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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
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![]() | PC853XNNIP0F | - - - | ![]() | 9477 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | PC853X | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Darlington | 4-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 150 Ma | 100 µs, 20 µs | 350 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 1000% @ 10 mA | - - - | - - - | 1,2 v | ||||||||||||||||||
TLP104 (V4-TPL, e | 1.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP104 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 30 V | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 ma | 1 mbit / s | - - - | 1,61V | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 550ns, 400 ns | |||||||||||||||||
![]() | HCPL-563K | 586.6886 | ![]() | 4494 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-563 | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 10 MB | 35ns, 35ns | 1,5 v | 20 ma | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
![]() | Loc210ptr | - - - | ![]() | 2488 | 0.00000000 | Ixys Integrierte SchaltungsabeLung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | DC | 2 | Photovoltaik, linearissiert | 16-Flatpack | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | - - - | 1,2 v | 3750 VRMs | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
![]() | PS2913-1-V-F3-K-Ach | - - - | ![]() | 2189 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | PS2913-1-V-F3-K-AXTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 30 ma | 10 µs, 10 µs | 120 v | 1.1V | 50 ma | 2500 VRMs | 100% @ 1ma | 200% @ 1ma | 80 µs, 50 µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | Fod817a | 0,5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
![]() | MCT5210300W | - - - | ![]() | 7541 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MCT5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT5210300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 70% @ 3ma | - - - | 10 µs, 400 ns | 400mV | |||||||||||||||
![]() | 6N136-300E | 1,9000 | ![]() | 7160 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | 6N136 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 20V | 1,5 v | 25 ma | 3750 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 200ns, 600ns | - - - | |||||||||||||||
![]() | CNY17F-2X007T | 0,8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,39 v | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | 4N40300 | - - - | ![]() | 3011 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n40 | UR, VDE | 1 | Scr | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N40300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1.1V | 60 mA | 5300 VRMs | 400 V | 300 ma | 1ma | NEIN | 500 V/µs | 14ma | 50 µs (max) | |||||||||||||||
![]() | PS2701-1 | - - - | ![]() | 1741 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | PS2701-1NEC | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 80 Ma | 3 µs, 5 µs | 40V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
![]() | PS2566L-2 | - - - | ![]() | 4153 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | AC, DC | 2 | Darlington | 8-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Q1148709 | Ear99 | 8541.49.8000 | 45 | 160 ma | 100 µs, 100 µs | 40V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 200% @ 1ma | - - - | - - - | 1V | |||||||||||||||
![]() | HCPL2531SDVM | 2.4400 | ![]() | 4320 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2531 | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 250ns, 260ns | - - - | |||||||||||||||
MOC3031VM | - - - | ![]() | 9855 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc303 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3031VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 250 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | |||||||||||||||||
![]() | PS9324L-E3-AX | - - - | ![]() | 7462 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | PS9324L-E3-AXTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 25 ma | 10 mbit / s | 20ns, 5ns | 1,55 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
![]() | H11AG2 | 0,1800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 50 ma | 5300 VRMs | 50% @ 1ma | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||||
TLP525G (TP1, F) | - - - | ![]() | 3696 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd (0,300 ", 7,62 mm) | CSA, CUL, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 264-TLP525G (TP1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 400 V | 100 ma | 600 ähm | NEIN | 200 V/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | H11N2TVM | - - - | ![]() | 7184 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | 4v ~ 15V | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 5MHz | 7,5 ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
IL4217-X009 | - - - | ![]() | 2331 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd | IL4217 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 700 V | 300 ma | 200 µA | NEIN | 10kV/µs | 700 µA (Typ) | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | EL357NF (TA) -VG | - - - | ![]() | 8762 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL357 | DC | 1 | Transistor | 2,54 mm) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 4 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
Moc8113m | - - - | ![]() | 5056 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc811 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 3 µs, 14 µs | 70V | 1,15 V | 90 Ma | 7500vpk | 100% @ 10ma | - - - | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||||
PS9324L-ACH | 7.0200 | ![]() | 520 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | PS9324 | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-sdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 ma | 10 mbit / s | 20ns, 5ns | 1,55 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
![]() | PS2561L-1-VLA | - - - | ![]() | 2202 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 559-1370 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
![]() | PS2861B-1Y-VLA | - - - | ![]() | 9186 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | PS2861 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 559-1546 | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 4 µs, 5 µs | 70V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
![]() | HCPL-7720-360E | 3.3017 | ![]() | 8670 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-7720 | Logik | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 10 ma | 25mb | 9ns, 8ns | - - - | - - - | 3750 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
![]() | TLP385 (Bll, e | 0,5500 | ![]() | 1556 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP385 (Blle | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | PS9317L2-E3-AX | - - - | ![]() | 9811 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 25 ma | 10 mbit / s | 20ns, 5ns | 1,56 v | 30 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
![]() | TLP2601 (f) | - - - | ![]() | 8371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP2601 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 ma | 10 MB | 30ns, 30ns | 1,65 v | 20 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
![]() | 6N135WV | - - - | ![]() | 2760 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 6N135 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-mdip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 7% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 500 ns | - - - | ||||||||||||||||
![]() | H11f1s | - - - | ![]() | 2600 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11f | DC | 1 | Mosfet | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11F1S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | - - - | - - - | 25 µs, 25 µs (max) | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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