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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PS2561L-1-E3-HA | - - - |  | 5503 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||||
 | SFH6106-1x001t | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SFH6106 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD617B3S | - - - | | 7358 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 300 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,35 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||
 | HCPL-2531-300E | 3.1600 | | 7 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-2531 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 20V | 1,5 v | 25 ma | 3750 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 200ns, 600ns | - - - | |||||||||||||||
 | OR-357C-TP-G- (CG) | 0,7300 | | 2282 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP291 (Bll-tp, SE | 0,6100 | | 6152 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | ILQ2 | 2.8300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ILQ2 | DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 2,6 µs, 2,2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 500% @ 10 mA | 1,2 µs, 2,3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| 6n140a | 104.5900 | | 113 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | 6N140 | DC | 4 | Darlington | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 40 ma | - - - | 20V | 1,4 v | 10 ma | 1500VDC | 200% @ 5ma | - - - | 2 µs, 8 µs | 110mv | |||||||||||||||
 | MOC3051FM | - - - | | 4944 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc305 | Ur | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3051FM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 60 mA | 7500vpk | 600 V | 280 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||
| MOC8080SD | - - - | | 6380 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC808 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8080SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 3,5 µs, 25 µs | 1V | |||||||||||||||
 | HCPL-4506-000E | 2.9100 | | 5190 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-4506 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 Ma | - - - | - - - | 1,5 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 550ns, 400 ns | |||||||||||||||
| TLP785 (D4GB-T6, f | - - - | | 8586 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785 (D4GB-T6FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | H11A817BW | 0,0600 | | 16 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||
| H11AA4SR2VM | 0,8700 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11AA | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1.17V | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| PS2532L-1-VA | - - - | | 9037 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Darlington | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 Ma | 100 µs, 100 µs | 300 V | 1,15 V | 80 Ma | 5000 VRMs | 1500% @ 1ma | 6500% @ 1ma | - - - | 1V | |||||||||||||||||
 | TPC816S1D RAG | - - - | | 3457 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | TPC816 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
 | TLP781F (TP7, F) | - - - | | 4254 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (TP7F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | VOT8024AG-V | 0,4370 | | 7528 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | VOT8024 | CQC, Cul, UL, VDE | 1 | Triac | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 800 V | 100 ma | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
| TLP512 (LF1, F) | - - - | | 7502 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP512 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP512 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Vol618a-2x001t | 0,5000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Vol618 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3,5 µs, 5 µs | 80V | 1.16V | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 1ma | 125% @ 1ma | 6 µs, 5,5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | APT1221SX | 1.7600 | | 4 | 0.00000000 | Panasonic Electric Works | Geeignet | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | APT1221 | Cur, VDE | 1 | Triac | 4-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,21V | 50 ma | 3750 VRMs | 600 V | 50 ma | 3,5 Ma | NEIN | 500 V/µs | 10 ma | 100 µs (max) | |||||||||||||||||
 | H11B1S1 (TB) | - - - | | 4836 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11b1 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907150103 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V | |||||||||||||||
 | EL3061M-V | - - - | | 2937 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | EL3061 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903610009 | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,5 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 280 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | |||||||||||||||
 | PS9115-Achsen | - - - | | 2771 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 5-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 20 | 13 ma | 10 mbit / s | - - - | 1,65 v | 30 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 65ns, 65ns | |||||||||||||||||
 | Moc3073m | 1.7700 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc307 | Ul | 1 | Triac | 6-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 800 V | 540 UA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 6ma | - - - | ||||||||||||||||
 | PC817X7NSZ0F | - - - | | 3123 | 0.00000000 | Sharp/Socle -technologie | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
| CNW11AV2300 | - - - | | 4308 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNW11 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 ma | - - - | 70V | - - - | 100 ma | 4000 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| SFH600-0x007 | - - - | | 2805 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | SFH600 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2,5 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 3,2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| H11A1TVM | 0,8400 | | 2512 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11A1 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||
| ILD755-2 | 4.8700 | | 3869 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ILD755 | AC, DC | 2 | Darlington | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - - - | 70 µs, 70 µs | 60 v | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | - - - | 1V |
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