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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Strom - Max Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss @ if, f
VS-93MT160KS90PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-93MT160KS90PBF - - -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg MT-K-Modul 93MT160 Standard MT-K Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VS93MT160KS90PBF Ear99 8541.10.0080 15 90 a DRIPHASE 1,6 kv
CMKZ5239B TR Central Semiconductor Corp CMKZ5239B TR - - -
RFQ
 ECAD 1455 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 7 V. 9.1 v 10 Ohm
HSMS-281L-BLKG Broadcom Limited HSMS-281L-BLKG - - -
RFQ
 ECAD 9580 0.00000000 Broadcom Limited - - - Streiflen Veraltet 150 ° C (TJ) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-363 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 100 1 a 1.2PF @ 0V, 1 MHz Schottky - 3 Unabhängig 20V 15ohm @ 5ma, 1 MHz
EMD3S Rectron USA EMD3S 0,3300
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Standard Md-s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-emd3str Ear99 8541.10.0080 24.000 1,05 V @ 500 mA 10 µA @ 150 V 1 a Einphase 150 v
JANTX1N4992US Semtech Corporation JantX1N4992us - - -
RFQ
 ECAD 5023 0.00000000 Semtech Corporation MIL-PRF-19500/356 Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 4,81% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf 5 w - - - Herunterladen 600-Jantx1n4992us Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 206 V 270 v 800 Ohm
SK35B-LTP Micro Commercial Co SK35B-LTP 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SK35 Schottky Do-214aa, Hsmb Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 750 mv @ 3 a 500 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
JANS1N6345CUS Microchip Technology JANS1N6345CUS 527.5650
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N6345CUS Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 56 v 75 V 180 Ohm
HSMP-3823-TR2G Broadcom Limited HSMP-3823-TR2G - - -
RFQ
 ECAD 5628 0.00000000 Broadcom Limited - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 1 a 0,8PF @ 20V, 1 MHz Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode 50V 600mohm @ 10 mA, 100 MHz
1N748A TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N748A TR PBFREE 0,0766
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 Ma 10 µa @ 1 V 3,9 v 23 Ohm
BAR6405WE6433 Infineon Technologies BAR6405WE6433 0,0300
RFQ
 ECAD 2222 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 PG-SOT323-3-1 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 7.000 100 ma 250 MW 0,35PF @ 20V, 1 MHz Pin - Single 150 v 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz
GSIB2540-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2540-E3/45 2.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GSIB-5S GSIB2540 Standard GSIB-5S Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 400 V 3.5 a Einphase 400 V
60CDQ040 Microchip Technology 60CDQ040 84.1950
RFQ
 ECAD 7943 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-204aa, to-3 Schottky To-204aa (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-60CDQ040 Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 680 mv @ 30 a 1,2 mA @ 40 v -65 ° C ~ 175 ° C. 30a - - -
BZG05C33TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C33TR - - -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic - - - -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BZG05 1,25 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 6.000 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 24 V. 33 v 1000 Ohm
PZS115V3BES_R1_00001 Panjit International Inc. PZS115V3BES_R1_00001 0,0270
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,09% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 PZS115v3 150 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.330.000 10 µa @ 4 V. 5.3 v
1N5913BG Microsemi Corporation 1N5913BG 3.0300
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N5913 1,25 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 100 µa @ 1 V 3.3 v 10 Ohm
1N5263B/TR Microchip Technology 1n5263b/tr 2.0349
RFQ
 ECAD 1942 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n5263b/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 43 v 56 v 150 Ohm
BZX84B24-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B24-HE3_A-08 0,0498
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZX84 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 112-BZX84B24-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15.000 50 Na @ 16,8 V. 24 v 70 Ohm
1N5541A/TR Microchip Technology 1n5541a/tr 1.9950
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n5541a/tr Ear99 8541.10.0050 477 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 18 v 22 v
JANTX1N6334US/TR Microchip Technology Jantx1n6334us/tr 18.4200
RFQ
 ECAD 8705 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/533 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - 150-Jantx1n6334us/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,4 V @ 1 a 50 na @ 21 v 27 v 27 Ohm
HSMP-3832-BLKG Broadcom Limited HSMP-3832-BLKG - - -
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 Broadcom Limited - - - Streiflen Veraltet 150 ° C (TJ) To-236-3, sc-59, SOT-23-3 HSMP-3832 SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 100 1 a 250 MW 0,3PF @ 50V, 1 MHz Pin - 1 Paar Serie Verbindung 200V 1,5OHM @ 100 mA, 100 MHz
HSMS-2815-TR2G Broadcom Limited HSMS-2815-TR2G - - -
RFQ
 ECAD 6075 0.00000000 Broadcom Limited - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) To-253-4, to-253aa HSMS-2815 SOT-143-4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 1 a 1.2PF @ 0V, 1 MHz Schottky - 2 Unabhängig 20V 15ohm @ 5ma, 1 MHz
S3JBFL-TP Micro Commercial Co S3JBFL-TP 0,0604
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-221aa, SMB Flat Leads S3J Standard SMBF Herunterladen 353-S3JBFL-TP Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 1700 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 25pf @ 4v, 1 MHz
1N5767 Broadcom Limited 1N5767 - - -
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Broadcom Limited - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Do-204AH, Do-35, axial 1N5767 - - - Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 100 100 ma 250 MW 0,4PF @ 50V, 1 MHz Pin - Single 100V 2,5 Ohm bei 100 Ma, 100 MHz
SMBG5927CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5927CE3/TR13 - - -
RFQ
 ECAD 2427 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel SMBG5927 2 w SMBG (Do-215AA) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 9,1 V 12 v 6,5 Ohm
MTZJ3V0SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V0SA 0,0305
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AG, Do-34, axial Mtzj3 500 MW Do-34 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-MTZJ3V0SATR Ear99 8541.10.0050 10.000 50 µa @ 1 V 2,96 v 120 Ohm
NTE5156A NTE Electronics, Inc NTE5156a 1.3000
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 NTE Electronics, Inc. - - - Tasche Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 5 w Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2368-NTE5156a Ear99 8541.10.0050 1 100 v 90 Ohm
1PMT5940A/TR7 Microchip Technology 1 PMT5940A/TR7 2.2200
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.5940 3 w Do-216aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 32,7 V. 43 v 53 Ohm
EGL34GHE3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34GHE3/83 - - -
RFQ
 ECAD 1405 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Superectifier® Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) Egl34 Standard Do-213AA (GL34) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 9.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,35 V @ 500 mA 50 ns 5 µa @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500 mA 7pf @ 4v, 1 MHz
VS-60MT80KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60MT80KPBF 69.1800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg MT-K-Modul 60mt80 Standard MT-K Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 15 60 a DRIPHASE 800 V
1N827E3/TR Microchip Technology 1n827e3/tr 10.6650
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n827e3/tr Ear99 8541.10.0050 100 2 µa @ 3 V 6.2 v 15 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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