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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTDF400KK100G | 133.4200 | ![]() | 8874 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | LP4 | Aptdf400 | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1000 v | 500a | 2,7 V @ 400 a | 290 ns | 250 µa @ 1000 V | |||||
![]() | MUR1060CT-BP | 0,4650 | ![]() | 6947 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Mur1060 | Standard | To-220ab | Herunterladen | 353-MUR1060CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 10a | 1,7 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | APT40DQ100BG | 2.4400 | ![]() | 8117 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | APT40DQ100 | Standard | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 3 V @ 40 a | 250 ns | 100 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 40a | - - - | ||||
![]() | 1N3290R | 15.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3290r | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | |||||
![]() | VSSC520S-M3/9AT | 0,5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SC520 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,7 V @ 5 a | 200 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 280pf @ 4v, 1 MHz | |||||
![]() | SBR10U300CT-G | - - - | ![]() | 4288 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SBR10 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-SBR10U300CT-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 300 V | 10a | 920 mv @ 10 a | 35 ns | 200 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | UG8HCT-E3/45 | - - - | ![]() | 4603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Ug8 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 500 V | 4a | 1,75 V @ 4 a | 50 ns | 30 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | Esh1pdhe3/84a | - - - | ![]() | 4358 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Esh1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | 1N3619 | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3619 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,2 V @ 50 a | 1,75 µa @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | |||||
![]() | VS-90EPF12L-M3 | 5.0094 | ![]() | 2885 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | 90eff12 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,38 V @ 90 a | 480 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 90a | - - - | ||||
![]() | SDT05S60XK | 2.3700 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 5 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 170pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | SF1606PT | 1.4023 | ![]() | 4364 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SF1606 | Standard | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 85PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | PMEG060T080CLPE-QZ | 0,7700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | PMEG060 | Schottky | CFP15B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 4a | 660 mv @ 4 a | 17 ns | 1,8 µa @ 60 V | 175 ° C. | ||||
![]() | SF68GHB0G | - - - | ![]() | 9581 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF68 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | 1N4593R | 35.5695 | ![]() | 2449 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-205AA, DO-8, Stud | 1N4593R | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1N4593Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,5 V @ 150 a | 5,5 mA @ 800 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||
![]() | HER508-F | 0,1550 | ![]() | 7189 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-Her508-Ftr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1,7 V @ 3 a | 75 ns | 500 NA @ 1000 V. | 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
![]() | SFF1006GH | 0,5318 | ![]() | 2038 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SFF1006 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SFF1006GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 10a | 1,3 V @ 5 a | 35 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | BYP35K6 | 1.0878 | ![]() | 7927 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-208aa | Standard | Do-208 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-BYP35K6TR | 8541.10.0000 | 12.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 35 a | 1,5 µs | 100 µA @ 600 V | -50 ° C ~ 200 ° C. | 35a | - - - | ||||||
![]() | M5 | 0,0149 | ![]() | 7 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC, SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-M5TR | 8541.10.0000 | 7.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 1,5 µs | 5 µa @ 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||
![]() | MBR140LSF-TP | - - - | ![]() | 7035 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-123F | MBR140 | Schottky | SOD-123FL | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 400 mV @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 100 ° C. | 1a | - - - | ||||||
![]() | MBRB3060CTS | 0,3960 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Schottky | To-263 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-mbrb3060ctstr | Ear99 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 30a | 750 mv @ 15 a | 200 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | BAS40-06B5000 | 0,0300 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 0 ns | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||
![]() | PSDH30120L1_T0_00001 | 5.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | PSDH30120 | Standard | To-247ad-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 3757-PSDH30120L1_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,6 V @ 30 a | 240 ns | 250 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||
![]() | SS310LH | 0,4613 | ![]() | 4093 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SS310 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SS310LHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||
![]() | PMEG6045ETP-QX | 0,6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 530 MV @ 4,5 a | 20 ns | 400 µa @ 60 V | 175 ° C. | 4,5a | 575PF @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | FFB20UP20DN | 0,6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | D2pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 1,15 V @ 10 a | 40 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||
![]() | SSL36a | 0,0820 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SSL36ATR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||||
![]() | CD4454 | 1.2635 | ![]() | 9517 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | Standard | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4454 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | |||||
![]() | MBR0520-TPS01 | 0,0636 | ![]() | 2376 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MBR0520 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | 353-MBR0520-TPS01 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 450 MV @ 500 mA | 100 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | R3711 | 49.0050 | ![]() | 3946 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R3711 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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