ 200 V. | 500 mA | Einphase | 200 v | |||||||||||||||||
 | Jan1n6624us/tr | 14.3400 | | 5258 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/585 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | 150-Jan1N6624us/Tr | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 900 V | 1,55 V @ 1 a | 60 ns | 500 NA @ 900 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||
 | BA683-GS08 | - - - | | 5843 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BA683 | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | 100 ma | 1.2PF @ 3V, 100 MHz | Pin - Single | 35 V | 900mohm @ 10 mA, 200 MHz |
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