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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MM3Z12VB | 0,2900 |  | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | MM3Z12 | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 900 na @ 8 v | 12 v | 23 Ohm | ||||||
 | 1N4750A_S00Z | - - - | | 6972 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4750 | 1 w | Do-41 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µa @ 20,6 V | 27 v | 35 Ohm | ||||||||
 | 1N4745CP/TR12 | 2.2800 | | 4682 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4745 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 12,2 V. | 16 v | 16 Ohm | ||||||
 | UDZ12B-7 | 0,3500 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | UDZ12 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 9 V | 12 v | 30 Ohm | |||||||
 | Mm5z18vt1g | - - - | | 1175 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6,4% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | MM5Z1 | 500 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 12,6 V. | 18 v | 45 Ohm | ||||||
 | BZT52C2v7 | 0,0170 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,41% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZT52C2V7TR | Ear99 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | ||||||||
 | CDLL6321 | 14.6400 | | 4079 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL6321 | 500 MW | Do-213ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm | ||||||
 | MMXZ5249C-TP | 0,0488 | | 6232 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MMXZ5249 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | 353-MMXZ5249C-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 100 mA | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 Ohm | ||||||||
 | MMSZ4683-HE3-08 | 0,0368 | | 4473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4683 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 800 na @ 1 v | 3 v | ||||||||
 | ZMC15 | 0,0442 | | 387 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | SOD-80C | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-ZMC15TR | 8541.10.0000 | 2.500 | 100 na @ 11 v | 15 v | 30 Ohm | |||||||||
 | Hzu3.0b1jtrf-e | 0,1100 | | 39 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||
| BZT52C51 | 0,0170 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZT52C51TR | Ear99 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 38 V. | 51 v | 100 Ohm | ||||||||
 | JantXV1N4480CUS | 45.1350 | | 5242 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4480Cus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 34.4 V. | 43 v | 40 Ohm | ||||||||
 | 1N5242B BK PBFREE | 0,0353 | | 7204 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 30 Ohm | |||||||
 | 3N259-M4/51 | - - - | | 6269 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | 3n259 | Standard | Kbpm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 1000 V | 2 a | Einphase | 1 kv | ||||||
 | 1N3344RB | 8.5000 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3344RB | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 V @ 10 a | 5 µA @ 98,8 V. | 130 v | 50 Ohm | ||||||
| CDLL4112D/Tr | 8.2328 | | 5422 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4112d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||
| 1N5351/TR12 | 2.6250 | | 2360 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5351 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 10,1 V | 14 v | 2,5 Ohm | ||||||
 | JantX1N4574AUR-1/Tr | 35,7000 | | 7917 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4574aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 100 Ohm | |||||||||
 | BZD27C13P-E3-08 | 0,5300 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 2 µa @ 10 V | 13 v | 10 Ohm | ||||||
 | JantXV1N6336CUS | 57.1050 | | 9251 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6336cus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 25 v | 33 v | 40 Ohm | ||||||||
 | GBU608 | 0,2790 | | 100 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-GBU608 | Ear99 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| BZD17C20P-E3-08 | 0,1356 | | 1663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 15 V | 20 v | |||||||
| SMBG5366CE3/TR13 | 1.4400 | | 6044 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5366 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 28.1 V. | 39 v | 14 Ohm | ||||||
 | SMAJ4749AHE3-TP | 0,1150 | | 5648 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ4749 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | 353-SMAJ4749AHE3-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 100 mA | 5 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||
 | MMBZ5252C-HE3-18 | - - - | | 9678 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5252 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | |||||||
 | JantX1N750D-1 | 7.2600 | | 9057 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N750 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 19 Ohm | ||||||
 | DBL207 | 0,1230 | | 250 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DBL207 | Ear99 | 2.500 | ||||||||||||||||||
| 1N4956us | - - - | | 2888 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | 1N4956 | 5 w | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1N4956s | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 µa @ 6,2 V | 8.2 v | 1,5 Ohm | ||||||||
 | BZG05C33-HE3-TR | - - - | | 7530 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 24 V. | 33 v | 35 Ohm |
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