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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MTFC16GJTEC-IT TR | - - - | ![]() | 1805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MTFC16G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||||||
![]() | BR93H86RFVT-2CE2 | 0,5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | BR93H86 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-tssop-b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 2 MHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | Eeprom | 1k x 16 | Mikrowire | 4 ms | ||||
![]() | 71321SA25PF8 | - - - | ![]() | 4988 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 71321SA | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 64-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Flüchtig | 16Kbit | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 25ns | ||||
![]() | MT49H8M36FM-25: B Tr | - - - | ![]() | 3165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H8M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FBGA (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 8m x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT46V128M4FN-6: F Tr | - - - | ![]() | 1863 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS25LQ040B-JDLE | - - - | ![]() | 6131 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | IS25LQ040 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-tssop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LQ040B-JDLE | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 8 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 800 µs | ||
![]() | S26HS01GTGABHB030 | 31.3500 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Semper ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-vbga | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 24-FBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 260 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 5.45 ns | Blitz | 128 MX 8 | Hyperbus | 1,7 ms | ||||
![]() | AT24C32AY1-10YU-1.8 | - - - | ![]() | 8993 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | AT24C32 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-Map (3x4,9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 120 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 32Kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | A2578594-C | 15.7500 | ![]() | 4289 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A2578594-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS43DR82560C-25DBL-TR | 6.3808 | ![]() | 2362 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43DR82560C-25DBL-TR | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ns | Dram | 256 mx 8 | SSTL_18 | 15ns | ||||||
![]() | Cat24c04lgi | 0,1400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CAT24C04 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-Pdip | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-CAT24C04LGI-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | 34AA02T-I/MS | 0,3600 | ![]() | 2675 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | 34AA02 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 34AA02T-i/mstr | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | ||
![]() | S25FS128SAGMFV100 | 3.7759 | ![]() | 481 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fs-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | S25FS128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | Nicht Verifiziert | ||||||
![]() | SM662GEE-BESS | 101.2100 | ![]() | 4963 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-emmc® | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 100 lbga | SM662 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - - - | 100-bga (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1984-SM662GEE-BESS | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 640Gbit | Blitz | 80g x 8 | EMMC | - - - | ||||
CAT28F020G-12T | - - - | ![]() | 9401 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | CAT28F020 | Blitz | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC (11.43x13.97) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 120 ns | Blitz | 256k x 8 | Parallel | 120ns | ||||||
M93C56-RDS6G | - - - | ![]() | 8192 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | M93C56 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | Eeprom | 256 x 8, 128 x 16 | Mikrowire | 5 ms | |||||
![]() | MT29F4G01AAADDHC-ITX: D Tr | - - - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F4G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 4g x 1 | Spi | - - - | |||||
![]() | MT29F2G08ABAEAH4-IT: e | 3.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | |||||
W948D6FBHX5J | - - - | ![]() | 3114 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | W948D6 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (8x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 312 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | FM1608B-SGTR | - - - | ![]() | 9188 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F-RAM ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | FM1608B | Fram (Ferroelektrischer Ram) | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Kbit | Fram | 8k x 8 | Parallel | 130ns | |||||
![]() | 93LC76CT-E/MNY | 0,6450 | ![]() | 3308 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WFDFN Exposed Pad | 93LC76 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TDFN (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 3 MHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | Eeprom | 1k x 8, 512 x 16 | Mikrowire | 5 ms | ||||
![]() | S25FS128SAGNFI003 | 3.3950 | ![]() | 3244 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fs-s | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FS128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||
![]() | 7133la45j | - - - | ![]() | 5683 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 68-LCC (J-Lead) | 7133la | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 68-PLCC (24.21x24.21) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 18 | Flüchtig | 32Kbit | 45 ns | Sram | 2k x 16 | Parallel | 45ns | ||||
![]() | S25FL256SAGNFI010 | 6.0400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||
![]() | M29W320DB7AZA6F | 4.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M29W320 | Flash - Boot Block | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1450-M29W320DB7AZA6FTR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | CFI | 70ns | |||
![]() | MT49H16M36SJ-18 IT: b | 63.7350 | ![]() | 3040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H16M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FBGA (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0028 | 1,120 | 533 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 16m x 36 | Parallel | - - - | |||
Cat25040vi-te13 | 0,2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | CAT25040 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-soic | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-cat25040vi-te13-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 10 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | 40 ns | Eeprom | 512 x 8 | Spi | 5 ms | ||||
![]() | IS25LP256D-RGLE-TR | - - - | ![]() | 5263 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS25LP256 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 7 ns | Blitz | 32m x 8 | Serie | 800 µs | |||
![]() | IS21TF128G-JCLI | 66.7335 | ![]() | 6275 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS21TF128G-JCLI | 152 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | |||||||
![]() | IS45S32400F-6BLA2 | 9.5190 | ![]() | 6414 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS45S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - |
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