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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP387 (D4-TPL, e | 0,8700 |  | 7441 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP387 | DC | 1 | Darlington | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1V | ||||||||||||||||
 | PS2561AL-1-F3-QA | - - - | | 2299 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 30 ma | 3 µs, 5 µs | 70V | 1,2 v | 30 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
 | TLP2348 (V4-TPR, e | 1.1200 | | 7824 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2348 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 30 V | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 3ns, 3ns | 1,55 v | 15 Ma | 3750 VRMs | 1/0 | 30kV/µs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||||
| TLP550 (MBS, F) | - - - | | 3155 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP550 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP550 (MBSF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H11AV1AVM | 0,2800 | | 34 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.087 | - - - | - - - | 70V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 300% @ 10ma | 15 µs, 15 µs (max) | 400mV | |||||||||||||||||||
 | HCPL-817-50AE | 0,5400 | | 26 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HCPL-817 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
 | VO615A-2X009T | 0,4700 | | 980 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,43V | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 6 µs, 5 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | HMA121V | 0,1000 | | 5 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||
| TLP3052A (f | - - - | | 2712 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm), 5 Leads | TLP3052 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 264-TLP3052A (f | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 600 ähm | NEIN | 2kV/µs (Typ) | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||
| TLP131 (TPR, F) | - - - | | 6602 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP131 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-mfsop, 5 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP131 (TPRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD2742CR2V | - - - | | 7100 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FOD274 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | - - - | 70V | 1,2 v | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||
 | PS2701-1-F3-MA | - - - | | 6138 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 Ma | 3 µs, 5 µs | 40V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
 | ILQ1615-4 | 3.1800 | | 4446 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ILQ1615 | DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | - - - | ||||||||||||||||
| PS2815-1-F3-LA | - - - | | 1459 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | PS2815 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 559-1525-2 | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 40 ma | 4 µs, 5 µs | 40V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 100% @ 1ma | 400% @ 1ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
| TLP293 (e | 0,5100 | | 3658 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 175 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
| SFH600-1x007 | 0,3172 | | 3086 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | SFH600 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2,5 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3,2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2502L-1-F3-A | 1.2300 | | 5491 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Darlington | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 200 ma | 100 µs, 100 µs | 40V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 200% @ 1ma | - - - | - - - | 1V | ||||||||||||||||
| TLP781F (D4GB-TP7, f | - - - | | 6460 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4GB-TP7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP532 (GR-TP5, F) | - - - | | 2528 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP532 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP532 (GR-TP5F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS9303L2-E3-AX | - - - | | 7248 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 25 ma | 1 mbit / s | 120ns, 90ns | 1,6 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 500 ns, 550 ns | ||||||||||||||||
 | FOD2743at | 0,5100 | | 998 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 592 | 50 ma | - - - | 70V | 1.07V | 5000 VRMs | 50% @ 1ma | 100% @ 1ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP385 (GB-TPR, e | 0,5500 | | 1431 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
| FOD2711s | 0,3200 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||
| EL3031-V | - - - | | 7534 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | EL3031 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903310008 | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,5 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 250 V | 100 ma | 280 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | |||||||||||||||
 | NTE3094 | 17.4300 | | 18 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 2 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTe3094 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 16 Ma | 10 mbit / s | 25ns, 35ns | 1,5 v | 15 Ma | 3000VDC | 2/0 | 500 V/µs (Typ) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
 | PS9822-2-V-F3-AX | 6.1500 | | 9147 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | PS9822 | DC | 2 | Offener Sammler | 7v | 8-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 ma | 1 mbit / s | - - - | 1,6 v | 15 Ma | 2500 VRMs | 2/0 | - - - | 700 ns, 500 ns | |||||||||||||||
| RV1S9062ACCSP-10YV#SC0 | 5.6000 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | RV | Streiflen | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe), 5 Leads | RV1S9062 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 30 V | 5-lsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 ma | 15 mbit / s | - - - | 1,54 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 100 kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||||||||
| IL300-FG-X006 | - - - | | 1292 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | IL300 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Photovoltaik, linearissiert | 8-DIP | - - - | 751-IL300-FG-X006 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 1 µs, 1 µs | - - - | 1,25 V. | 60 mA | 4420 VRMs | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
 | TLP785 (GR-LF6, f | 0,6400 | | 22 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | TLP785 (GR-LF6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | SFH601-4x016 | - - - | | 8292 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | SFH601 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 100V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV |
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