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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
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![]() | MOC3032TM | - - - | ![]() | 7650 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc303 | Ul | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3032TM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 250 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
TLP620-4 (GB, F) | - - - | ![]() | 8762 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | PS2565-1-VA | - - - | ![]() | 8777 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | ILD2-X001 | 0,5877 | ![]() | 1440 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ILD2 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,6 µs, 2,2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 1,2 µs, 2,3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | MOC213R2M | 0,7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC213 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | 6N137TSVM | 1.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | 6N137 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 30ns, 10ns | 1,45 v | 50 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
![]() | H11g2s | - - - | ![]() | 6629 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11g | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11G2S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 80V | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 1000% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs | 1V | |||||||||||||||
![]() | 6N138-000E | 1.6400 | ![]() | 424 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6N138 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 60 mA | - - - | 7v | 1,4 v | 20 ma | 3750 VRMs | 300% @ 1,6 mA | 2600% @ 1,6 mA | 1,6 µs, 10 µs | - - - | |||||||||||||||
![]() | TLP267J (tpl, e | 0,9900 | ![]() | 1432 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP267 | CQC, cur, ur | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 200 µA (Typ) | NEIN | 500 V/µs (Typ) | 3ma | 100 µs | ||||||||||||||||
![]() | SFH6156-2T | 0,6400 | ![]() | 347 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SFH6156 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | LTV-8141S-TA1 | 0,7500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | LTV-8141 | AC, DC | 1 | Darlington | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600% @ 1ma | 7500% @ 1ma | - - - | 1V | ||||||||||||||||
4N26S1 (TA) | - - - | ![]() | 9647 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907172604 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 500mv | |||||||||||||||||
![]() | TLP183 (Bll, e | 0,5100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP183 (Blle | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | PC3SD11YXPCH | - - - | ![]() | 6780 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leads), Möwenflügel | PC3SD11 | CSA, Ur, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 3,5 Ma | NEIN | 1kV/µs | 5ma | 100 µs (max) | ||||||||||||||||
![]() | ELT3061 | 0,6188 | ![]() | 7916 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ELT306 | Cul, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | C140000072 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,5 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 600 V | 280 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | H11N2FM | - - - | ![]() | 1925 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | 4v ~ 15V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 5MHz | 7,5 ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
![]() | 6N139SVM | 1.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | 6N139 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 18V | 1,3 v | 20 ma | 5000 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | 240 ns, 1,3 µs | - - - | |||||||||||||||
![]() | El816 (s) (y) (tu) | - - - | ![]() | 3629 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
![]() | PC3ST11NSZDF | - - - | ![]() | 3851 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | PC3ST11 | CSA, ur | 1 | Triac | 4-DIP | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 3,5 Ma | NEIN | 1kV/µs | 3ma | 100 µs (max) | |||||||||||||||||
![]() | HCPL0600 | 1.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 214 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,75 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||
![]() | SFH620A-1 | 0,9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SFH620 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | PC4D10SnIPBF | - - - | ![]() | 9993 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD4218s | 2.7433 | ![]() | 7308 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | FOD4218 | Cul, Fimko, ul | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,28 v | 30 ma | 5000 VRMs | 800 V | 500 ähm | NEIN | 10kV/µs | 1,3 ma | 60 µs | ||||||||||||||||
![]() | CNY17F4S | - - - | ![]() | 6932 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | HCPL-261A-300E | 1.4891 | ![]() | 5725 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-261 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 10 MB | 42ns, 12ns | 1,3 v | 10 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 1kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
![]() | HCNW139-500E | 2.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCNW139 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 750 | 60 mA | - - - | 18V | 1,45 v | 20 ma | 5000 VRMs | 200% @ 12 ma | - - - | 11 µs, 11 µs | - - - | |||||||||||||||
TLP5705H (TP4, e | 1.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - - - | 37ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 50 kV/µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||
![]() | FOD2742AV | - - - | ![]() | 9986 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FOD274 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | - - - | 70V | 1,2 v | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | LTV-851s | - - - | ![]() | 7471 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -25 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | LTV-851 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 4 µs, 5 µs | 300 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 40% @ 5ma | - - - | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | HCPL0600_F132 | - - - | ![]() | 8147 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL06 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,75 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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