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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SBL1050CT | - - - | ![]() | 4968 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 10a | 700 mv @ 5 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | V40D45C-M3/i | 2.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V40D45 | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 20a | 570 mv @ 20 a | 2,5 mA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | MBR1535CT | 0,5330 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-MBR1535CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 35 V | 15a | - - - | ||||||||||||
![]() | SB2045CT_T0_00001 | 0,7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SB2045 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 3757-SB2045CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 20a | 550 mV @ 10 a | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MTZJ4V3SA R0G | 0,0305 | ![]() | 9756 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ4 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 1 V | 4.17 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | CDLL5238C | 6.7200 | ![]() | 9823 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5238c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | |||||||||||||
HS2GFSH | 0,1242 | ![]() | 1333 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Standard | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS2GFSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2 a | 50 ns | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1N4736G | 0,0627 | ![]() | 6477 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4736 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1n4736gtr | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | |||||||||||
![]() | NHPV15S600G | - - - | ![]() | 2375 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | NHPV15 | Standard | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3,2 V @ 15 a | 50 ns | 60 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||
![]() | RL107-BP | 0,0397 | ![]() | 1646 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Axial | RL107 | Standard | A-405 | Herunterladen | 353-RL107-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | MMSZ5262A_R1_00001 | 0,1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | MMSZ5229A | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5262 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-mmsz5262a_r1_00001dkr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 39 V | 51 v | 125 Ohm | |||||||||||
![]() | APTDF400AK120G | 136.6900 | ![]() | 7040 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | LP4 | Aptdf400 | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1200 V | 470a | 3 V @ 400 a | 385 ns | 250 µa @ 1200 V | ||||||||||
![]() | TZMB6V2-GS08 | 0,3100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMB6v2 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||
![]() | Janhca1n757a | 7.2618 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n757a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 7 V. | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1n5929brl | - - - | ![]() | 8862 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 1N5929 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1n5930brl | - - - | ![]() | 9476 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1n5930 | 3 w | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 12,2 V. | 16 v | 10 Ohm | |||||||||||
![]() | 1T4GH | 0,0571 | ![]() | 7519 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | T-18, axial | 1t4g | Standard | TS-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1t4ghtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
1N6321us | 14.7750 | ![]() | 2913 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm | |||||||||||||||
![]() | S22 | 0,0320 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-S22TR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | FML-G16s | - - - | ![]() | 2073 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | To-220f-2l | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FML-G16S DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
IDW60C65D1XKSA1 | 2.8100 | ![]() | 626 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Schnell 1 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | IDW60C65 | Standard | PG-to247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 30a | 1,7 V @ 30 a | 66 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
![]() | SS36BQ | 0,1210 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SS36BQTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
JantX1N4973us | 9.9900 | ![]() | 5247 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4973 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 32,7 V. | 43 v | 20 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZX84B33Q | 0,0290 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZX84B33QTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1006GA | 0,5136 | ![]() | 8197 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SFF1006 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 400 V | 10a (DC) | 1,3 V @ 5 a | 35 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | 1N5914e3/tr13 | - - - | ![]() | 9709 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5914 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 3.6 V | 9 Ohm | ||||||||||||
![]() | CS1K-E3/H | - - - | ![]() | 1590 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | CS1 | Standard | Do-214AC (SMA) | - - - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,12 V @ 1 a | 1,5 µs | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
1SMA5926HR3G | - - - | ![]() | 3625 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5926 | 1,5 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 500 NA @ 8.4 V. | 11 v | 5,5 Ohm | |||||||||||||
![]() | GS3JB | 0,2800 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 3 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Mur3040 | 2.8500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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