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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HER105G R1G | - - - |  | 1384 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | HER105 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | JANS1N5807us | 42.3600 | | 9605 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||
 | 1N3492 | 66.2550 | | 1539 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | PRICE PASSFORM | Do-208aa | Standard | Do-21 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3492 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 35 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | |||||||||||||||
 | BZX884B5V6L-HG3-08 | 0,3600 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||||
| ZMM5225B-13 | - - - | | 5167 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Zmm52 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | ZMM5225B-13GI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 µa @ 1 V | 3 v | 29 Ohm | ||||||||||||||
 | TSZU52C15 | 0,0669 | | 8543 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSZU52C15TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 11 v | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
 | MPG06A-E3/54 | 0,0792 | | 8914 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Mpg06, axial | MPG06 | Standard | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 600 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | 30HFU-200 | - - - | | 6609 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 30HFU | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *30HFU-200 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,45 V @ 30 a | 80 ns | 35 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 125 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||
 | MMBZ5253B-G3-18 | - - - | | 1843 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5253 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 19 V | 25 v | 35 Ohm | |||||||||||||||
 | AS3BJ-M3/5BT | 0,1485 | | 3485 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | As3 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 3 a | 1,5 µs | 20 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZT52-B3V3S_R1_00001 | 0,2400 | | 30 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | BZT52-B2V4S | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,12% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BZT52-B3V3S_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||
 | Mmsz5243a -au -_r1_000a1 | 0,2400 | | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5243 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.252.000 | 1 µa @ 9,9 V | 13 v | 13 Ohm | |||||||||||||||
 | BZX84J-B56,115 | 0,3600 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | BZX84J-B56 | 550 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 39.2 V. | 56 v | 120 Ohm | ||||||||||||||
 | ER3KBFL-TP | 0,0625 | | 5946 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221aa, SMB Flat Leads | ER3K | Standard | SMBF | Herunterladen | 353-ER3KBFL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,85 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 21PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
| Janhca1n983c | - - - | | 9630 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n983c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 62,2 V. | 82 v | 330 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1N5949AP/TR12 | - - - | | 4601 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5949 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 76 V | 100 v | 250 Ohm | ||||||||||||||
| MMSZ5248B-AU_R1_000A1 | 0,2400 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5248 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-mmsz5248b-au_r1_000a1tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||||
 | V3fm10-m3/h | 0,4300 | | 9086 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V3fm10 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 830 mv @ 3 a | 85 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 240pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
| 1N4763CPE3/TR12 | - - - | | 4777 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4763 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 69.2 V. | 91 V | 250 Ohm | |||||||||||||||
 | BZT52H-C11-QX | 0,0378 | | 3514 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,45% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BZT52H-C11-QXTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX79B3V6 A0G | - - - | | 5537 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 mA | 1 ma @ 15 v | 3.6 V | 90 Ohm | ||||||||||||||
 | US2FA | 0,4300 | | 6468 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US2F | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1 V @ 1,5 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
| UM4002SM | - - - | | 6230 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | SQ-Melf | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um4002Smtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 20 w | 3PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 200V | 500mohm @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| UM7301B | - - - | | 7574 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7301btr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 4 w | 0,7p @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 3OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| DMF2826-000 | 10.4243 | | 6999 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | DMF | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | 3-smd, flaches blei | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | 863-DMF2826-000 | 100 | 100 ma | 75 MW | - - - | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | - - - | - - - | |||||||||||||||||||
| MADP-007167-12250T | 1.7100 | | 9699 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | SC-74A, SOT-753 | MADP-007167 | SOT-25-5 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 1465-MADP-007167-12250t | 1 | 10 ma | 0,3PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 200V | 3OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||
 | LXS201-143-5 | - - - | | 4591 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | LXS201 | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 a | 250 MW | 0,3PF @ 0V, 1 MHz | - - - | 3v | ||||||||||||||||
| MA47266-146T | 25.0542 | | 7883 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Axial | MA47266 | Axial | - - - | 1465-ma47266-146t | 1 | 1 w | 1,5PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 200V | 600mohm @ 50 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||
 | SMS3924-040LF | 0,6800 | | 5 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SOD-882 | SMS3924 | SOD-882 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 ma | 75 MW | - - - | Schottky - Single | 70V | - - - | ||||||||||||||||
 | MADP-011027-14150T | 3.3100 | | 2 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | 6-WFDFN exponiert Pad | MADP-011027 | 6-TDFN (1,5x1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0060 | 3.000 | 250 Ma | 3.3 w | 0,35PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 2,6OHM @ 10 mA, 1 GHz |
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