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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84C47ET1 | - - - | ![]() | 7831 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C47 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 32.9 V. | 47 v | 170 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CMKZ5258B TR | - - - | ![]() | 9353 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 27 V | 36 v | 70 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SMBZ5934B-E3/52 | 0,1676 | ![]() | 7341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBZ5934 | 3 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 19 Ohm | ||||||||||||||
Jantxv1n5616us/tr | 10.1400 | ![]() | 6815 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/429 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5616us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||
![]() | ACZRW5246B-HF | 0,0511 | ![]() | 2739 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 350 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-Aczrw5246b-Hftr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | |||||||||||||||
![]() | GBU608-G | 0,9200 | ![]() | 6203 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU608 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 800 V | 6 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||
![]() | GBU2502-G | 1.1552 | ![]() | 4136 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU2502 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 50 V | 4.2 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
![]() | SMBJ5350A/TR13 | 1.6350 | ![]() | 7456 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5350 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 9,4 V | 13 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||||
![]() | G1JF | 0,0160 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-G1JFTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2005EJ, 115 | 0,4400 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | PMEG2005 | Schottky | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 390 mv @ 500 mA | 200 µa @ 20 V | 150 ° C (max) | 500 mA | 66PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BZT52H-C22-QX | 0,0378 | ![]() | 1929 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,67% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BZT52H-C22-QXTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 15.4 v | 22.05 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
![]() | MBRF3045CT-E3/45 | - - - | ![]() | 6353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF3045 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 600 mv @ 20 a | 1 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | BR2506 | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, BR-50 | Standard | BR-50 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-BR2506 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 600 V | 25 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | TDZ27J, 115 | 1.0000 | ![]() | 9840 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | TDZ27 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-TDZ27J, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
CDBHM160L-G | 0,2697 | ![]() | 5953 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-269aa, 4-Besop | CDBHM160 | Schottky | MBS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 650 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 V | 1 a | Einphase | 60 v | |||||||||||||||
CDBHM180L-HF | 0.3002 | ![]() | 6659 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-269aa, 4-Besop | CDBHM180 | Schottky | MBS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 850 mV @ 1 a | 500 µa @ 80 V | 1 a | Einphase | 80 v | |||||||||||||||
![]() | JANS1N6348US/Tr | 165.0150 | ![]() | 7633 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6348us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 76 V | 100 v | 340 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Hz3a1re-e | 0,1000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
SVT10120V_R1_00001 | 0,2052 | ![]() | 1434 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SVT1012 | Schottky | To-277 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 85,500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 800 mV @ 10 a | 25 µa @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||
![]() | GBU604-G | 0,9200 | ![]() | 2522 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU604 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 400 V | 6 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||
![]() | DF2005ST-G | - - - | ![]() | 4712 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF2005 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 2 a | 10 µa @ 50 V | 2 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||||
![]() | GBU1506-G | 1.3800 | ![]() | 550 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU1506 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 7.5 a | 10 µa @ 600 V | 15 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
![]() | GBU2501-G | 1.1552 | ![]() | 4550 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU2501 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 50 V | 4.2 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||
![]() | DF08ST-G | - - - | ![]() | 6464 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF08 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 800 V | 1 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||
Db104-g | - - - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) | DB104 | Standard | Db | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 400 V | 1 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
![]() | FR204GH | 0,0865 | ![]() | 1684 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-FR204GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | GBU602-G | 0,9200 | ![]() | 2812 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU602 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 3 a | 5 µa @ 200 V. | 6 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
CDBHM140L-G | 0,2697 | ![]() | 4741 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-269aa, 4-Besop | CDBHM140 | Schottky | MBS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 550 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 V | 1 a | Einphase | 40 v | |||||||||||||||
![]() | Df201-g | 0,2080 | ![]() | 5220 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) | DF201 | Standard | 4-df | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 2 a | 10 µa @ 100 V. | 2 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||
![]() | DF01S-G | - - - | ![]() | 5923 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF01 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | 1 a | Einphase | 100 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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