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Optoisolatoren (15788)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FODM3021R2V | 0,4000 |  | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 400 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 15 Ma | - - - | |||||||||||||||||
 | SFH6156-3T-LB | - - - | | 1258 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH6156 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 751-SFH6156-3T-LB | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 14 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | FOD817A3S | 1.0000 | | 5674 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||||
| TLP754F (D4-TP4, F) | - - - | | 8338 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP754 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 30 V | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP754F (D4-TP4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1 mbit / s | - - - | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 550ns, 400 ns | |||||||||||||||||
| FODM3052R4 | 0,5100 | | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||
 | HCPL0637 | 1.0000 | | 7822 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 10 mbit / s | 17ns, 5ns | 1,75 V (max) | - - - | 3750 VRMs | 2/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||
 | PC3SD21YXPDH | 0,6521 | | 8287 | 0.00000000 | Sharp/Socle -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leads), Möwenflügel | PC3SD21 | CSA, Ur, VDE | 1 | Triac | 6-smd | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 3,5 Ma | Ja | 1kV/µs | 3ma | 50 µs (max) | ||||||||||||||||
 | H11AA1W | 0,2700 | | 18 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||
 | HCPL-070A | 6.6000 | | 4703 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL-070 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-so | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 60 mA | - - - | 18V | 1,25 V. | 5 Ma | 3750 VRMs | 600% @ 500 ähm | 8000% @ 500 ähm | 3 µs, 34 µs | - - - | |||||||||||||||
 | TLP785F (GB-TP7, f | - - - | | 1625 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (GB-TP7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-J454-500E | 1.3714 | | 2582 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-J454 | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,59 v | 25 ma | 3750 VRMs | 19% @ 16ma | 60% @ 16 ma | 500 ns, 800 ns | - - - | |||||||||||||||
 | RV1S9960ACCSP-10YV#SC0 | - - - | | 3103 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | RV1S9960 | - - - | 2156-RV1S9960ACCSP-10YV#SC0 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4n27 (Short-TP1, F) | - - - | | 6824 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n27 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4N27 (Short-TP1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 100 ma | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 80 Ma | 2500 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | - - - | 500mv | |||||||||||||||
 | CNY17G-1 | 0,1993 | | 9583 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | MOC8102s | - - - | | 4608 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8102S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 73% @ 10ma | 117% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| H11B1SR2VM | 1.0000 | | 6308 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 4170 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V | |||||||||||||||||||
 | HCPL4502SV | - - - | | 7933 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL45 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 300 ns | - - - | ||||||||||||||||
 | HCPL-2202-000E | 3.9000 | | 2698 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-2202 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 ma | 5mb | 30ns, 7ns | 1,5 v | 10 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 1kV/µs | 300 ns, 300 ns | |||||||||||||||
| MCT2ESM | 0,6600 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2ESM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 1,5 µs | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||
 | FOD8160 | 4.0700 | | 7760 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,362 ", 9,20 mm Breit), 5 Leads | FOD816 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 3 V ~ 5,5 V. | 5-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 10 mbit / s | 22ns, 9ns | 1,45 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/1 | 20 kV/µs | 90ns, 80ns | |||||||||||||||
 | TLP2098 (f) | - - - | | 4586 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP2098 | AC, DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 6-mfsop, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2098f | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | 25 ma | 5 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,57 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
 | TCET1107 | 0,5500 | | 76 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TCET1107 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | |||||||||||||||
| PC3H7J00001H | - - - | | 5046 | 0.00000000 | Sharp/Socle -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 10.500 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||
 | EL3052M | - - - | | 5709 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | EL3052 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903520001 | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,18 v | 60 mA | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 250 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||
 | PS2832-1-F3-A | - - - | | 6031 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | DC | 1 | Darlington | 4-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 60 mA | 20 µs, 5 µs | 300 V | 1,2 v | 50 ma | 2500 VRMs | 400% @ 1ma | 4500% @ 1ma | - - - | 1V | |||||||||||||||||
| PC81711NIP0X | - - - | | 2112 | 0.00000000 | Sharp/Socle -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 10 ma | 5000 VRMs | 120% @ 500 ähm | 300% @ 500 ähm | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
| PS2701A-1-MA | - - - | | 5707 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Streiflen | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 20 | 30 ma | 5 µs, 7 µs | 70V | 1,2 v | 30 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
 | ACPL-227-50BE | 1.2500 | | 19 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) | ACPL-227 | DC | 2 | Transistor | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| FOD4208V | 1.8600 | | 7041 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | FOD4208 | Cul, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,28 v | 30 ma | 5000 VRMs | 800 V | 500 ähm | NEIN | 10kV/µs | 2ma | 60 µs | |||||||||||||||||||
| ILD5 | 2.1400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ILD5 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2,6 µs, 2,2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | 400% @ 10 mA | 1,1 µs, 2,5 µs | 400mV |
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