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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DD600S65K3NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD600S65 | Standard | A-IHV130-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 6500 v | - - - | 3,5 V @ 600 a | 900 a @ 3600 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | |||||
![]() | RF302lam2stftr | 0,7600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RF302 | Standard | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 3 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | 3a | - - - | ||||
BZT52C24Q | 0,0270 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZT52C24qtr | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | UG3GB | 0,1430 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-ug3gbtr | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | M6 | 0,0130 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Smae | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-m6tr | Ear99 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | BAW100 BK PBFREE | - - - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BAW100 | Standard | SOT-143 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1514-BAW100BKPBFREE | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 75 V | 250 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 6 ns | 1 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | ESH1PCHM3/85A | 0,1681 | ![]() | 7196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Esh1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | D251N20BXPSA1 | - - - | ![]() | 4772 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | D251n | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 30 mA @ 2000 v | -40 ° C ~ 180 ° C. | 255a | - - - | |||||||
![]() | Gsbat54t | 0,2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Schottky | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 125 ° C. | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | S1M-AQ-CT | 0,1972 | ![]() | 8826 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Streiflen | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1m | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2721-S1M-AQ-CT | 8541.10.0000 | 30 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1,5 µs | 5 µa @ 1 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||
![]() | MBR10L100cth | 0,6996 | ![]() | 6139 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR10 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBR10L100cth | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 850 mV @ 10 a | 20 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | SSL510 | 0,4500 | ![]() | 7913 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 700 mv @ 5 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 680PF @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | V10pwl45HM3/i | 0,3531 | ![]() | 5284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10PWL45HM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 520 mv @ 10 a | 1,5 mA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 2190pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
![]() | DD600N16KXPSA1 | 310.0250 | ![]() | 2478 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB60E2A-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 448-DD600N16KXPSA1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1600 v | 600a | 1,32 V @ 1,8 ka | 40 mA @ 1,6 kV | 150 ° C. | |||||||
![]() | 1N6642UB2R/Tr | 37.2400 | ![]() | 5754 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 100 | ||||||||||||||||||||||
![]() | US1J | 0,1200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1 | Standard | SMA (Do-214AC) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | UFT7130a | - - - | ![]() | 5593 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | SCHAUBENHAUTERUNG | Modul | Standard | Modul | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 300 V | 35a | 1,2 V @ 35 a | 60 ns | 25 µa @ 300 V | ||||||||
![]() | GP10-4007-E3/54 | 0,1780 | ![]() | 6709 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | - - - | 1a | - - - | |||||||
![]() | Hsb2838tl-e | 0,1100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | MURS160A-13 | 0,4400 | ![]() | 9752 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | SMA | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 13pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | SD630CS_L2_00001 | 0,7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SD630 | Schottky | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-SD630CS_L2_00001CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 6a | 550 mV @ 3 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||
![]() | Es2ja | 0,2200 | ![]() | 9491 | 0.00000000 | Anstieg | - - - | Tasche | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2616-ES2JA | 3a001 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 a | 25 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | SR4436LRL | 0,4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 800 | |||||||||||||||||
![]() | Hsu227trf-e | 0,0900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | SK24a | 0,1600 | ![]() | 4552 | 0.00000000 | Anstieg | - - - | Tasche | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SK24 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2616-sk24a | 3a001 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 2 a | 200 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | SS18AQ | 0,0500 | ![]() | 750 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SS18aqtr | Ear99 | 7.500 | ||||||||||||||||||
![]() | PAD5 TO-72 3L | 6.8700 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | Einmauer | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | TO-72-3 Metalldose | Standard | To-72-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 500 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 45 V | 1,5 V @ 5 mA | 5 pa @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 50 ma | 0,5PF @ 5V, 1 MHz | ||||||
![]() | VS-E5th1506S2L-M3 | 1.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® G5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 15 a | 31 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |||||
![]() | SF1608GH | 0,7215 | ![]() | 5300 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SF1608 | Standard | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SF1608GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 16a | 1,7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | SD101AW-HE3-08 | 0,3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 60 v | 1 V @ 15 mA | 1 ns | 200 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 30 ma | 2PF @ 0V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus