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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PS2561DL1-1Y-F3-HA | 0,2163 |  | 7731 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,2 v | 40 ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP161G (IFT7, U, C, F. | - - - | | 8697 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP161 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP161G (IFT7UCFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Vo4254d | - - - | | 6719 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | VO4254 | cur, fimko, ur | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 400 V | 300 ma | - - - | NEIN | 5kV/µs | 1,6 Ma | - - - | ||||||||||||||||
 | MOC3022 | - - - | | 1231 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc302 | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3022QT | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 5300 VRMs | 400 V | 100 µA | NEIN | 10 ma | |||||||||||||||||||||
 | SFH615A-3XSM | 0,6400 | | 297 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SFH615 | DC | 1 | Transistor | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 14 µs | 70V | 1,65 V (max) | 50 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||
| 4N33-X017 | - - - | | 5702 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n33 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V (Typ) | |||||||||||||||
 | PS2533L-1-F3-KA | - - - | | 2816 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Darlington | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 150 Ma | 100 µs, 100 µs | 350 V | 1,15 V | 80 Ma | 5000 VRMs | 1500% @ 1ma | 6500% @ 1ma | - - - | 1V | ||||||||||||||||
 | LTV-208 | 0,3658 | | 8696 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 2 | Transistor | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 30 ma | 3750 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 5 µs, 4 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | FODM3052R2V_NF098 | - - - | | 4733 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | cur, ur, vde | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
| FODM3052R2 | - - - | | 3266 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
 | MOC3062FR2VM | - - - | | 4201 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc306 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3062FR2VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 600 V | 500 µA (Typ) | Ja | - - - | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
 | PC3SD21YTZDF | - - - | | 1233 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads | PC3SD21 | CSA, Ur, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 425-2134-5 | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 3,5 Ma | Ja | 1kV/µs | 3ma | 50 µs (max) | |||||||||||||||
 | PC817XIJ000F | - - - | | 5458 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 425-2193-5 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
 | FOD814A300 | 0,7300 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FOD814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 1ma | 150% @ 1ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
| EL816 (S1) (D) (TD) | - - - | | 2731 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
| CNY173SR2M | 0,8500 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY173 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | PVI1050NSPBF | 12.2000 | | 2128 | 0.00000000 | Infineon -technologien | PVI | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel, 4 Leads | PVI1050 | DC | 2 | Photovoltaik | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 5 ähm | - - - | 5v | - - - | 2500 VRMs | - - - | - - - | 300 µs, 220 µs (max) | - - - | ||||||||||||||||
| SFH600-3X002 | - - - | | 1007 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH600 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 751-SFH600-3x002 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 14 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 5,8 µs, 24 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | FOD2712 | - - - | | 9044 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FOD271 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||
| FODM3021R4 | - - - | | 1482 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 400 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||
| 4n27 (Short-TP1, F) | - - - | | 6824 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n27 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4N27 (Short-TP1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 100 ma | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 80 Ma | 2500 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | - - - | 500mv | |||||||||||||||
| S21MT2 | - - - | | 7798 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | S21M | Ur | 1 | Triac | 4-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | 425-1292-5 | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 3,5 Ma | Ja | 100 V/µs | 10 ma | 50 µs (max) | |||||||||||||||
 | VO615A-X006 | 0,1190 | | 4613 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,43V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-073A | 7.8428 | | 1445 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL-073 | DC | 2 | Darlington | 8-so | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 60 mA | - - - | 18V | 1,25 V. | 5 Ma | 3750 VRMs | 600% @ 500 ähm | 8000% @ 500 ähm | 3 µs, 34 µs | - - - | |||||||||||||||
 | HMHA281R2_F132 | - - - | | 4965 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
| MOC5007SVM | - - - | | 6514 | 0.00000000 | Onsemi | Globaloptoisolator ™ | Tasche | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC500 | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 1MHz | - - - | - - - | 1,6 Ma | 7500vpk | 1/0 | - - - | - - - | |||||||||||||||
| HCPL0534 | 2.4400 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL05 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 15% @ 16 Ma | - - - | 450ns, 300 ns | - - - | |||||||||||||||
| PC81713NSZ0F | - - - | | 9356 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 425-2183-5 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 10 ma | 5000 VRMs | 200% @ 500 ähm | 500% @ 500 ähm | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
| FODM3010R2 | - - - | | 9750 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 250 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||
 | PC123XNYIP1B | - - - | | 3932 | 0.00000000 | Sharp/Socle -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 6.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | - - - | - - - | - - - | 200mv |
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