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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 5962-8947701pa | 179.3868 |  | 6218 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 5962-8947701 | AC, DC | 1 | Darlington | 8-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 40 ma | 10 µs, 0,5 µs | 20V | - - - | 1500VDC | - - - | - - - | 4 µs, 8 µs | - - - | ||||||||||||||||
 | FOD817A3SD | - - - | | 9199 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||||
 | H11AA3300 | - - - | | 9132 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AA3300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| 5962-9685201Hya | 113.8885 | | 4518 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Smd-Butt-Gelenk | 5962-9685201 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 30 V | 8-Dip-Buttfuge | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | - - - | - - - | 1,5 v | 25ma | 1500VDC | 1/0 | 10 kV/µs (Typ) | 750 ns, 500 ns | |||||||||||||||
 | Vo217at | 0,2596 | | 3867 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | VO217 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 3 µs, 2 µs | 30V | 1V | 60 mA | 4000 VRMs | 100% @ 1ma | 130% @ 1ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | TLP292-4 (V4LATRE | 1.7600 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 500 ähm | 600% @ 500 ähm | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | 6N139SM | - - - | | 7808 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 60 mA | - - - | 18V | 1,3 v | 20 ma | 5000 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | 240 ns, 1,3 µs | - - - | |||||||||||||||||||
 | 4N32S1 (TB) | - - - | | 7216 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907150055 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | ||||||||||||||||
 | HCPL-7710-520 | - - - | | 2536 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | Logik | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 ma | 12,5 MBD | 13ns, 5ns | - - - | - - - | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 40ns, 40ns | ||||||||||||||||
 | TCLT1111 | 0,2596 | | 3631 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe), 5 Leads | TCLT1111 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-fuß, 5 Pin | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | VO610A-2 | 0,4300 | | 9302 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | VO610 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 6 µs, 5 µs | 300mV | ||||||||||||||||
| EL2611S1 (TA) -V | 1.6557 | | 1424 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | EL2611 | DC | 1 | Offener Sammler | 7v | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | C180000092 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 40ns, 10ns | 1,4 v | 50 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| LTV-817S-TA1-C | 0,1043 | | 7596 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | LTV-8x7 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | LTV-817 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
 | PS2503-1-ma | - - - | | 5302 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 30 ma | 20 µs, 30 µs | 40V | 1.1V | 80 Ma | 5000 VRMs | 100% @ 1ma | 200% @ 1ma | - - - | 250mv | ||||||||||||||||
| TLP2363 (V4-TPL, e | 1.0200 | | 7454 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2363 | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | 10 mbit / s | 23ns, 7ns | 1,5 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||
| ACPL-5700L-300 | 99.6495 | | 7821 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-CSMD, Möwenflügel | ACPL-5700 | DC | 1 | Darlington | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8541.49.8000 | 1 | 40 ma | - - - | 20V | 1,4 v | 10 ma | 1500VDC | 200% @ 5ma | - - - | 2 µs, 6 µs | - - - | |||||||||||||||
| CNY117-3 | 0,7100 | | 5899 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY117 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,39 v | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| EL3012S1 (TA) | 0,5389 | | 6281 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | EL3012 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903120006 | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,18 v | 60 mA | 5000 VRMs | 250 V | 100 ma | 250 µA (Typ) | NEIN | 100 V/µs (Typ) | 5ma | - - - | |||||||||||||||
| SFH6106-5T-LB | - - - | | 6571 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH6106 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 751-SFH6106-5T-LB | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 250% @ 10 mA | 500% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | TLP785 (D4YH-T6, f | 0,7700 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | SFH601-4X009 | - - - | | 8198 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | SFH601 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 100V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP785F (D4GBF7, f | - - - | | 2561 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4GBF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | Tlp293 (y-tpl, e | 0,5700 | | 5381 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | EL3H7 (H) (TA) -G | 0,1789 | | 3014 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | C110001129 | Ear99 | 8541.49.8000 | 5.000 | 50 ma | 5 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
 | PS2521L-1-E3-A | - - - | | 9911 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,3 v | 150 Ma | 5000 VRMs | 20% @ 100 mA | 80% @ 100 mA | - - - | 300mV | |||||||||||||||||
| PC357N0 | - - - | | 5206 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
 | MOC212R2VM | - - - | | 3532 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC212 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | FOD817D300W | 0,5500 | | 55 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2156-FOD817D300W-488 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||
| MOC213VM | 0,7800 | | 9672 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC213 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP781 (D4-LF6, F) | - - - | | 4918 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4-LF6F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV |
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