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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Strom - Max Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss @ if, f Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
M3Z2V2C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z2v2c 0,0294
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F M3Z2 200 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-M3Z2V2Ctr Ear99 8541.10.0050 6.000 120 µa @ 1 V 2,2 v 100 Ohm
MUR10100A-BP Micro Commercial Co MUR10100A-BP 0,9726
RFQ
 ECAD 2430 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Lets Kaufen K. Loch To-247-2 Mur10100 Standard To-247ac Herunterladen 353-MUR10100A-BP Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 2,4 V @ 10 a 65 ns 10 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a - - -
BZX55B51 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B51 A0G - - -
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 mA 100 Na @ 38 V. 51 v 125 Ohm
JANTX1N965C-1 Microchip Technology JantX1N965C-1 5.6850
RFQ
 ECAD 1771 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,3 V @ 200 Ma 500 na @ 11 v 15 v 16 Ohm
MB1505W Diodes Incorporated MB1505W - - -
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 ECAD 7042 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, mb-w Standard Mb-w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MB1505WDI Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 7,5 a 10 µa @ 50 V 15 a Einphase 50 v
JANTXV1N4568A-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4568a-1/tr 12.0000
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/452 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n4568a-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 V 6.4 v 200 Ohm
DF01SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF01SA-E3/77 0,6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel DF01 Standard DFS Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 1,1 V @ 1 a 5 µa @ 100 V. 1 a Einphase 100 v
1N4774A/TR Microchip Technology 1N4774a/tr 134.9700
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 250 MW Do-7 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n4774a/tr Ear99 8541.10.0050 100 10 µa @ 6 V 9.1 v 200 Ohm
1N4986 Microchip Technology 1N4986 9.8250
RFQ
 ECAD 1548 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch E, axial 1N4986 5 w Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µa @ 114 V 150 v 330 Ohm
S12GC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S12GC M6G - - -
RFQ
 ECAD 5736 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC S12G Standard Do-214AB (SMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 12 a 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a 78PF @ 4V, 1 MHz
SCAJ05FF Semtech Corporation SCAJ05FF - - -
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 Semtech Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 4 Quadratmeter SCAJ05 Standard - - - - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1 1,2 V @ 1,5 a 2 µa @ 50 V 1,5 a Einphase 50 v
PB2508 Yangjie Technology PB2508 1.1040
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, pb Standard Pb - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-PB2508 Ear99 750 1 V @ 12.5 a 5 µa @ 800 V 25 a Einphase 800 V
GDZ5V1B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ5V1B-G3-08 0,3300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Gdz-g Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 Gdz5v1 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 µa @ 1 V 5.1 v 80 Ohm
DZ23C6V8_R1_00001 Panjit International Inc. DZ23C6V8_R1_00001 0,0378
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DZ23C6v8 300 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.252.000 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 na @ 3 v 6,8 v 8 Ohm
MV7643/TR Microchip Technology Mv7643/Tr - - -
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-mv7643/tr Ear99 8541.10.0050 1
MMBZ5235A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5235A_R1_00001 0,0189
RFQ
 ECAD 5875 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2,06% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5235 410 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.252.000 3 µa @ 5 V 6,8 v 5 Ohm
KBU601-G Comchip Technology KBU601-G - - -
RFQ
 ECAD 6625 0.00000000 Comchip -technologie - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBU Standard KBU - - - 641-KBU601-G Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 3 a 10 µa @ 100 V. 6 a Einphase 100 v
MBR1050CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1050CT C0G - - -
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 MBR1050 Schottky To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 10a 900 mv @ 10 a 100 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBU8M-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8M-E3/51 2.1400
RFQ
 ECAD 734 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU8 Standard GBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 8 a 5 µA @ 1000 V 3.9 a Einphase 1 kv
PDA6R6201630 Powerex Inc. PDA6R6201630 - - -
RFQ
 ECAD 3588 0.00000000 Powerex Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 10
MPP4202-206/TR Microchip Technology MPP4202-206/Tr 4.2200
RFQ
 ECAD 866 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C. 0402 (1005 Metrik) MPP4202 0402 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MPP4202-206/Tr Ear99 8541.10.0070 1.000 0,15PF @ 10V, 1 MHz Pin - Single 50V 2,8ohm bei 20 mA, 100 MHz
VBO20-08NO2 IXYS VBO20-08NO2 - - -
RFQ
 ECAD 7223 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, fo-a VBO20 Standard Fo-a Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10 1,8 V @ 55 a 300 µa @ 800 V 31 a Einphase 800 V
NRVHP260SFT3G onsemi NRVHP260SFT3G 0,1460
RFQ
 ECAD 4209 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F NRVHP260 Standard SOD-123FL Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-NRVHP260SFT3GTR Ear99 8541.10.0080 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 4,2 V @ 2 a 50 ns 1 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a - - -
DZ23C12-TP Micro Commercial Co DZ23C12-TP 0,2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DZ23C12 300 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 na @ 9 V 12 v 20 Ohm
HSMS-282P-TR2G Broadcom Limited HSMS-282P-TR2G - - -
RFQ
 ECAD 5704 0.00000000 Broadcom Limited - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HSMS-282p SOT-363 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 1 a 1pf @ 0v, 1 MHz Schottky - 2 Paar Serie Verbindung 15 v 12ohm @ 5ma, 1 MHz
MMSZ4707-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4707-E3-08 0,2700
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ4707 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 10 Na @ 15,2 V. 20 v
BZX79-C68,113 NXP USA Inc. BZX79-C68,113 0,0200
RFQ
 ECAD 261 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX79 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
PZU5.6B,115 NXP USA Inc. Pzu 5.6b, 115 0,0300
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pzu5.6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
S8JC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S8JC R7 - - -
RFQ
 ECAD 7394 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard Do-214AB (SMC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-S8JCR7TR Ear99 8541.10.0080 850 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 985 mv @ 8 a 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 48PF @ 4V, 1 MHz
MV2109G onsemi Mv2109g - - -
RFQ
 ECAD 4583 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-2, to-92-2 (to-226ac) Mv210 To-92 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MV2109GOS Ear99 8541.10.0070 1.000 36.3PF @ 4V, 1 MHz Einzel 30 v 3.2 C2/C30 200 @ 4V, 50 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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