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Gleichrichter (74344)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MURF2060CT | 0,5320 |  | 6847 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-MURF2060CT | 8541.10.0000 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 10a | 2 V @ 10 a | 50 ns | 1 µa @ 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
 | D650N08TXPSA1 | - - - | | 8204 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | D650N08 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 950 MV @ 450 a | 20 mA @ 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 650a | - - - | ||||||
 | RB161SS-30T2R | - - - | | 5794 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | RB161 | Schottky | Kmd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB161SS-30T2RTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 8.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 520 mv @ 1 a | 500 µa @ 30 V | 125 ° C. | 1a | - - - | ||||
 | SBYV27-100-E3/73 | - - - | | 7089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SBYV27 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,07 V @ 3 a | 15 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||
 | BZX584C33VQ | 0,0270 | | 800 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZX584C33VQTR | Ear99 | 8.000 | ||||||||||||||||||
 | RBR30NS40ATL | 1.7100 | | 995 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RBR30 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 360 µa @ 40 V | 150 ° C. | |||||
 | C3045CT-G | - - - | | 7669 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | C3045 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 30a | 550 mv @ 15 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
| WNSC2D30650CWQ | 6.8600 | | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 30a | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | 175 ° C. | |||||||
| 1n5420 tr | - - - | | 4088 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Box (TB) | Lets Kaufen | K. Loch | R-4, axial | 1N5420 | Standard | GPR-4am | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 10 mA | 400 ns | 1 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 110pf @ 12v, 1 MHz | ||||||||
| BAS40-04 | 0,0581 | | 6774 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BAS40-04TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 200 ma | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||
 | V30KM100HM3/h | 1.0000 | | 8258 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 810 mv @ 30 a | 300 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 165 ° C. | 4.4a | 2450pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
| RA258 | 0,3583 | | 4386 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Ra | Standard | Ra | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-RA258TR | 8541.10.0000 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 80 a | 1,5 µs | 5 µa @ 800 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - - - | ||||||
 | VS-20TF04-M3 | 2.0048 | | 5249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | 20ETF04 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-20TF04-M3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 20 a | 160 ns | 100 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||
| Jan1N5419 | - - - | | 3517 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/411. | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Axial | Standard | Axial | Herunterladen | Jan1n5419s | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,1 V @ 3 a | 250 ns | 1 µA @ 500 V | - - - | 4,5a | 140pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
 | Jantx1n5615us/tr | 8.8200 | | 5685 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5615us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,6 V @ 3 a | 150 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||
 | 1N1437R | 2.5000 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n1437r | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,19 V @ 90 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40a | - - - | |||||
 | HER302G-TP | 0,1483 | | 3634 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | HER302 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||
 | SK54L_R1_00001 | 0,6200 | | 602 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK54 | Schottky | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-sk54l_r1_00001tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 440 mv @ 5 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||
 | 1n2067 | 21.0000 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | Do-9 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n2067 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 900 V | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 900 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | |||||
 | Bas70t | 0,0170 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Schottky | SOT-523 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-Bas70ttr | Ear99 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 70 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||
 | GP1602HC0G | - - - | | 4505 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | GP1602 | Standard | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 16a | 1,1 V @ 8 a | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | CDBA240-G | 0,4700 | | 64 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | CDBA240 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 V | 125 ° C (max) | 2a | - - - | |||||
 | HSM390JE3/TR13 | 1.0200 | | 1435 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | HSM390 | Schottky | Do-214AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 810 mv @ 3 a | 100 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||
 | NTS1245MFST3G | - - - | | 7928 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTS1245 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 570 mv @ 12 a | 120 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | |||||
 | SD101CW-7-F | 0,3800 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 900 mv @ 15 mA | 1 ns | 200 na @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 15 Ma | 2.2pf @ 0v, 1 MHz | ||||
 | CDBFR43 | 0,0680 | | 7631 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 1005 (2512 Metrik) | Schottky | 1005/SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V. | 125 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||
 | S3D16065D | 4.8200 | | 600 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | S3D16065 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -1765-s3d16065d | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 23a | 1,8 V @ 8 a | 0 ns | 51 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
| MBR30150pth | 1.8582 | | 6636 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | MBR30150 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBR30150PTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 30a | 1,02 V @ 30 a | 500 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | AZ23C43Q | 0,0460 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-AZ23C43qtr | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | MD120A16D1-BP | 29.8200 | | 77 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | D1 | MD120 | Standard | D1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 1600 v | 120a | 1,35 V @ 300 a | 6 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. |
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