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Gleichrichter (74344)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ES1CWF-HF | 0,0690 |  | 7745 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | ES1C | Standard | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-es1cwf-hftr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||
 | 16f160 | 1.6670 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-16f160 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,2 V @ 16 a | 10 µa @ 1600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | |||||
 | SK58 | 0,1878 | | 33 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-sk58tr | 8541.10.0000 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 830 mv @ 5 a | 200 µa @ 80 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||
 | 1N5615c.tr | - - - | | 8040 | 0.00000000 | Semtech Corporation | * | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | - - - | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | |||||||||||||||||||
 | Heraf804g C0g | - - - | | 5628 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Heraf804 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||
 | MBRB10H45-E3/81 | - - - | | 1805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB10 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 630 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||
 | GS3J | 0,3500 | | 4063 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 3 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
 | SSC53LHE3_A/H | 0,7200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SSC53 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 mV @ 5 a | 700 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||
 | HER506GP-TP | 0,1520 | | 7448 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | HER506 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | 353-HER506GP-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 5 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||||
 | VS-30WQ06FNTRRPBF | - - - | | 9095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 30WQ06 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS30WQ06FNTRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 610 mv @ 3 a | 2 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | 145pf @ 5v, 1 MHz | ||||
| SBR10U45SP5Q-13-52 | 0,3533 | | 2718 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | 31-SBR10U45SP5Q-13-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 45 V | 470 mv @ 10 a | 300 µa @ 45 V | - - - | 10a | - - - | ||||||||
 | RS5DC-HF | 0,1783 | | 9533 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | RS5D | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-RS5DC-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 5 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | SS1H20LW | 0,4000 | | 6531 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | SS1H20 | Schottky | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 850 mV @ 1 a | 500 NA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||
| JantX1N6768R | - - - | | 6910 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | Standard | To-257 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,06 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 40 V | - - - | 8a | 150pf @ 5v, 1 MHz | ||||||
| MSASC25W45K | 204.4800 | | 2112 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 775 mv @ 20 a | 300 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - - - | |||||||
 | 1N916 | 1.0000 | | 2109 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||
| MBR30200PTH | 1.8582 | | 8802 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | MBR30200 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBR30200PTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 30a | 1,1 V @ 30 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | NRVB8H100MFSWFT1G | 0,9300 | | 1972 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NRVB8 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 8 a | 2 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||
| QR406_T0_00001 | - - - | | 6345 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | QR406 | Standard | To-220ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3757-qr406_t0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,45 V @ 4 a | 60 ns | 3 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | ||||
 | Bas32L, 115 | 0,0200 | | 3 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Standard | Llds; Minimelf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Bas32L, 115-954 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | 200 ° C (max) | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||
 | RS2AA | 0,1031 | | 1548 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC (SMA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-RS2AATR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | VS-300U20A | 50.2400 | | 3356 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 300U20 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,4 V @ 942 a | 40 mA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300a | - - - | |||||
 | NRTS6100TFSTAG | 0,2636 | | 1921 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Schottky | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NRTS6100TFSTAGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 680 mv @ 6 a | 50 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 782pf @ 1V, 1 MHz | |||||
 | AR1FK-M3/i | 0,0889 | | 7824 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Lawine | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-AR1FK-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,6 V @ 1 a | 120 ns | 1 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9.3PF @ 4V, 1 MHz | |||||
| BYWB29-100-E3/45 | 0,6674 | | 7712 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BYWB29 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||
 | 70HFR80 | 3.6600 | | 470 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-70HFR80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 70 a | 200 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 70a | - - - | |||||
 | Rs1khe3_a/i | 0,1022 | | 4438 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS1K | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | CGRB301-HF | 0,1403 | | 1607 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CGRB301 | Standard | SMB/DO-214AA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CGRB301-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 3 a | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||
 | DA3X103E0L | - - - | | 7812 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DA3x103 | Standard | Mini3-g3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 100 mA (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 10 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C (max) | |||||
| RB751S-40FVTE61 | - - - | | 5979 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB751 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB751S-40FVTE61TR | Veraltet | 3.000 |
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