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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FODM8801BR2 | 1.7400 |  | 11 | 0.00000000 | Onsemi | OptoHit ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | FODM8801 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 30 ma | 5 µs, 5,5 µs | 75 V | 1,35 v | 20 ma | 3750 VRMs | 130% @ 1ma | 260% @ 1ma | 6 µs, 6 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP3063SCF | - - - | | 9668 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads | TLP3063 | BSI, Semko, ur | 1 | Triac | 6-Dip (Schnitt), 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 600 um (Typ) | Ja | 200 V/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
 | FODB102 | - - - | | 1479 | 0.00000000 | Onsemi | Miccoubler ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Tebga | FODB10 | DC | 1 | Transistor | 4-bga (3,5x3,5) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 1 µs, 5 µs | 75 V | 1,5 V (max) | 30 ma | 2500 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 3 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | PS2911-1-F3-LA | - - - | | 1485 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 40 ma | 5 µs, 10 µs | 40V | 1.1V | 50 ma | 2500 VRMs | 150% @ 1ma | 300% @ 1ma | 40 µs, 120 µs | 300mV | |||||||||||||||||
 | ACPL-021L-060E | 1.0600 | | 5601 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ACPL-021 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8 Also Groß | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 ma | 5mb | 11ns, 11ns | 1,5 v | 8ma | 3750 VRMs | 1/0 | 25kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
 | PC81410NSZ0F | - - - | | 4070 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 425-2437-5 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 10 ma | 5000 VRMs | 50% @ 500 ähm | 600% @ 500 ähm | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
 | ACPL-827-50BE | 0,3711 | | 5685 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | ACPL-827 | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
 | H11D1S | - - - | | 2453 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11d | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 300 V | 1,15 V | 80 Ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| MOC3082SR2VM | 1.3000 | | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc308 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 800 V | 500 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
 | PS2561L-1-VLA | - - - | | 6908 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17v | 80 Ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
 | TLP781F (D4-Fun, F) | - - - | | 1717 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4-Funf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | TLP385 (GRL-TPR, e | 0,5600 | | 4446 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | PC900v0nizxf | - - - | | 2944 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Offener Sammler | 3v ~ 15 V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 425-2203-5 | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | - - - | 100 ns, 50 ns | 1.1V | 50 ma | 5000 VRMs | 1/0 | - - - | 6 µs, 3 µs | |||||||||||||||||
| TLP105 (DPW-TPL, F) | - - - | | 6810 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP105 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Blei | Herunterladen | 264-TLP105 (DPW-TPLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,57 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||
 | HCPL4502S | - - - | | 4144 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL45 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 300 ns | - - - | ||||||||||||||||
 | TLP109 (IGM-TPR, e | 1.9200 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP109 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,64 v | 20 ma | 3750 VRMs | 25% @ 10ma | 75% @ 10 mA | 450ns, 450ns | - - - | ||||||||||||||||
| Vo617a-3x018t | 0,4300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VO617 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 751-VO617a-3x018t | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 80V | 1,35 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP759 (IGM-LF5, J, F. | - - - | | 9136 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP759 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP759 (IGM-LF5JF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | - - - | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 25% @ 10ma | 75% @ 10 mA | - - - | - - - | |||||||||||||||||
 | PS9587L3-ACH | - - - | | 9723 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 ma | 10 mbit / s | 20ns, 10ns | 1,65 v | 30 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | 4n28tvm | 0,3256 | | 3063 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n28 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
 | EL817 (S1) (A) (TA) -VG | - - - | | 9343 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
| HCPL-0453-500E | 2.4500 | | 24 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL-0453 | DC | 1 | Transistor | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8ma | - - - | 20V | 1,5 v | 25 ma | 3750 VRMs | 15% @ 16 Ma | - - - | 1 µs, 1 µs (max) | - - - | |||||||||||||||
 | MOC207VM | 0,8600 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Moc207 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | PVI5033RS-T | - - - | | 2522 | 0.00000000 | Infineon -technologien | PVI | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | PVI5033 | DC | 2 | Photovoltaik | 8-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | *PVI5033RS-T | Ear99 | 8541.49.8000 | 750 | 5 ähm | - - - | 10V | - - - | 40 ma | 3750 VRMs | - - - | - - - | 2,5 ms, 500 µs (max) | - - - | ||||||||||||||
 | HCPL-1930 | 111.6100 | | 5624 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-1930 | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 10 mbit / s | 30ns, 24ns | - - - | 60 mA | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
| TIL1113S | - - - | | 9205 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | TIL111 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TIL1113S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2ma | 10 µs, 10 µs (max) | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | - - - | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| H11AG3S | - - - | | 1052 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AG3S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 50 ma | 5300 VRMs | 20% @ 1ma | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | Vo615a-3x018t | 0,5100 | | 5023 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,43V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | 5962-8876802KPA | 663.7617 | | 2305 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 5962-8876802 | DC | 1 | Tri-staat | 4,5 V ~ 20V | 8-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 5mb | 45ns, 10ns | 1,3 v | 8ma | 1500VDC | 1/0 | 1kV/µs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
 | PS9587L2-VAX | 4.4700 | | 6902 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | PS9587 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 ma | 10 mbit / s | 20ns, 10ns | 1,65 v | 30 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns |
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